上海兴赛电子科技有限公司专利技术

上海兴赛电子科技有限公司共有18项专利

  • 本实用新型涉及传感器电压变送器电路领域,具体涉及一种隔离型高精度传感器电压变送器电路,包括电源输入模块、隔离模块、基准电压模块、信号调理模块和输出接口,本实用新型的一种隔离型高精度传感器电压变送器电路,旨在解决传统变送器抗电磁干扰能力弱...
  • 本实用新型公开了一种14bit逐次比较型ADC高速比较器电路,包含:时钟电路,时钟电路接入CLK信号,输出一个与CLK信号相位相反的CLK_N信号;前置放大电路,前置放大电路与时钟电路的输出端相连并接入CLK信号;数据锁存器电路,数据锁...
  • 本实用新型公开了一种超高精度14bit的SAR架构ADC芯片电路,包含:数据采集电路,数据采集电路接入CLK信号、模拟信号相连,用于进行信号采集;高速比较器,高速比较器的正向输入端与数据采集电路的输出端相连;数模转换电路,数模转换电路与...
  • 本实用新型公开了一种14bit逐次比较型ADC采样保持电路,包含:栅漏电容阵列模块与互补传输门模块;互补传输门模块与电源VDD相连并接地,互补传输门模块连接外部的输入端K,互补传输门模块通过信号输出端OUT与外部的后续电路相连;栅漏电容...
  • 本实用新型提出了一种锯齿波时钟发生器电路,包括比较器I1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M3、NMOS管M16、NMOS管M18、NMOS管M21、PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7...
  • 本实用新型涉及过温保护电路领域,具体涉及一种CMOS快速响应的过温保护电路,包括基准源Vbias、比较器I0、恒流源I1、M0、M1、M3、M4、M5、M6和M7,其中M1、M4为NMOS管,M0、M3、M5、M6、M7为PMOS管,本...
  • 本实用新型涉及欠压锁存电路领域,具体涉及一种基于CMOS新型稳定型欠压锁存电路,包括偏置电路、先导控制电路、充电回路和整形滤波电路,通过设计了一种低功耗的欠压锁存电路,并在CSMC 0.5m CMOS工艺库下使用Cadence Spec...
  • 本实用新型公开了一种高精度快速响应型电流放大器电路,包含:基础电路、反馈电路与叠加器电路;基础电路与电源相连,基础电路接地;反馈电路与基础电路相连,反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连,反馈电路与电源相连;叠加器电路与基础电路、...
  • 本实用新型提出了一种基于CMOS求和比较器电路,包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路,第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管...
  • 本实用新型提出了一种高安全等级的EPS传感器芯片,包括电感线圈激励模块、模拟前端模块、数模转换模块、ARM内核、数字信号处理内核、电源处理单元、第一输出接口和第二输出接口。通过设置了ARM内核和数字信号处理内核,可以分别通过一定算法对数...
  • 本实用新型公开了一种基于电源CMOS芯片的快速电压识别电路,包含:电阻分压网络电路,电阻分压网络电路与输入端、电源端相连;反馈电路,反馈电路与电阻分压网络电路、输入端以及电源端相连;施密特触发器电路,施密特触发器电路与电阻分压网络电路、...
  • 本实用新型公开了一种随负载变化自动调整的CMOS电路,包含:第一恒流源,用于提供恒定的电流;偏置电路,偏置电路与第一恒流源、外部的VDD输入端相连,用于提供偏置电压;电流镜,电流镜与偏置电路、VDD输入端相连;电压匹配电路,电压匹配电路...
  • 本实用新型公开了一种基于CMOS芯片的过温保护电路,包含:启动电路,启动电路接外部的输入信号Vref、外部的VDD输入端,用于输出启动电流;偏置电流产生电路,偏置电流产生电路与启动电路相连,用于产生偏置电流;温度检测电路,温度检测电路与...
  • 本实用新型公开了一种基于CMOS快速响应型欠压保护电路,包含:偏置电路,偏置电路与外部的Vref输入端、外部的VDD输入端相连,用于提供偏置电流;启动电路,启动电路与偏置电路、VDD输入端相连;欠压保护电路,欠压保护电路与偏置电路、启动...
  • 本实用新型提出了一种抗干扰的全差分霍尔感应前端机构,其包括霍尔感应体,霍尔感应体包括磁铁体,磁铁体包括左右对称的S极体和N极体;沿磁铁体的圆周方向,磁铁体依次均匀分布设置有第一霍尔盘、第二霍尔盘、第三霍尔盘、第四霍尔盘、第五霍尔盘和第六...
  • 本实用新型公开了一种车规级可编程线性霍尔传感器芯片,包括霍尔盘模组、与霍尔盘模组连接的斩波电路模块、与斩波电路模块连接的差分电路模块、与差分电路模块连接的多路选择器、与多路选择器连接的低通滤波器、与低通滤波器连接的前置放大电路模块、与前...
  • 本发明公开了一种低功耗CMOS超宽温度范围瞬态增强型LDO电路,包含:恒压源,恒压源的输入端与第一信号输入端相连;第一运算放大器,第一运算放大器的反向输入端与恒压源的输出端相连,第一运算放大器与第一信号输入端相连;镜像电路,镜像电路与第...
  • 本发明提出了一种抗干扰的全差分霍尔盘结构、信号处理电路及其方法,包括全差分霍尔盘结构、信号处理电路、霍尔感应信号处理方法。通过设置了第一感应盘、第二感应盘、第三感应盘、第四感应盘、第五感应盘、第六感应盘等六个感应盘,输出六组互成60
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