一种基于CMOS求和比较器电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种基于CMOS求和比较器电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2，第二级放大电路包括运算放大器I1，第三级放大电路包括NMOS管M7。整体电路结构简单，省略了误差放大器，从而提高了输出信号的速度和精度，减小了芯片的面积，降低了制作成本，有利于系统集成。有利于系统集成。有利于系统集成。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS求和比较器电路


[0001]本技术涉及开关电源
，特别涉及一种基于CMOS求和比较器电路。

技术介绍

[0002]开关电源控制技术主要有三种：1)脉冲宽度调制(PWM)；2)脉冲频率调制(PFM)；3)脉冲宽度频率调制(PWM
‑
PFM)。
[0003]其中PWM是目前应用在开关电源中最为广泛的一种控制方式，它的特点是噪音低、满负载时效率高且能工作在连续导电模式，现在市场上有多款性能好、价格低的PWM集成芯片，如UCl842/2842/3842、TDAl6846、TL494、SGl525/2525/3525等；PFM具有静态功耗小的优点。
[0004]但是开关电源的控制电路仍存在着以下问题：1)电路结构复杂，集成芯片面积较大，开发成本较高；2)为了提高输出信号的精度，采用误差放大器，但相应地，减慢了输出信号的速度。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中指出的问题，本技术提出一种基于CMOS求和比较器电路。
[0006]一种基于CMOS求和比较器电路，其包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，所述第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2；所述PMOS管M14的漏极、所述PMOS管M16的漏极和所述PMOS管M18的漏极三者均连接在NMOS管M5的源极，所述NMOS管M5的漏极连接有线性电阻R1；所述PMOS管M15的漏极、所述PMOS管M17的漏极和所述PMOS管M19的漏极三者均连接在NMOS管M6的源极，所述NMOS管M6的漏极连接有线性电阻R2；所述第二级放大电路包括运算放大器I1，所述运算放大器I1的同相输入端连接在所述NMOS管M6的漏极和所述线性电阻R2之间，所述第三级放大电路包括NMOS管M7，所述NMOS管M7的栅极与所述运算放大器I1的输出端相连接，所述NMOS管M7的漏极连接在PMOS管M13的漏极。
[0007]根据本技术的一个实施例，所述PMOS管M14的栅极连接有第一正输入信号，所述PMOS管M15的栅极连接有第一负输入信号，所述PMOS管M14的源极与所述PMOS管M15的源极相连接且连接有PMOS管M9的漏极，所述PMOS管M16的栅极连接有第二正输入信号，所述PMOS管M17的栅极连接有第二负输入信号，所述PMOS管M16的源极与所述PMOS管M17的源极相连接且连接有PMOS管M10的漏极，所述PMOS管M18的栅极连接有第三正输入信号，所述PMOS管M19的栅极连接有第三负输入信号，所述PMOS管M18的源极与所述PMOS管M19的源极相连接且连接有PMOS管M11的漏极。
[0008]根据本技术的一个实施例，所述线性电阻R1和所述线性电阻R2之间相连接且连接有三极管Q1的发射极和基极。
[0009]根据本技术的一个实施例，所述NMOS管M5的漏极连接有PMOS管M21的栅极，所述PMOS管M21的漏极连接有NMOS管M4的漏极，所述NMOS管M6的漏极连接有PMOS管M20的栅
极，所述PMOS管M20的漏极连接有NMOS管M3的漏极，所述PMOS管M20的源极和所述PMOS管M21的源极相连接且连接有PMOS管M12，所述NMOS管M3的源极和所述NMOS管M4的源极相连接，所述NMOS管M3的栅极和所述NMOS管M4的栅极相连接且连接有三极管Q0的发射极，所述三极管Q0的集电极连接有接地端GND，所述三极管Q0的基极连接在所述PMOS管M21的漏极和所述NMOS管M4的漏极之间，所述三极管Q0的基极与所述运算放大器I1的反向输入端相连接。
[0010]根据本技术的一个实施例，所述NMOS管M7的漏极连接有推挽反相器，所述推挽反相器包括PMOS管M22、NMOS管M23、NMOS管M24和PMOS管M25。
[0011]综上所述，本技术的有益效果为：
[0012]1.通过设置了PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19，可以将各自的输入电压转换为相应的电流，再分别求和合并成电流i1和电流i2，在线性电阻R1和线性电阻R2的作用下，电流i1和电流i2之间的差值与线性电阻R1和线性电阻R2的电压差值具有很好的线性关系，保证这个电压差值能够线性的反映电流差值，同时保证谐波补偿和PWM调制不失真传递，这个电压差值再通过运算放大器I1放大比较后输出稳定的控制信号，由这个控制信号控制功率管的状态，调节占空比；
[0013]2.整体电路结构简单，省略了误差放大器，从而提高了输出信号的速度和精度，减小了芯片的面积，降低了制作成本，有利于系统集成。
附图说明
[0014]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本技术实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
[0016]请参阅图1。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本专利技术可实施的范畴。
[0017]首先说明一下本技术的设计初衷：目前的开关电源的控制电路存在着电路结构复杂、输出信号精度低、速率慢等问题，为了解决上述问题，本技术提供了一种基于CMOS求和比较器电路的具体实施方式。
[0018]一种基于CMOS求和比较器电路，如图1所示，电路的元器件包括有NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M2、NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M23、NMOS管M24、PMOS管M8、PMOS管M9、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、PMOS管M20、PMOS管M21、PMOS管M22、
PMOS管M25、PMOS管M26、运算放大器I1、三极管Q0、三极管Q1、线性电阻R1和线性电阻R2。
[0019]基于CMO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS求和比较器电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2；所述PMOS管M14的漏极、所述PMOS管M16的漏极和所述PMOS管M18的漏极三者均连接在NMOS管M5的源极，所述NMOS管M5的漏极连接有线性电阻R1；所述PMOS管M15的漏极、所述PMOS管M17的漏极和所述PMOS管M19的漏极三者均连接在NMOS管M6的源极，所述NMOS管M6的漏极连接有线性电阻R2；所述第二级放大电路包括运算放大器I1，所述运算放大器I1的同相输入端连接在所述NMOS管M6的漏极和所述线性电阻R2之间；所述第三级放大电路包括NMOS管M7，所述NMOS管M7的栅极与所述运算放大器I1的输出端相连接，所述NMOS管M7的漏极连接在PMOS管M13的漏极。2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS求和比较器电路，其特征在于，所述PMOS管M14的栅极连接有第一正输入信号，所述PMOS管M15的栅极连接有第一负输入信号，所述PMOS管M14的源极与所述PMOS管M15的源极相连接且连接有PMOS管M9的漏极；所述PMOS管M16的栅极连接有第二正输入信号，所述PMOS管M17的栅极连接有第二负输入信号，所述PMOS管M16的源极与所述PMOS管M17的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：何孝起，
申请(专利权)人：上海兴赛电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：