一种GaN基发光二极管结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种GaN基发光二极管结构，该GaN基发光二极管结构，包括：n型半导体层，多个安装孔和N电极；多个安装孔沿所述n型半导体层的周向开设于所述n型半导体层上；至少部分所述N电极设置于所述安装孔内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，晶面表面为氮面。本申请中，包括多个沿所述n型半导体层的周向开设的安装孔，至少部分所述N电极设置于所述安装孔内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，能够增加N电极与n型半导体层的接触面积，且不会遮挡大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。能够保证亮度。能够保证亮度。

A GaN based LED structure

【技术实现步骤摘要】
一种GaN基发光二极管结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体涉及一种GaN基发光二极管结构。

技术介绍

[0002]如图1所示，现有的二极管结在衬底上依次设置有p型半导体层5、发光层4和n型半导体层3，在n型半导体层3上设置有N电极2。N电极2面积的大小影响器件的电压，为了降低电压现有技术需要增大N电极2的面积，增大N电极2的面积就会遮挡发光层4的光，会影响亮度。

技术实现思路

[0003](一)本专利技术所要解决的技术问题之一是：现有增大N电极的面积会影响GaN基发光二极管结构的亮度问题。
[0004](二)技术方案
[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种GaN基发光二极管结构，包括：n型半导体层；
[0006]多个安装孔，多个安装孔沿所述n型半导体层的周向开设于所述n型半导体层上；
[0007]N电极，至少部分所述N电极设置于所述安装孔内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，晶面表面为氮面。
[0008]根据本专利技术的一个实施例，所述n型半导体层包括InGaN,AlGaN的任意成分组成。
[0009]根据本专利技术的一个实施例，所述N电极包括多个第一连接部和用于连接多个所述第一连接部的第二连接部，部分所述第一连接部设置于所述安装孔内，所述第二连接部设置于所述n型半导体层上。
[0010]根据本专利技术的一个实施例，所述第一连接部的形状与所述安装孔的形状匹配。
[0011]根据本专利技术的一个实施例，所述第一连接部的横截面为圆形，所述第二连接部的横截面为长方形。
[0012]根据本专利技术的一个实施例，所述第二连接部沿所述n型半导体层的宽度小于所述第一连接部的直径。
[0013]根据本专利技术的一个实施例，多个所述安装孔的深度不同。
[0014]根据本专利技术的一个实施例，所述安装孔沿所述n型半导体层的竖直方向设置。
[0015]根据本专利技术的一个实施例，所述安装孔的横截面为六边形或圆形。
[0016]本专利技术的有益效果：本申请提供的GaN基发光二极管结构中，包括多个沿所述n型半导体层的周向开设的安装孔，至少部分所述N电极设置于所述安装孔内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，晶面表面为氮面，能够增加N电极与n型半导体层的接触面积，且不会遮挡大量的发光活性层的面积，能够保证亮度。结合平面细小金属电极条连接，可以实现电流均匀分布。
附图说明
[0017]本专利技术上述和/或附加方面的优点从结合下面附图对实施例的描述中将变的明显和容易理解，其中：
[0018]图1为本专利技术
技术介绍
GaN基发光二极管结构的侧面结构示意图；
[0019]图2为本专利技术实施例一GaN基发光二极管结构的侧面结构示意图；
[0020]图3为本专利技术实施例一GaN基发光二极管结构中n型半导体层和N电极结构示意图；
[0021]图4为本专利技术实施例二GaN基发光二极管结构的侧面结构示意图。
[0022]附图标记如：
[0023]1‑
衬底；2
‑
N电极；3
‑
n型半导体层；4
‑
发光活性层；5
‑
p型半导体层；6
‑
第二连接部；7
‑
第一连接部。
具体实施方式
