高精度快速响应型电流放大器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高精度快速响应型电流放大器电路，包含：基础电路、反馈电路与叠加器电路；基础电路与电源相连，基础电路接地；反馈电路与基础电路相连，反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连，反馈电路与电源相连；叠加器电路与基础电路、反馈电路相连，叠加器电路连接电源并接地。本实用新型专利技术通过基础电路、反馈电路与叠加器电路相配合，实现了电流放大器功能，更加稳定可靠，具备很强的实用性。具备很强的实用性。具备很强的实用性。

【技术实现步骤摘要】
高精度快速响应型电流放大器电路


[0001]本技术涉及集成电路，特别涉及一种高精度快速响应型电流放大器电路。

技术介绍

[0002]现有技术中，最常用的是电压型的放大器，相对电压放大器，电流型的放大器用的相对较少，但是在很多应用场合，电流型放大器有其独到的微妙之处，但是，电流型放大器在设计过程中，存在电流不稳定的缺陷，实用性差。

技术实现思路

[0003]根据本技术实施例，提供了一种高精度快速响应型电流放大器电路，包含：基础电路、反馈电路与叠加器电路；
[0004]基础电路与电源相连，基础电路接地；
[0005]反馈电路与基础电路相连，反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连，反馈电路与电源相连；
[0006]叠加器电路与基础电路、反馈电路相连，叠加器电路连接电源并接地。
[0007]进一步，基础电路包含： MOS管M2、MOS管M6、MOS管M7、运算放大器I1与电阻R0；
[0008]MOS管M2的源极与电源相连，MOS管M2的栅极连接外部的信号源Vb1，MOS管M2的漏极与反馈电路相连；
[0009]MOS管M7的源极通过电阻R0接地，MOS管M7的栅极与外部的信号源Vb3相连，MOS管M7的漏极连接反馈电路、叠加器电路与电流源Ii；
[0010]MOS管M6的源极连接MOS管漏极、反馈电路、叠加器电路与电流源Ii，MOS管M6的漏极与MOS管M6的栅极相连；
[0011]运算放大器I1的反向输入端与MOS管M6的漏极与MOS管M6的栅极相连，运算放大器I1同相输入端与反馈电路相连，运算放大器I1的输出端与反馈电路相连。
[0012]进一步，MOS管M2为PMOS场效应管。
[0013]进一步，MOS管M6与MOS管M7均为NMOS场效应管。
[0014]进一步，反馈电路包含：MOS管M1、MOS管M3、MOS管M4与MOS管M5；
[0015]MOS管M1的源极连接电流源Ii、叠加器电路与基础电路，MOS管M1的栅极与外部的信号源Vb2相连，MOS管M1的漏极与基础电路相连；
[0016]MOS管M3的漏极与电流源Iou相连，MOS管M3的栅极连接MOS管M1的漏极与基础电路；
[0017]MOS管M4的源极与电源相连，MOS管M4的栅极与基础电路相连，MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极、MOS管M4的栅极与基础电路；
[0018]MOS管M5的源极连接电源，MOS管M5的漏极连接基础电路，MOS管M5的栅极连接MOS管M4的栅极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的源极与基础电路。
[0019]进一步，MOS管M1为NMOS场效应管。
[0020]进一步，MOS管M3、MOS管M4与MOS管M5均为PMOS场效应管。
[0021]进一步，叠加器电路包含：MOS管M8，MOS管M8的源极连接电源并接地，MOS管M8的栅极与外部的信号源Vb3相连，MOS管M8的漏极连接电流源Ii、基础电路与叠加器电路。
[0022]进一步，MOS管M8为NMOS场效应管。
[0023]根据本技术实施例的高精度快速响应型电流放大器电路，通过基础电路、反馈电路与叠加器电路相配合，实现了电流放大器功能，更加稳定可靠，具备很强的实用性。
[0024]要理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述两者都是示例性的，并且意图在于提供要求保护的技术的进一步说明。
附图说明
[0025]图1为根据本技术实施例高精度快速响应型电流放大器电路的电路图。
具体实施方式
[0026]以下将结合附图，详细描述本技术的优选实施例，对本技术做进一步阐述。
[0027]如图1所示，本技术实施例的高精度快速响应型电流放大器电路，包含：基础电路、反馈电路与叠加器电路。
[0028]具体地，如图1所示，基础电路与电源相连，基础电路接地。
