本发明专利技术涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种发光二极管，包括外延层和电极结构，电极结构包含欧姆接触层和打线层，欧姆接触层设于发光二极管的外延层上；打线层设于欧姆接触层之上，包括至少一强化结构和设于强化结构之上的厚金属层，强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；其中第一强化薄层和第二强化薄层的硬度均大于厚金属层的硬度。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种发光二极管的优势在于通过强化结构分散打线时对于电极结构的单点集中力，使得打线冲击力均匀分布于Pad表面，强化产品的电极打线抗脱落性能，减少打线异常的发生。减少打线异常的发生。减少打线异常的发生。
【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置
[0001]本专利技术涉及发光二极管芯片
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP、AlGaInP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
[0003]现有技术中，发光二极管的电极结构的主体包括厚金属层与欧姆接触层，欧姆接触层用以形成金属电极结构与发光半导体外延层的半导体层之间的电性连接，也即形成欧姆接触。厚金属层用作打线垫便于后续的封装打线，具有保护作用，厚金属层通常采用金制成。但是在实践生产中发现，生产出的产品芯粒在打线验证时，频繁出现打线异常或者掉电极等情况。
[0004]综上，本专利技术的目的在于提供一种具有抗打线异常性能强，且无其他劣势影响的电极结构。
技术实现思路
[0005]为解决上述现有技术中的不足，本专利技术提供一种发光二极管，其特征在于，包括：
[0006]外延层，所述外延层从下至上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；
[0007]电极结构，所述电极结构包含欧姆接触层和打线层，所述欧姆接触层设于所述外延层上；所述打线层设于所述欧姆接触层之上，所述打线层包括至少一强化结构和厚金属层，所述厚金属层设于所述强化结构之上，所述强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；
[0008]其中所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述厚金属层的硬度。
[0009]在一些实施例中，所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述第一金属层的硬度。
[0010]在一些实施例中，所述第一金属层和所述厚金属层包含相同的材料。
[0011]在一些实施例中，所述第一强化薄层和第二强化薄层包含相同的材料组成或者相同的厚度。
[0012]在一些实施例中，所述第一强化薄层和第二强化薄层包含不同的材料组成或者不同的厚度。
[0013]在一些实施例中，所述强化结构还包括设于第二强化薄层之上的第四金属层以及设于第四金属层之上第三强化薄层。
[0014]在一些实施例中，所述打线层包括至少两所述强化结构，相邻两所述强化结构之间设有过渡层，所述过渡层包含与所述厚金属层相同的材料。
[0015]在一些实施例中，一所述强化结构的总厚度为所述打线层的总厚度的0.05
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0.2或0.2
‑
0.25或0.25
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0.5倍。
[0016]在一些实施例中，所述第一金属层的厚度是所述第一强化薄层的1
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3或3
‑
7或7
‑
20倍。
[0017]在一些实施例中，所述第一强化薄层或者第二强化薄层的厚度介于300
‑
2000埃之间。
[0018]在一些实施例中，所述第一强化薄层和第二强化薄层包含一材料选自钛Ti、Ni、W或Cr。
[0019]在一些实施例中，所述厚金属层包含一材料选自Au、Al、Cu或AlCu。
[0020]在一些实施例中，所述打线层的总厚度为所述电极结构总厚度的0.55
‑
0.8或0.8
‑
0.9或0.9
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0.97倍，所述打线层的总厚度介于10000
‑
40000埃之间。
[0021]在一些实施例中，所述欧姆接触层的厚度介于500
‑
2000埃之间。
[0022]在一些实施例中，所述发光二极管辐射波长为550
‑
950nm的光。
[0023]本专利技术还提供一种发光装置，采用如上任一所述的发光二极管。
[0024]基于上述，与现有技术相比，本专利技术提供的一种发光二极管的优势在于通过强化结构分散打线时对于电极结构的单点集中力，使得打线冲击力均匀分布于Pad表面，强化产品的电极打线抗脱落性能，减少打线异常的发生。
[0025]本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0027]图1a为本专利技术提供的一种水平式发光二极管结构示意图；
[0028]图1b为本专利技术提供的一种垂直式发光二极管结构示意图；
[0029]图1c为本专利技术提供的一种水平式发光二极管另一实施例结构示意图；
[0030]图1d为本专利技术提供的一种垂直式发光二极管另一实施例结构示意图；
[0031]图2为本专利技术电极结构第一实施例示意图；
[0032]图3为本专利技术电极结构第二实施例示意图；
[0033]图4为本专利技术电极结构第三实施例示意图。
[0034]附图标记：
[0035]1水平式发光二极管
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2垂直式发光二极管
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90外延层
[0036]91第一半导体层
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92发光层
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93第二半导体层
[0037]94第一电极
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95第二电极
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10欧姆接触层
[0038]20打线层
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30粘着层
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40阻障层
[0039]21强化结构
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22厚金属层
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23第一金属层
[0040]24a第一强化薄层
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24b第二强化薄层
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24c第三强化薄层
[0041]25第四金属层
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26过渡层
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41第二金属层
[0042]42第三金属层
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3、4、5电极结构
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80衬底
[0043]81导本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：外延层，所述外延层从下至上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；电极结构，所述电极结构包含欧姆接触层和打线层，所述欧姆接触层设于所述外延层上；所述打线层设于所述欧姆接触层之上，所述打线层包括至少一强化结构和厚金属层，所述厚金属层设于所述强化结构之上，所述强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；其中所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述厚金属层的硬度。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述第一金属层的硬度。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属层和所述厚金属层包含相同的材料。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和第二强化薄层包含相同的材料组成或者相同的厚度。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和第二强化薄层包含不同的材料组成或者不同的厚度。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述强化结构还包括设于第二强化薄层之上的第四金属层以及设于第四金属层之上第三强化薄层。7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述打线层包括至少两所述强化结构，相邻两所述强化结构之间设有过渡层，所述过渡层包含与所述厚金属层相同的材料。8.根据权利要求1
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7任一项所述的发光二极管，其特征在于：一所述强化结构的总厚度为所述打线层的总厚度的0.05
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0.2或0.2
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【专利技术属性】
技术研发人员：张昀，詹宁宁，吴巧添，林仕尉，范慧丽，邱树添，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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