半导体装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开一种半导体装置，包含：一外延结构，包含一第一半导体结构具有一第一部分及一第二部分、一活性结构及一第二半导体结构位于该第二部分上；一第一电极，包含一第一表面位于该第一部分上及一第二表面位于该第二半导体结构上，且该第一表面及该第二表面具有一高度差为4μm至8μm；一第二电极，位于该第二半导体结构上；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第一部分之间。一电极与该第一部分之间。一电极与该第一部分之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本技术涉及一种半导体装置，尤其是涉及一种光电半导体装置。

技术介绍

[0002]光电半导体元件为可将光信号及电信号进行转换的元件，其可运用光子、电子的交互作用，达到吸收能量并激发辐射等机制。其中，属于光电半导体元件的发光二极管(light emitting diode,LED)因为具有体积小、用电省、亮度高、色彩饱和度高，可以调变出各种不同的色彩等优点，故常被使用于日常生活中的各种照明灯具、交通警告号志等。
[0003]然而，为了达到节能省电的需求，如何使光电半导体元件中的发光二极管可具有更好的出光效率，乃为此一业界亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半导体装置，以解决现有技术存在的问题。
[0005]为了达到上述目的，本技术提供一种半导体装置，其包含一外延结构，包含一第一半导体结构具有一第一部分及一第二部分、一活性结构及一第二半导体结构位于该第二部分上；一第一电极，包含一第一表面位于该第一部分上及一第二表面位于该第二半导体结构上，且该第一表面及该第二表面具有一高度差为4μm至8μm；一第二电极，位于该第二半导体结构上；以及一绝缘结构，位于该第一电极与该第一部分之间。
[0006]该半导体装置另包含第一接触结构位于该第一电极与该第一部分之间。
[0007]该绝缘结构具有第一开口，该第一电极填入该第一开口，且该半导体装置还包含第一连结结构，该第一连结结构包含第一空洞对位于该第一开口及第一导电部包覆该第一空洞。
[0008]该第一连结结构另包含第一绝缘部位于该第一空洞及该第一导电部之间。
[0009]该绝缘结构具有第二开口，该第二电极填入该第二开口，且该半导体装置具有第二连结结构，该第二连结结构包含第二空洞及第二导电部包覆该第二空洞。
[0010]该半导体装置另包含第二绝缘部位于该第一连结结构及该第二连结结构之间。
[0011]该活性结构用以发射光线，该光线具有波长为600nm至1300nm。
[0012]该外延结构包含Al、Ga、As、P或In，且不包含N。
[0013]该半导体装置另包含粘结层及基底，该粘结层位于该外延结构及该基底之间。
[0014]该基底具有上表面朝向该外延结构，该外延结构具有下表面朝向该基底，该上表面具有第一表面粗糙度，该下表面具有第二表面粗糙度大于该第一表面粗糙度。
[0015]该第一半导体结构具有第一长度，且该粘结层具有第二长度大于该第一长度。
[0016]该绝缘结构与该粘结层直接接触。
[0017]该绝缘结构未与该基底直接接触。
[0018]该半导体装置另包含第二接触结构位于该第二电极与该第二半导体结构之间且与该第二半导体结构直接接触。
[0019]该第二接触结构为金属或金属合金。
[0020]该绝缘结构包含分布式布拉格反射结构。
[0021]该绝缘结构包含第一绝缘层及第二绝缘层位于该第一绝缘层及该第一电极之间，且该第一绝缘层具有第一厚度、该第二绝缘层具有第二厚度大于该第一厚度。
[0022]该绝缘结构还包含第三绝缘叠层，该第二绝缘层位于该第一绝缘层及该第三绝缘叠层之间，该第三绝缘叠层包含多个互相交叠的第一副层及第二副层，该第一副层的折射率低于该第二副层的折射率。
[0023]每一该第一副层的厚度大于相邻的该第二副层的厚度，该第三绝缘叠层另具有厚度反转区，该厚度反转区中的该第一副层的厚度小于相邻的该第二副层的厚度。
[0024]其中一该第一副层与该第二绝缘层相连接并与该第二绝缘层具有相同的材料。
[0025]该其中一该第一副层与该第二绝缘层具有不同的特性及组成比例。
[0026]该半导体装置包含：外延结构，包含第一半导体结构具有第一部分及第二部分、活性结构及第二半导体结构位于该第二部分上；第一电极，包含第一表面位于该第一部分上及第二表面位于该第二半导体结构上；第二电极，位于该第二半导体结构上；以及绝缘结构，位于该第一电极与该第一部分之间且包含绝缘叠层，该绝缘叠层包含多个互相交叠的第一副层及第二副层，该第一副层的折射率低于该第二副层的折射率，且每一该第一副层的厚度大于相邻的该第二副层的厚度，该绝缘叠层具有厚度反转区，该厚度反转区中的该第一副层的厚度小于相邻的该第二副层的厚度。
[0027]该绝缘结构另包含第一绝缘层及第二绝缘层位于该第一绝缘层及该绝缘叠层之间，且该第一绝缘层具有第一厚度、该第二绝缘层具有第二厚度大于该第一厚度。
[0028]其中一该第一副层与该第二绝缘层相连接并与该第二绝缘层具有相同材料。
[0029]该其中一该第一副层与该第二绝缘层具有不同的特性及组成比例。
