一种微显示发光模组制造技术

本实用新型专利技术公开了一种微显示发光模组，包括透明基膜和发光单元，透明基膜包括第一表面和第二表面，透明基膜上设置有贯穿第一表面和第二表面上的通孔；发光单元上设置有第一导电柱和第二导电柱，第一导电柱和第二导电柱从透明基膜的第一表面贯穿至第二表面；第一导电柱包括第一导电块和第二导电块；第二导电柱包括第一导电块和第二导电块；第一导电柱和第二导电柱的第二导电块与透明基膜的第二表面相接触，使无机发光单元固定在透明基膜上。本实用新型专利技术避免了发光单元转移后的焊接问题，便于微显示面板电路引线的定制，实现无机发光二极管在柔性显示的应用。在柔性显示的应用。在柔性显示的应用。

A micro display luminous module

【技术实现步骤摘要】
一种微显示发光模组


[0001]本技术涉及一种发光模组，特别涉及一种微显示发光模组。

技术介绍

[0002]LED发光模组是LED产品中应用比较广的产品，在结构方面和电子方面也存在很大的差异，简单的就是用一个装有LED的线路板和外壳就成了一个LED模组，复杂的就加上一些控制，恒流源和相关的散热处理使LED寿命和发光强度更好。LED背光模组主要系提供液晶面板一平均、高亮度的光源。
[0003]当前近场显示技术主流是LCD和OLED技术，在以手机应用显示屏为代表的小尺寸市场，OLED技术发展很快，但在以LCD为主的50
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65"中大尺寸、100"以上大尺寸市场，OLED因蓝光光点寿命和总体成本问题，进入市场仍存在很多障碍。另外，OLED在高PPI（>1000）时对工艺设备要求大幅提高，目前还很难突破。LCD作为液晶被动显示的技术，在显示效果、如亮度、刷新率、可视角度等方面都有缺陷，且液晶需要玻璃面板的保护，大尺寸均匀的玻璃面板仍是行业需要攻克的难题。
[0004]远场显示方面主要以LED和DLP两大技术为主；DLP技术因对比度差，寿命及维护成本高等缺点，同时市场潜力一直受到其他显示技术发展的限制。而LED显示技术，最早应用在户外显示领域。在无机化合物半导体材料技术的发展助推下和LED芯片工艺的进步，户内显示及小间距超高清显示正在被市场大规模的应用。LED行业遵照海兹定律，芯片效率提升及微小化进程，使Mini/micro LED显示技术正成为未来新型显示领域的趋势。Micro LED主要通过将传统LED芯片的微缩制程技术进行微缩化、阵列化，然后通过巨量转移技术将晶体薄膜批量转移到电路板上，其中关键核心的技术是巨量转移技术，有磁性自组装、流体组装、打印压印和静电吸附等方式，但巨量转移后仍要进行焊接等工艺，传统的固晶转移后更是会涉及焊接因间距过小而导致一系列的焊接不良问题，导致产品的质量下降。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是克服现有技术缺陷，提供一种微显示发光模组，有效避免了转移后的焊接引起的不良，提高了产品的质量。
[0006]本技术的目的是这样实现的：一种微显示发光模组，包括透明基膜和发光单元，所述透明基膜包括第一表面和第二表面，所述透明基膜上设置有贯穿第一表面和第二表面上的通孔；所述发光单元上设置有第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱和第二导电柱从透明基膜的第一表面贯穿至第二表面；所述第一导电柱包括第一导电块和第二导电块；所述第二导电柱包括第一导电块和第二导电块；所述第一导电柱和第二导电柱的第二导电块与透明基膜的第二表面相接触，使无机发光单元固定在透明基膜上。
[0007]进一步的，所述第一导电柱和第二导电柱的第一导电块由透明基膜的第二表面贯穿透明基膜的第一表面的一侧与发光单元接触，所述第一导电柱和第二导电柱的第二导电块位于透明基膜的第二表面的一侧；所述第二导电块靠近第一导电块一侧有部分与透明基
膜的第二表面接触。
[0008]进一步的，所述第二导电块的边缘与透明基膜第二表面接触距离通孔距离为5~15微米。
[0009]进一步的，所述第一导电柱和第二导电柱相对于发光单元中心对称，所述第一导电柱和第二导电柱之间的距离大于5微米。
[0010]进一步的，所述透明基膜为有机材料薄膜，所述有机薄膜的厚度为4
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50微米。
[0011]进一步的，所述发光单元为发光波长400