[0029]进一步，如图1所示，基础电路包含：MOS管M2、MOS管M6、MOS管M7、运算放大器I1与电阻R0；MOS管M2的源极与电源相连，MOS管M2的栅极连接外部的信号源Vb1，MOS管M2的漏极与反馈电路相连；MOS管M7的源极通过电阻R0接地，MOS管M7的栅极与外部的信号源Vb3相连，MOS管M7的漏极连接反馈电路、叠加器电路与电流源Ii；MOS管M6的源极连接MOS管漏极、反馈电路、叠加器电路与电流源Ii，MOS管M6的漏极与MOS管M6的栅极相连；运算放大器I1的反向输入端与MOS管M6的漏极与MOS管M6的栅极相连，运算放大器I1同相输入端与反馈电路相连，运算放大器I1的输出端与反馈电路相连。
[0030]进一步，如图1所示，MOS管M2为PMOS场效应管。
[0031]进一步，如图1所示，MOS管M6与MOS管M7均为NMOS场效应管。
[0032]具体地，如图1所示，反馈电路与基础电路相连，反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连，反馈电路与电源相连。
[0033]进一步，如图1所示，反馈电路包含：MOS管M1、MOS管M3、MOS管M4与MOS管M5；MOS管M1的源极连接电流源Ii、叠加器电路与基础电路，MOS管M1的栅极与外部的信号源Vb2相连，MOS管M1的漏极与基础电路相连；MOS管M3的漏极与电流源Iou相连，具有采样电流的功能，MOS管M3的栅极连接MOS管M1的漏极与基础电路；MOS管M4的源极与电源相连，MOS管M4的栅极与基础电路相连，MOS管M4的漏极连接MOS管M3的源极、MOS管M4的栅极与基础电路；MOS管M5的源极连接电源，MOS管M5的漏极连接基础电路，MOS管M5的栅极连接MOS管M4的栅极、MOS管M4的漏极、MOS管M3的源极与基础电路，MOS管M3的输出电流与MOS管M4、MOS管M5 输出反馈的电流Ib2以及运算放大器I1相叠加，故M3具有采样I0中的小信号和大信号成分，以实现电流放大器功能。
[0034]进一步，如图1所示，MOS管M1为NMOS场效应管。
[0035]进一步，如图1所示，MOS管M3、MOS管M4与MOS管M5均为PMOS场效应管。
[0036]具体地，如图1所示，叠加器电路与基础电路、反馈电路相连，叠加器电路连接电源并接地。
[0037]进一步，如图1所示，叠加器电路包含：MOS管M8，MOS管M8的源极连接电源并接地，MOS管M8的栅极与外部的信号源Vb3相连，MOS管M8的漏极连接电流源Ii、基础电路与叠加器电路。
[0038]进一步，如图1所示，MOS管M8为NMOS场效应管。
[0039]以上，参照图1描述了根据本技术实施例的高精度快速响应型电流放大器电路，通过基础电路、反馈电路与叠加器电路相配合，实现了电流放大器功能，更加稳定可靠，具备很强的实用性。
[0040]需要说明的是，在本说明书中，术语“包括”、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高精度快速响应型电流放大器电路，其特征在于，包含：基础电路、反馈电路与叠加器电路；所述基础电路与电源相连，所述基础电路接地；所述反馈电路与所述基础电路相连，所述反馈电路与外部的电流源Ii、电流源Iou相连，所述反馈电路与所述电源相连；所述叠加器电路与所述基础电路、所述反馈电路相连，所述叠加器电路连接所述电源并接地。2.如权利要求1所述高精度快速响应型电流放大器电路，其特征在于，所述基础电路包含： MOS管M2、MOS管M6、MOS管M7、运算放大器I1与电阻R0；所述MOS管M2的源极与所述电源相连，所述MOS管M2的栅极连接外部的信号源Vb1，所述MOS管M2的漏极与所述反馈电路相连；所述MOS管M7的源极通过所述电阻R0接地，所述MOS管M7的栅极与外部的信号源Vb3相连，所述MOS管M7的漏极连接所述反馈电路、所述叠加器电路与所述电流源Ii；所述MOS管M6的源极连接所述MOS管漏极、所述反馈电路、所述叠加器电路与所述电流源Ii，所述MOS管M6的漏极与所述MOS管M6的栅极相连；所述运算放大器I1的反向输入端与所述MOS管M6的漏极与所述MOS管M6的栅极相连，所述运算放大器I1同相输入端与所述反馈电路相连，所述运算放大器I1的输出端与所述反馈电路相连。3.如权利要求2所述高精度快速响应型电流放大器电路，其特征在于，所述MOS管M2为PMOS场效应管。4.如权利要求2所述高精度快速响应型电流放大器电路，其特征在于，所述MOS管M6与所述MOS管M7均为NMOS场效应管。5.如权利要求1所述高精度快速响应型电流放...

【专利技术属性】
技术研发人员：何孝起，
申请(专利权)人：上海兴赛电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：