一种CMOS快速响应的过温保护电路制造技术

本实用新型专利技术涉及过温保护电路领域，具体涉及一种CMOS快速响应的过温保护电路，包括基准源Vbias、比较器I0、恒流源I1、M0、M1、M3、M4、M5、M6和M7，其中M1、M4为NMOS管，M0、M3、M5、M6、M7为PMOS管，本实用新型专利技术基于CMOS工艺库设计了一种低功耗、高精度的过温保护电路，利用MOS管的温度特性对芯片系统的工作温度进行采样，通过电压比较器对采样温度电压与系统预设电压进行比较，当采样温度高于系统设定的阈值温度时，过温保护电路输出低电平进而关断芯片系统，防止由于高温对芯片造成不可逆转的损坏，传统电路采用电阻式的过温保护电路电压精度误差大约是

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS快速响应的过温保护电路


[0001]本技术涉及过温保护电路领域，具体涉及一种CMOS快速响应的过温保护电路。

技术介绍

[0002]过温保护电路是电源管理芯片中一种重要保护电路，当电源管理芯片由于电源短接、内部短路或重负载等情况下产生功耗增加，引起芯片内部温度上升，过温保护电路能够检测系统工作温度，及时关断芯片系统，防止芯片中的晶体管和其他集成模块由于高温而造成不可逆转的永久性失效，因此，过温保护电路被广泛地应用在电源管理芯片中的带隙基准电压源、低压降电路、振荡器等模块，传统电路采用电阻式的过温保护电路电压精度误差大约是
±
30％，精度差。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种CMOS快速响应的过温保护电路。
[0004]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]提供一种CMOS快速响应的过温保护电路，包括基准源Vbias、比较器I0、恒流源I1、M0、M1、M3、M4、M5、M6和M7，其中M1、M4为NMOS管，M0、M3、M5、M6、M7为PMOS管。
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS快速响应的过温保护电路，其特征在于，包括基准源Vbias、比较器I0、恒流源I1、M0、M1、M3、M4、M5、M6和M7，其中M1、M4为NMOS管，M0、M3、M5、M6、M7为PMOS管；所述M6和M7的G级均接基准源Vbias，M7的D级接M6的S级，M6的D级接地，恒流源I1一端接M7的...

【专利技术属性】
技术研发人员：何孝起，
申请(专利权)人：上海兴赛电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：