一种倒装LED芯片及显示面板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装LED芯片及显示面板，在倒装LED芯片中，在P电极与P型半导体层之间设置有欧姆接触层，利用欧姆接触层可以实现P电极与P型半导体层之间的欧姆接触，提升倒装LED芯片将电能转换为光能的效率。同时，由于欧姆接触层包括两层透明导电层与一层夹在透明导电层间的金属反射层，利用透明导电层可以实现电流横向扩散，提升外延层出光的均匀性；夹设在两层透明导电层之间的金属反射层不仅电阻率低，可提升欧姆接触效果，而且因为其对外延层发出的光具有反射作用，可以阻止外延层的光从电极设置面一侧射出，减少了光从电极设置面所在的一侧射出造成的损耗，提升了倒装LED芯片的出光效率。芯片的出光效率。芯片的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及显示面板


[0001]本技术涉及LED(Light
‑
Emitting Diode，发光二极管)
，尤其涉及一种倒装LED芯片及显示面板。

技术介绍

[0002]作为一种发光器件，LED能够高效率地将电能转换为光能，可以显著降低能量转换过程中的损失，节能环保。同时，LED还有响应速度快、寿命长等优点，由于这些优越的性能，目前LED已经在照明、显示等领域得到了非常广泛的应用，尤其是在显示领域中，LED不断地更新迭代，现在即将进入Mini
‑
LED(迷你LED)时代，未来还有Micro
‑
LED(微LED)时代、OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)时代等。
[0003]不过，目前LED芯片的出光效率不高，导致基于LED芯片制备得到的显示面板显示效果欠佳。因此，如何提升LED芯片的出光效率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延层，包括依次设置的N型半导体层、有源层与P型半导体层；设于所述外延层远离所述N型半导体层一侧的欧姆接触层；与所述N型半导体层电连接的N电极；以及通过所述欧姆接触层与所述P型半导体层电连接的P电极；其中，所述欧姆接触层包括两层透明导电层以及夹在两所述透明导电层之间的金属反射层，所述金属反射层被配置为阻止所述外延层发出的光从所述P电极所在的一侧射出。2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层。3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层包括Au层、Ag层、Al层以及Ti层中的至少一个。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层包覆所述外延层的侧面，并覆盖所述外延层的电极设置面上除电极设置区以外的区域，所述电极设置面为所述外延层上电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟先华，张彬彬，肖峰，王鹏鹏，苏财钰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：