一种发光芯片和发光装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种发光芯片和发光装置。发光芯片包括外延层，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，设于第一半导体层上；第二电极，设于第二半导体层上，第二电极包括起始部、至少两个互不交叉的延伸支路以及至少两个末端部，延伸支路向靠近第一电极的一侧延伸，起始部位于延伸支路远离第一电极的一侧，每个末端部设于一个延伸支路靠近第一电极的一端；末端部向设有其的延伸支路的旁侧延伸。一些实施过程中将从第二电极中的电流打散，电流分散到至少两个支路上，改善第二电极末端电流分布集中的情况，利于电荷的均匀分布，提升发光芯片的抗静电能力。提升发光芯片的抗静电能力。提升发光芯片的抗静电能力。

【技术实现步骤摘要】
一种发光芯片和发光装置


[0001]本技术涉及发光芯片领域，尤其涉及一种发光芯片和发光装置。

技术介绍

[0002]随着近年来显示技术的不断发展，为了实现更高的显示分辨率，达到更好的显示效果，例如Micro LED(Micro Light Emitting Diode，微型发光二极管)芯片、Mini LED(Mini Light Emitting Diode，次毫米发光二极管)芯片等发光芯片的尺寸和间距都在尽可能的缩小。然而，在发光芯片的尺寸缩小的同时，发光芯片的抗静电能力会下降，导致产品的稳定性和品质难以保证。
[0003]因此，如何提高发光芯片的抗静电能力是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种发光芯片和发光装置，旨在解决发光芯片的抗静电能力低的问题。
[0005]一种发光芯片，包括：外延层，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；
[0006]第一电极，设于所述第一半导体层上；
[0007]第二电极，设于所述第二半导体层上，所述第二电极包括起始部、至少两个互不交叉的延伸支路以及至少两个末端部，所述延伸支路向靠近所述第一电极的一侧延伸，所述起始部位于所述延伸支路远离所述第一电极的一侧，每个所述末端部设于一个所述延伸支路靠近所述第一电极的一端；所述末端部向设有其的所述延伸支路的旁侧延伸。
[0008]上述发光芯片，通过不止一个的延伸支路和向旁侧延伸的末端部，将从第二电极中的电流通过分出支路的方式进行打散，电流分散到至少两个支路上，改善第二电极末端电流分布集中的情况，更利于电荷的均匀分布，提升发光芯片的抗静电能力，并且在一些实施过程中，向旁侧延伸的末端部也利于增加第二电极的末端的面积，从而降低第二电极的末端的电流密度，也能够提升发光芯片的抗静电能力。
[0009]可选地，每个所述末端部上的各个区域与目标垂线之间的距离，自靠近电极连线的区域向远离所述电极连线的区域逐步增加；
[0010]所述电极连线为所述第一电极与所述第二电极的所述起始部的连线，所述目标垂线为穿过所述起始部的垂直于所述电极连线的直线。
[0011]上述设置有助于避免末端部的端部区域直接指向第一电极或过于靠近第一电极，从而导致电流在末端部的端部区域过于密集分布的情况发生，从而使发光芯片具有更好的抗静电能力。
[0012]可选地，所述第二电极上的各所述末端部整体分布于电极连线的两侧，所述电极连线为所述第一电极与所述第二电极的所述起始部的连线。
[0013]通过使得末端部分布在两侧，避免电流在电极连线上的电流集中分布的情况。
[0014]可选地，各所述末端部的整体分布关于所述电极连线对称。
[0015]对称分布的末端部，使得电流的分布分散更为均匀，发光芯片的抗静电效果更好。
[0016]可选地，所述末端部为劣弧形，所述劣弧形的凹侧朝向所述第一电极。
[0017]劣弧形的末端部也有助于避免末端部的端部区域直接指向第一电极或过于靠近第一电极，使发光芯片具有更好的抗静电能力。
[0018]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种发光装置，包括：
[0019]电路基板；
[0020]至少一颗发光芯片，所述发光芯片键合于所述电路基板的固晶区，所述发光芯片中的至少一颗为上述的发光芯片。
[0021]上述发光装置采用上述的发光芯片，具有较好的抗静电能力，稳定性和品质更好。
附图说明
[0022]图1为本技术实施例提供的发光芯片的截面结构示意图一；
[0023]图2为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图一；
[0024]图3为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图二；
[0025]图4为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图三；
[0026]图5为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图四；
[0027]图6为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图五；
[0028]图7为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图六；
[0029]图8为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图七；
[0030]图9为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图八；
[0031]图10为本技术实施例提供的发光芯片的第二电极结构示意图；
[0032]图11为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图九；
[0033]图12为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图十；
[0034]图13为本技术实施例提供的发光芯片的电极结构示意图十一；
[0035]图14为本技术实施例提供的发光芯片的截面结构示意图二；
[0036]附图标记说明：
[0037]1‑
第一电极；2
‑
第二电极；21
‑
起始部；22
‑
延伸支路；221
‑
第一延伸段；222
‑
第二延伸段；23
‑
末端部；24
‑
延伸干路；100
‑
外延层；101
‑
第一半导体层；102
‑
有源层；103
‑
第二半导体层；104
‑
绝缘层；105
‑
第一焊盘电极；106
‑
第二焊盘电极；A
‑
电极连线；B
‑
目标垂线。
具体实施方式
[0038]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0039]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0040]相关技术中，发光芯片的尺寸不断缩小，导致其抗静电能力下降。
[0041]基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
[0042]实施例：
[0043]本实施例提供一种发光芯片，请参见图1，发光芯片包括外延层100、第一电极1和第二电极2。外延层100依次包括第一半导体层101、有源层102和第二半导体层103，其中，第一电极1设于第一半导体层101上，第二电极2设于第二半导体层103上。
[0044]请参见图2，为了提升发光芯片的抗静电能力，第二电极2包括起始部21、至少两个互不交叉的延伸支路22以及至少两个末端部23，延伸支路22向靠近第一电极1的一侧延伸，起始部2本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光芯片，其特征在于，包括：外延层，依次包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一电极，设于所述第一半导体层上；第二电极，设于所述第二半导体层上，所述第二电极包括起始部、至少两个互不交叉的延伸支路以及至少两个末端部，所述延伸支路向靠近所述第一电极的一侧延伸，所述起始部位于所述延伸支路远离所述第一电极的一侧，每个所述末端部设于一个所述延伸支路靠近所述第一电极的一端；所述末端部向设有其的所述延伸支路的旁侧延伸。2.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第二电极还包括自所述起始部向靠近所述第一电极的一侧延伸的延伸干路；各所述延伸支路设于所述延伸干路的末端。3.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，每个所述末端部上的各个区域与目标垂线之间的距离，自靠近电极连线的区域向远离所述电极连线的区域逐步增加；所述电极连线为所述第一电极与所述第二电极的所述起始部的连线，所述目标垂线为穿过所述起始部的垂直于所述电极连线的直线。4.如权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，所述第二电极上的各所述末端部整体分布于电极连线的两侧，所述电极连线为所述第一电极与所述第二电极的所述起始部的连线。5.如权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，各所述末端部的整体分布关于所述电极连线对称。6.如权利要求1
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【专利技术属性】
技术研发人员：戴广超，马非凡，王子川，陈德伪，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：