发光元件制造技术

本发明专利技术公开一种发光元件，包含：一半导体叠层，包含一第一半导体层、一第二半导体层、一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，以及一侧壁；一绝缘层，覆盖侧壁，且绝缘层围绕半导体叠层；以及一第一电极，对应位于绝缘层上并围绕半导体叠层。上并围绕半导体叠层。上并围绕半导体叠层。

【技术实现步骤摘要】
发光元件


[0001]本专利技术涉及一种发光元件，更详言之，是涉及一种具有提升发光效率的发光元件。

技术介绍

[0002]固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。
[0003]现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，当发光二极管的尺寸缩小时，如何减少非辐射复合而提升其光电特性，为本
人员所研究开发的目标之一。

技术实现思路

[0004]一种发光元件，包含：一半导体叠层，包含一第一半导体层、一第二半导体层、一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，以及一侧壁；一绝缘层，覆盖侧壁，且绝缘层围绕半导体叠层；以及一第一电极，对应本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、第二半导体层、活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，以及侧壁；绝缘层，覆盖该侧壁，且该绝缘层围绕该半导体叠层；以及第一电极，对应位于该绝缘层上并围绕该半导体叠层。2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极电连接该第一半导体层。3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极包含第一电极垫以及第一延伸电极连接该第一电极垫，该第一延伸电极对应位于该绝缘层上并围绕该半导体叠层。4.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二电极电连接该第二半导体层。5.如权利要求1所述的发光元件，其中该侧壁包含该第一半导体层的侧壁、该第二半导体层的侧壁以及该活性层的侧壁，其中该第一电极及该绝缘层覆盖该第二半导体层的该侧壁。6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹文明，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：