[0024]为了能够更清楚地理解本专利技术的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0025]实施例一
[0026]如图2和图3所示，本专利技术提供了一种GaN基发光二极管结构，包括：n型半导体层3，多个安装孔和N电极2；多个安装孔沿所述n型半导体层3的周向开设于所述n型半导体层3的表面层上；至少部分所述N电极2设置于所述安装孔内，且所述N电极2与所述n型半导体层3多晶面连接，晶面表面为氮面。
[0027]具体地，安装孔具有深度，N电极2与安装孔的底面和侧面连接，从而形成多晶面连接，使得N电极2不仅可以在安装孔的深度方向同时可以在n型半导体层3的水平方向与n型半导体层3多晶面连接，相比仅仅增加N电极2的面积，不会遮挡大量的发光活性层4的面积，能够保证亮度。设置多个安装孔能够增加N电极2与所述n型半导体层3的接触面积。
[0028]需要说明的是，通过刻蚀挖安装孔，形成多个具有深度的安装孔，露出n
‑
GaN不同角度的氮面。
[0029]根据本专利技术的一个实施例，所述n型半导体层包括InGaN,AlGaN的任意成分组成。
[0030]根据本专利技术的一个实施例，所述N电极2包括多个第一连接部7和用于连接多个所述第一连接部7的第二连接部6，部分所述第一连接部7设置于所述安装孔内，所述第二连接部6设置于所述n型半导体层3上。
[0031]具体地，第一连接部7为圆形，第二连接部6为条形，第一连接部7的底部设置于安装孔内，第二连接部6用于依次连接多个第一连接部7，第二连接部6与多个第一连接部7围合形成方框形。
[0032]根据本专利技术的一个实施例，所述第一连接部7的形状与所述安装孔的形状匹配。
[0033]具体地，本申请中，第一连接部7的横截面和第一通孔的横截面均为圆形。
[0034]根据本专利技术的一个实施例，所述第一连接部7的横截面为圆形，所述第二连接部6的横截面为长方形。
[0035]具体地，第一连接部7为圆形，能够增加N电极2与所述n型半导体层3的接触面积。
[0036]根据本专利技术的一个实施例，所述第二连接部6沿所述n型半导体层3的宽度小于所
述第一连接部7的直径。
[0037]具体地，第二连接部6沿所述n型半导体层3的宽度小于所述第一连接部7的直径，能够防止第二连接部6遮挡发光活性层4的光，更好的保证亮度。
[0038]根据本专利技术的一个实施例，所述安装孔沿所述n型半导体层3的竖直方向设置。
[0039]具体地，安装孔沿所述n型半导体层3的竖直方向设置便于加工。
[0040]根据本专利技术的一个实施例，所述安装孔的横截面为六边形或圆形。
[0041]具体地，安装孔的横截面为六边形时能够增加N电极2与所述n型半导体层3的接触面积。
[0042]所述GaN基发光二极管结构还包括p型半导体层5，所述p型半导体层5设置于所述衬底1与所述n型半导体层3之间。所述衬底1的材质为蓝宝石。
[0043]实施例二
[0044]如图4所示，根据本专利技术的一个实施例，多个所述安装孔的深度不同。设置多个安装孔且多个所述安装孔的深度不同能够增加N电极2与所述n型半导体层3的接触面积。
[0045]需要说明的是，通过刻蚀挖安装孔，形成多个具有深度的安装孔，露出n
‑
GaN不同角度的氮面。
[0046]本申请提供的GaN基发光二极管结构使用时，常规的N电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN基发光二极管结构，其特征在于，包括：n型半导体层；多个安装孔，多个安装孔沿所述n型半导体层的周向开设于所述n型半导体层上；N电极，至少部分所述N电极设置于所述安装孔内，且所述N电极与所述n型半导体层多晶面连接，晶面表面为氮面。2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管结构，其特征在于：所述n型半导体层包括InGaN,AlGaN的任意成分组成。3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管结构，其特征在于：所述N电极包括多个第一连接部和用于连接多个所述第一连接部的第二连接部，部分所述第一连接部设置于所述安装孔内，所述第二连接部设置于所述n型半导体层上。4.根据权利要求3所述的GaN基发光二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：阚钦，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：