一种倒装LED芯片及显示面板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种倒装LED芯片及显示面板，在倒装LED芯片中，在P电极与P型半导体层之间设置有欧姆接触层，利用欧姆接触层可以实现P电极与P型半导体层之间的欧姆接触，提升倒装LED芯片将电能转换为光能的效率。同时，由于欧姆接触层包括两层透明导电层与一层夹在透明导电层间的金属反射层，利用透明导电层可以实现电流横向扩散，提升外延层出光的均匀性；夹设在两层透明导电层之间的金属反射层不仅电阻率低，可提升欧姆接触效果，而且因为其对外延层发出的光具有反射作用，可以阻止外延层的光从电极设置面一侧射出，减少了光从电极设置面所在的一侧射出造成的损耗，提升了倒装LED芯片的出光效率。芯片的出光效率。芯片的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片及显示面板


[0001]本技术涉及LED(Light
‑
Emitting Diode，发光二极管)
，尤其涉及一种倒装LED芯片及显示面板。

技术介绍

[0002]作为一种发光器件，LED能够高效率地将电能转换为光能，可以显著降低能量转换过程中的损失，节能环保。同时，LED还有响应速度快、寿命长等优点，由于这些优越的性能，目前LED已经在照明、显示等领域得到了非常广泛的应用，尤其是在显示领域中，LED不断地更新迭代，现在即将进入Mini
‑
LED(迷你LED)时代，未来还有Micro
‑
LED(微LED)时代、OLED(Organic Light
‑
Emitting Diode，有机发光二极管)时代等。
[0003]不过，目前LED芯片的出光效率不高，导致基于LED芯片制备得到的显示面板显示效果欠佳。因此，如何提升LED芯片的出光效率是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种倒装LED芯片及显示面板，旨在解决LED芯片出光效率低的问题。
[0005]本申请提供一种倒装LED芯片，包括：
[0006]外延层，包括依次设置的N型半导体层、有源层与P型半导体层；
[0007]设于外延层远离N型半导体层一侧的欧姆接触层；
[0008]与N型半导体层电连接的N电极；以及
[0009]通过欧姆接触层与P型半导体层电连接的P电极；
[0010]其中，欧姆接触层包括两层透明导电层以及夹在两透明导电层之间的金属反射层，金属反射层被配置为阻止外延层发出的光从P电极所在的一侧射出。
[0011]上述倒装LED芯片中，在P电极与P型半导体层之间设置有欧姆接触层，利用欧姆接触层可以实现P电极与P型半导体层之间的欧姆接触，提升倒装LED芯片将电能转换为光能的效率。同时，由于欧姆接触层包括两层透明导电层与一层夹在透明导电层间的金属反射层，利用透明导电层可以实现电流横向扩散，提升外延层出光的均匀性；夹设在两层透明导电层之间的金属反射层不仅电阻率低，可提升欧姆接触效果，而且因为其对外延层发出的光具有反射作用，可以阻止外延层的光从电极设置面一侧射出，减少了光从电极设置面所在的一侧射出造成的损耗，提升了倒装LED芯片的出光效率。
[0012]可选地，透明导电层包括ITO层。
[0013]上述倒装LED芯片中设置了ITO层作为透明导电层，ITO层具有硬度高、电子传导率高、光学吸收系数低等优点，能够提升倒装LED芯片的内量子效率与外量子效率。
[0014]可选地，金属反射层包括Au层、Ag层、Al层以及Ti层中的至少一个。
[0015]上述倒装LED芯片中金属反射层包括Au层、Ag层、Al层以及Ti层中的至少一个，这些层结构电阻率低，且反射性能优秀，可以在提升P电极与P型半导体层间欧姆接触效果，提
升外延层内量子效率的同时，减少光的无谓损耗，提升倒装LED芯片的外量子效率。
[0016]可选地，倒装LED芯片还包括钝化层，钝化层包覆外延层的侧面，并覆盖外延层的电极设置面上除电极设置区以外的区域，电极设置面为外延层上电极所在一侧的表面。
[0017]上述倒装LED芯片中设置有钝化层，钝化层包覆了外延层的侧面以及电极设置面上的部分区域，钝化层可以隔绝外部水氧对外延层的侵蚀，提升外延层的可靠性，同时，钝化层还能对外延层与外部进行电气隔离，增强倒装LED芯片的品质。
[0018]可选地，钝化层包括氧化硅层。
[0019]可选地，钝化层还包括氧化铝层，氧化铝层包覆在氧化硅层外部。
