一种特殊的霍尔开关磁路结构制造技术

技术编号:34874517 阅读:46 留言:0更新日期:2022-09-10 13:28
本实用新型专利技术涉及霍尔开关磁路结构领域,具体涉及一种特殊的霍尔开关磁路结构,包括霍尔芯片和磁铁,本实用新型专利技术提出了一种新的U型磁铁与霍尔芯片的安装结构,解决了霍尔芯片工作磁场强度过强、以及霍尔芯片感应端轴体形状不规则导致传统背磁方式霍尔感应到的磁场强度变化量不明显的问题,本实用新型专利技术解决了传统背磁方式由于感应端轴体形状不规则,霍尔芯片感应到的磁场强度变化量不明显的问题,当感应端轴体不规则,磁铁与轴体间的磁场强度不均匀,背磁方式感应到的磁场强度变化量不明显,本实用新型专利技术中U型磁铁与霍尔芯片放置的结构使磁场强度变化量增大,便于确定开关工作点。便于确定开关工作点。便于确定开关工作点。

【技术实现步骤摘要】
一种特殊的霍尔开关磁路结构


[0001]本技术涉及霍尔开关磁路结构领域,具体涉及一种特殊的霍尔开关磁路结构。

技术介绍

[0002]霍尔转速开关传感器广泛用于变速箱中,一般的应用原理是在霍尔芯片背面放置一个磁铁,简称背磁,磁铁N极或S极与霍尔背面紧贴,当铁磁性材料靠近霍尔时,穿过霍尔表面的磁力线增多,感应的磁场强度加强,当铁磁性材料远离霍尔时,穿过霍尔表面的磁力线减少,感应的磁场强度变弱,根据磁感应强度的变化量控制开关状态切换,这样做的缺点是:采用背磁的方式,一般磁铁紧贴霍尔芯片背面,如果磁铁做的小或薄,则容易破碎,如果磁铁做大,则表磁强度会过强,让霍尔芯片工作在饱和区,影响开关点的准确性,同时由于感应端轴体形状不规则,霍尔感应到的磁场强度变化量不明显,因此需要一种特殊的磁路结构来准确感应磁场强度变化量。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种特殊的霍尔开关磁路结构。
[0004]为达此目的,本技术采用以下技术方案:
[0005]提供一种特殊的霍尔开关磁路结构,包括霍尔芯片和磁铁。
[0006]进一步的,所述磁铁为U形磁铁,且U型磁铁采用上下充磁的方式。
[0007]进一步的,所述霍尔芯片放置在磁铁的U形中间位置。
[0008]进一步的,所述霍尔芯片的上表面与磁铁的左右凸起端面水平。
[0009]本技术的有益效果:
[0010]1、本技术提出了一种新的U型磁铁与霍尔芯片的安装结构,解决了霍尔芯片工作磁场强度过强、以及霍尔芯片感应端轴体形状不规则导致传统背磁方式霍尔感应到的磁场强度变化量不明显的问题。
[0011]2、本技术解决了传统背磁方式由于感应端轴体形状不规则,霍尔芯片感应到的磁场强度变化量不明显的问题,当感应端轴体不规则,磁铁与轴体间的磁场强度不均匀,背磁方式感应到的磁场强度变化量不明显,本技术中U型磁铁与霍尔芯片放置的结构使磁场强度变化量增大,便于确定开关工作点。
附图说明
[0012]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案,下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0013]图1为本技术一种特殊的霍尔开关磁路结构的原理示意图;
具体实施方式
[0014]下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0015]其中,附图仅用于示例性说明,表示的仅是示意图,而非实物图,不能理解为对本专利的限制;为了更好地说明本技术的实施例,附图某些部件会有省略、放大或缩小,并不代表实际产品的尺寸。
[0016]参照图1所示的一种特殊的霍尔开关磁路结构,包括霍尔芯片和磁铁。本技术提出了一种新的U型磁铁与霍尔芯片的安装结构,旨在解决霍尔芯片工作磁场强度过强,以及霍尔芯片感应端轴体形状不规则导致传统背磁方式霍尔芯片感应到的磁场强度变化量不明显的问题。
[0017]所述磁铁为U形磁铁,且U型磁铁采用上下充磁的方式。本技术采用的磁铁是U型磁铁,将霍尔芯片放置在磁铁正中间,霍尔芯片上表面与磁铁左右突出的两个端面水平,U型磁铁采用上下充磁的方式,当霍尔芯片表面没有铁磁性材料靠近时,理想状态下霍尔芯片表面磁感应强度为0mT,实际在10mT

20mT之间,磁感线几乎不穿过霍尔芯片,此时霍尔芯片感应到的磁场强度很小;当霍尔芯片表面有铁磁性材料靠近时,会改变U型磁铁的磁场分布,磁力线穿过霍尔芯片表面,霍尔芯片感应到的磁场强度变强,霍尔芯片根据磁场强度的变化量确定开关工作点。
[0018]所述霍尔芯片放置在磁铁的U形中间位置。本技术解决了传统背磁方式由于感应端轴体形状不规则,霍尔芯片感应到的磁场强度变化量不明显的问题,当感应端轴体不规则,磁铁与轴体间的磁场强度不均匀,背磁方式感应到的磁场强度变化量不明显,本技术中U型磁铁与霍尔芯片放置的结构使磁场强度变化量增大,便于确定开关工作点。
[0019]所述霍尔芯片的上表面与磁铁的左右凸起端面水平。
[0020]工作原理:本技术采用的磁铁是U型磁铁,将霍尔芯片放置在磁铁正中间,霍尔芯片上表面与磁铁左右突出的两个端面水平,U型磁铁采用上下充磁的方式,当霍尔芯片表面没有铁磁性材料靠近时,理想状态下霍尔芯片表面磁感应强度为0mT,实际在10mT

20mT之间,磁感线几乎不穿过霍尔芯片,此时霍尔芯片感应到的磁场强度很小;当霍尔芯片表面有铁磁性材料靠近时,会改变U型磁铁的磁场分布,磁力线穿过霍尔芯片表面,霍尔芯片感应到的磁场强度变强,霍尔芯片根据磁场强度的变化量确定开关工作点。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种特殊的霍尔开关磁路结构,其特征在于,包括霍尔芯片和磁铁,所述磁铁为U形磁铁,且U型磁铁采用上下充磁的方式,所述霍尔芯片放置在磁铁的...

【专利技术属性】
技术研发人员:白宇陈康乐
申请(专利权)人:安徽沃巴弗电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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