一种基于CMOS求和比较器电路制造技术

本实用新型专利技术提出了一种基于CMOS求和比较器电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2，第二级放大电路包括运算放大器I1，第三级放大电路包括NMOS管M7。整体电路结构简单，省略了误差放大器，从而提高了输出信号的速度和精度，减小了芯片的面积，降低了制作成本，有利于系统集成。有利于系统集成。有利于系统集成。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS求和比较器电路


[0001]本技术涉及开关电源
，特别涉及一种基于CMOS求和比较器电路。

技术介绍

[0002]开关电源控制技术主要有三种：1)脉冲宽度调制(PWM)；2)脉冲频率调制(PFM)；3)脉冲宽度频率调制(PWM
‑
PFM)。
[0003]其中PWM是目前应用在开关电源中最为广泛的一种控制方式，它的特点是噪音低、满负载时效率高且能工作在连续导电模式，现在市场上有多款性能好、价格低的PWM集成芯片，如UCl842/2842/3842、TDAl6846、TL494、SGl525/2525/3525等；PFM具有静态功耗小的优点。
[0004]但是开关电源的控制电路仍存在着以下问题：1)电路结构复杂，集成芯片面积较大，开发成本较高；2)为了提高输出信号的精度，采用误差放大器，但相应地，减慢了输出信号的速度。

技术实现思路

[0005]针对
技术介绍
中指出的问题，本技术提出一种基于CMOS求和比较器电路。
[0006]一种基于CMOS求和比较器电路，其包括第一级放大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS求和比较器电路，包括第一级放大电路、第二级放大电路和第三级放大电路，其特征在于，所述第一级放大电路包括PMOS管M14、PMOS管M15、PMOS管M16、PMOS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M5、NMOS管M6、线性电阻R1和线性电阻R2；所述PMOS管M14的漏极、所述PMOS管M16的漏极和所述PMOS管M18的漏极三者均连接在NMOS管M5的源极，所述NMOS管M5的漏极连接有线性电阻R1；所述PMOS管M15的漏极、所述PMOS管M17的漏极和所述PMOS管M19的漏极三者均连接在NMOS管M6的源极，所述NMOS管M6的漏极连接有线性电阻R2；所述第二级放大电路包括运算放大器I1，所述运算放大器I1的同相输入端连接在所述NMOS管M6的漏极和所述线性电阻R2之间；所述第三级放大电路包括NMOS管M7，所述NMOS管M7的栅极与所述运算放大器I1的输出端相连接，所述NMOS管M7的漏极连接在PMOS管M13的漏极。2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS求和比较器电路，其特征在于，所述PMOS管M14的栅极连接有第一正输入信号，所述PMOS管M15的栅极连接有第一负输入信号，所述PMOS管M14的源极与所述PMOS管M15的源极相连接且连接有PMOS管M9的漏极；所述PMOS管M16的栅极连接有第二正输入信号，所述PMOS管M17的栅极连接有第二负输入信号，所述PMOS管M16的源极与所述PMOS管M17的源...

【专利技术属性】
技术研发人员：何孝起，
申请(专利权)人：上海兴赛电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：