[0020]上述倒装LED芯片的钝化层中除了包括氧化硅层以外，还包括包覆氧化硅层的氧化铝层，利用氧化铝层与氧化硅层形成了实现了双重钝化，提升了钝化效果。
[0021]可选地，钝化层位于外延层侧面的部分的外表面具有多个凹凸的粗化结构。
[0022]上述倒装LED芯片中，位于外延层侧面的钝化层的外表面设置有多个凹凸的粗化结构，利用粗化结构可以降低外延层内光发生全反射的概率，提升外延层的外量子效率与倒装LED芯片的出光效率。
[0023]可选地，倒装LED芯片还包括衬底层，衬底层设置于外延层远离欧姆接触层的一侧。
[0024]可选地，衬底层与外延层的界面具有凹凸图案。
[0025]上述倒装LED芯片的衬底与外延层的界面上具有凹凸图案，这样可以减少外延层中的位错密度，提升外延层的晶体质量，同时，凹凸图案也可减少外延层中光的全反射概率，进而提高倒装LED芯片的电气特性及光学特性。
[0026]基于同样的专利技术构思，本申请还提供一种显示面板，包括：
[0027]具有驱动电路的驱动背板，以及设置在驱动背板上并与驱动电路电连接的多颗发光芯片，其中，多颗发光芯片中的至少部分为上述任一项的倒装LED芯片。
[0028]上述显示面板中所包含的倒装LED芯片，在P电极与P型半导体层之间设置有欧姆接触层，利用欧姆接触层可以实现P电极与P型半导体层之间的欧姆接触，提升倒装LED芯片将电能转换为光能的效率。同时，由于欧姆接触层包括两层透明导电层与一层夹在透明导电层间的金属反射层，利用透明导电层可以实现电流横向扩散，提升外延层出光的均匀性；夹设在两层透明导电层之间的金属反射层不仅电阻率低，可提升欧姆接触效果，而且因为其对外延层发出的光具有反射作用，可以阻止外延层的光从电极设置面一侧射出，减少了光从电极设置面所在的一侧射出造成的损耗，提升了倒装LED芯片的出光效率，增强了显示面板的显示效果。
附图说明
[0029]图1为相关示例中提供的一种倒装Micro
‑
LED芯片的结构示意图；
[0030]图2为本技术一可选实施例中提供的第一种倒装LED芯片的结构示意图；
[0031]图3为图2中欧姆接触层的一种结构示意图；
[0032]图4为本技术一可选实施例中提供的第二种倒装LED芯片的结构示意图；
[0033]图5为本技术一可选实施例中提供的第三种倒装LED芯片的结构示意图；
[0034]图6为本技术一可选实施例中提供的第四种倒装LED芯片的结构示意图；
[0035]图7为本技术一可选实施例中提供的第五种倒装LED芯片的结构示意图；
[0036]图8为本技术一可选实施例中提供的第六种倒装LED芯片的结构示意图；
[0037]图9为本技术一可选实施例中提供的显示面板的一种结构示意图；
[0038]图10为本技术另一可选实施例中提供的倒装LED芯片的制备流程示意图；
[0039]图11为为本技术另一可选实施例中提供的倒装LED芯片的制程示意图。
[0040]附图标记说明：
[0041]10
‑
倒装Micro
‑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：外延层，包括依次设置的N型半导体层、有源层与P型半导体层；设于所述外延层远离所述N型半导体层一侧的欧姆接触层；与所述N型半导体层电连接的N电极；以及通过所述欧姆接触层与所述P型半导体层电连接的P电极；其中，所述欧姆接触层包括两层透明导电层以及夹在两所述透明导电层之间的金属反射层，所述金属反射层被配置为阻止所述外延层发出的光从所述P电极所在的一侧射出。2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述透明导电层包括ITO层。3.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述金属反射层包括Au层、Ag层、Al层以及Ti层中的至少一个。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的倒装LED芯片，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层包覆所述外延层的侧面，并覆盖所述外延层的电极设置面上除电极设置区以外的区域，所述电极设置面为所述外延层上电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟先华，张彬彬，肖峰，王鹏鹏，苏财钰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：