本发明专利技术公开一种发光元件，包含：一半导体叠层，包含一第一半导体层、一第二半导体层、一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，以及一侧壁；一绝缘层，覆盖侧壁，且绝缘层围绕半导体叠层；以及一第一电极，对应位于绝缘层上并围绕半导体叠层。上并围绕半导体叠层。上并围绕半导体叠层。
【技术实现步骤摘要】
发光元件
[0001]本专利技术涉及一种发光元件，更详言之，是涉及一种具有提升发光效率的发光元件。
技术介绍
[0002]固态发光元件中的发光二极管(LEDs)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。
[0003]现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及一p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，当发光二极管的尺寸缩小时，如何减少非辐射复合而提升其光电特性，为本
人员所研究开发的目标之一。
技术实现思路
[0004]一种发光元件，包含：一半导体叠层，包含一第一半导体层、一第二半导体层、一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，以及一侧壁；一绝缘层，覆盖侧壁，且绝缘层围绕半导体叠层；以及一第一电极，对应位于绝缘层上并围绕半导体叠层。
附图说明
[0005]图1为本专利技术一实施例发光元件1的上视图；
[0006]图2为本专利技术一实施例发光元件1的截面图；
[0007]图3为本专利技术另一实施例发光元件2的截面图；
[0008]图4为本专利技术另一实施例发光元件3的上视图；
[0009]图5为本专利技术另一实施例发光元件4的上视图；
[0010]图6为本专利技术另一实施例发光元件4的截面图；
[0011]图7A为本专利技术一显示装置101的上视示意图；
[0012]图7B为图7A中一个像素PX的截面示意图。
[0013]符号说明
[0014]1、2、3、4
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发光元件
[0015]8a、8b
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电路接合垫
[0016]20
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第一电极
[0017]201
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第一电极垫
[0018]202
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第一延伸电极
[0019]203
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延伸电极
[0020]30
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第二电极
[0021]12
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半导体叠层
[0022]12a
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半导体叠层侧壁
[0023]121
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第一半导体层
[0024]121a
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第一半导体层上表面
[0025]121b
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第一半导体层上表面
[0026]122
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第二半导体层
[0027]122a
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第二半导体层上表面
[0028]123
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活性层
[0029]101
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显示装置
[0030]110
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电路层
[0031]200
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显示基板
[0032]40
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第三电极垫
[0033]401
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连接电极
[0034]50
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绝缘层
[0035]501、502
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开口
[0036]L
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长度
[0037]PX
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像素
[0038]PX_A、PX_B、PX_C 子像素
具体实施方式
[0039]下文中，将参照图示详细地描述本专利技术的示例性实施例，以使得本专利
技术人员能够充分地理解本专利技术的精神。本专利技术并不限于以下的实施例，而是可以以其他形式实施。在本说明书中，有一些相同的符号，其表示具有相同或是类似的结构、功能、原理的元件，且为业界具有一般知识能力者可以依据本说明书的教导而推知。为说明书的简洁度考虑，相同的符号的元件将不再重述。
[0040]图1显示本专利技术一实施例发光元件1的上视图。图2显示图1中沿AA
’
线段的截面图。
[0041]如图1及图2所示，发光元件1包含半导体叠层12、绝缘层50、第一电极20以及第二电极30。半导体叠层12由下往上依序包含一第一半导体层121、一活性层123和一第二半导体层122。绝缘层50覆盖半导体叠层侧壁12a，第一电极20形成于绝缘层50上及第一半导体层121上，与第一半导体层121电连接。第二电极30形成于第二半导体层122上，与第二半导体层122电连接。
[0042]在本专利技术的一实施例中，半导体叠层12是通过有机金属化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延法(MBE)、氢化物气相外延(HVPE)或离子镀，例如溅镀或蒸镀等方法形成于一成长基板(图未示)上，在后续制作工艺中或制作工艺完成后再利用蚀刻或是激光剥离等方法将成长基板移除形成发光元件1，更可进一步将发光元件1固定于一载板(图未示)上。
[0043]半导体叠层12包含缓冲结构(图未示)、第一半导体层121、活性层123和第二半导体层122。缓冲结构、第一半导体层121、活性层123和第二半本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，其特征在于，包含：半导体叠层，包含第一半导体层、第二半导体层、活性层位于该第一半导体层及该第二半导体层之间，以及侧壁；绝缘层，覆盖该侧壁，且该绝缘层围绕该半导体叠层；以及第一电极，对应位于该绝缘层上并围绕该半导体叠层。2.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极电连接该第一半导体层。3.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一电极包含第一电极垫以及第一延伸电极连接该第一电极垫，该第一延伸电极对应位于该绝缘层上并围绕该半导体叠层。4.如权利要求1所述的发光元件，还包含第二电极电连接该第二半导体层。5.如权利要求1所述的发光元件，其中该侧壁包含该第一半导体层的侧壁、该第二半导体层的侧壁以及该活性层的侧壁，其中该第一电极及该绝缘层覆盖该第二半导体层的该侧壁。6.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹文明，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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