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650nm的氮化物发光芯片，芯片边长尺寸为50
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260微米。
[0012]进一步的，所述透明基膜上设置有贯穿第一表面和第二表面上的通孔为第一导电柱和第二导电柱共用的一个胶囊形通孔。
[0013]进一步的，所述透明基膜上设置有贯穿第一表面和第二表面上的通孔为第一导电柱和第二导电柱各自独用的两个圆形通孔。
[0014]本技术采用以上技术方案，与现有技术相比，有益效果为：通过超声热压使发光单元的第一导电柱和第二导电柱形成第一导电块和第二导电块，通过第二导电块与透明基板的第二表面相接触，使发光单元很好的固定在了透明基板上，避免了发光单元转移后的焊接问题，便于微显示面板电路引线的定制，实现无机发光二极管在柔性显示的应用。
附图说明
[0015]图1本技术发光单元基础结构的剖面图。
[0016]图2本技术发光单元的结构剖面图。
[0017]图3本技术实施例一的透明基膜的第一表面俯视图。
[0018]图4本技术实施例一AA'的剖面示意图。
[0019]图5本技术实施例一超声热压后AA'的剖面示意图。
[0020]图6本技术实施例一aa'的剖面示意图。
[0021]图7本技术实施例一bb'的剖面示意图。
[0022]图8本技术实施例二透明基膜的第一表面俯视图。
[0023]图9本技术实施例二AA'的剖面示意图。
[0024]图10本技术实施例二超声热压后AA'的剖面示意图。
[0025]图11本技术实施例二透明基膜的第二表面俯视图。
[0026]图12本技术另外一种形状的第二导电块剖面示意图。
[0027]其中，000透明衬底，001透明基膜，100第一半导体层，200发光层，300第二半导体层，101第一导电柱，101a第一导电块，101b第二导电块，102第二导电柱，102a第一导电块，102b第二导电块，301光学导电层，302介质层。
具体实施方式
[0028]如图1所示的无机发光单元包括透明衬底000，依次是第一半导体层100，发光层200，第二半导体层300，第一半导体层100为氮化物N型掺杂的半导体功能层，发光层200仍为氮化物多量子阱结构，第二半导体层300为氮化物P型掺杂的半导体功能层，以上各层均由化学气相沉积得到，根据以上材料制成无机发光单元如图2所示，图中芯片剖面底边长度
L为250微米，光学导电层301可以是具有透明导电薄膜也可以是具有反射性的金属层，介质层302是具有光学调制的介质叠层，用于隔离绝缘，图中第一导电柱101和第一半导体层100电连接，第二导电柱102和第二半导体层300电连接。第一导电柱101和第二导电柱102，以及导电柱的第一导电块和第二导电块均为莫氏硬度小于3.5的金属，更优的是金含0.5~5%和银含95%~99.5%的金银合金或金含70%~99%锡含1%~30%的金锡合金。
[0029]实施例一：如图3所示，一张具有胶囊型通孔P的透明基膜001，图中标注了无机发光单元C和通孔P的相对位置，无机发光单元C反扣至透明基膜001，AA'为沿无机发光单元长边方向，定义aa'为沿无机发光单元第一导电柱101中心方向，bb'为沿无机发光单元第二导电柱102中心方向。
[0030]如图4所示，一种微显示发光模组，包括透明基膜001和发光单元C，透明基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微显示发光模组，其特征在于，包括透明基膜和发光单元，所述透明基膜包括第一表面和第二表面，所述透明基膜上设置有贯穿第一表面和第二表面上的通孔；所述发光单元上设置有第一导电柱和第二导电柱，所述第一导电柱和第二导电柱从透明基膜的第一表面贯穿至第二表面；所述第一导电柱包括第一导电块和第二导电块；所述第二导电柱包括第一导电块和第二导电块；所述第一导电柱和第二导电柱的第二导电块与透明基膜的第二表面相接触，使无机发光单元固定在透明基膜上。2.根据权利要求1所述的一种微显示发光模组，其特征在于，所述第一导电柱和第二导电柱的第一导电块由透明基膜的第二表面贯穿透明基膜的第一表面的一侧与发光单元接触，所述第一导电柱和第二导电柱的第二导电块位于透明基膜的第二表面的一侧；所述第二导电块靠近第一导电块一侧有部分与透明基膜的第二表面接触。3.根据权利要求2所述的一种微显示发光模组，其特征在于，所述第二导电块的边缘与透明基膜第二表面接触距离通孔距离...

【专利技术属性】
技术研发人员：金豫浙，傅春花，张海燕，
申请(专利权)人：扬州大学广陵学院，
类型：新型
国别省市：