[0030]本技术的优点在于，本技术所提供的半导体装置通过其结构的改进，可具有应用广泛，节能省电，出光效率较佳的技术效果。
附图说明
[0031]图1为本技术一实施例的半导体装置的剖面示意图。
[0032]图2为本技术一实施例的半导体元件的上视示意图。
[0033]图3为本技术一实施例的半导体装置的剖面示意图。
[0034]图4为本技术一实施例的半导体装置的剖面示意图。
[0035]图5为本技术一实施例的半导体装置的部分剖面放大示意图。
[0036]图6为本技术一实施例的发光模块的上视图。
[0037]图7为本技术一实施例的感测模块的部分剖面结构示意图。
[0038]符号说明
[0039]100,100',100”半导体元件
[0040]1000,2000,3000半导体装置
[0041]1半导体单元
[0042]10外延结构
[0043]10a下表面
[0044]11第一半导体结构
[0045]111第一部分
[0046]111a第三表面
[0047]112第二部分
[0048]12活性结构
[0049]12a第四表面
[0050]13第二半导体结构
[0051]131第一部位
[0052]132第二部位
[0053]133第三部位
[0054]20第一电极
[0055]201第一表面
[0056]202第二表面
[0057]30第二电极
[0058]40绝缘结构
[0059]401第一绝缘层
[0060]402第二绝缘层
[0061]403第三绝缘叠层
[0062]403
’
厚度反转区
[0063]403a1～403an第一副层
[0064]403b1～403b(n
‑
1)第二副层
[0065]40a第一开口
[0066]40b第二开口
[0067]50基底
[0068]5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置包含：外延结构，包含第一半导体结构具有第一部分及第二部分、活性结构及第二半导体结构位于该第二部分上；第一电极，包含第一表面位于该第一部分上及第二表面位于该第二半导体结构上，且该第一表面及该第二表面具有一高度差为4μm至8μm；第二电极，位于该第二半导体结构上；以及绝缘结构，位于该第一电极与该第一部分之间。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置另包含第一接触结构，位于该第一电极与该第一部分之间。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘结构具有第一开口，该第一电极填入该第一开口，且该半导体装置还包含第一连结结构，该第一连结结构包含第一空洞对位于该第一开口及第一导电部包覆该第一空洞。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一连结结构另包含第一绝缘部，位于该第一空洞及该第一导电部之间。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘结构具有第二开口，该第二电极填入该第二开口，且该半导体装置具有第二连结结构,该第二连结结构包含第二空洞及第二导电部包覆该第二空洞。6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置另包含第二绝缘部，位于该第一连结结构及该第二连结结构之间。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该活性结构用以发射光线，该光线具有波长为600nm至1300nm。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该外延结构包含Al、Ga、As、P或In，且不包含N。9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置另包含粘结层及基底，该粘结层位于该外延结构及该基底之间。10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该基底具有上表面，朝向该外延结构，该外延结构具有下表面，朝向该基底，该上表面具有第一表面粗糙度，该下表面具有第二表面粗糙度，大于该第一表面粗糙度。11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该第一半导体结构具有第一长度，且该粘结层具有第二长度大于该第一长度。12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘结构与该粘结层直接接触。13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该绝缘结构未与该基底直接接触。14.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该半导体装置另包含第二接触结构位于该第二电极与该第二半导体结构之间且与该第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴宜翰，黄国峰，金明达，江政兴，黄文镝，廖富祥，沈庆兴，高慧芳，周允中，温宛颐，吕俊翰，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：