一种发光二极管及发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种发光二极管，包括外延层和电极结构，电极结构包含欧姆接触层和打线层，欧姆接触层设于发光二极管的外延层上；打线层设于欧姆接触层之上，包括至少一强化结构和设于强化结构之上的厚金属层，强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；其中第一强化薄层和第二强化薄层的硬度均大于厚金属层的硬度。与现有技术相比，本发明专利技术提供的一种发光二极管的优势在于通过强化结构分散打线时对于电极结构的单点集中力，使得打线冲击力均匀分布于Pad表面，强化产品的电极打线抗脱落性能，减少打线异常的发生。减少打线异常的发生。减少打线异常的发生。

【技术实现步骤摘要】
一种发光二极管及发光装置


[0001]本专利技术涉及发光二极管芯片
，特别涉及一种发光二极管及发光装置。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)为半导体发光元件，通常是由如GaN、GaAs、GaP、GaAsP、AlGaInP等半导体制成，其核心是具有发光特性的PN结，在正向电压下，电子由N区注入P区，空穴由P区注入N区，进入对方区域的少数载流子一部分与多数载流子复合而发光。LED具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
[0003]现有技术中，发光二极管的电极结构的主体包括厚金属层与欧姆接触层，欧姆接触层用以形成金属电极结构与发光半导体外延层的半导体层之间的电性连接，也即形成欧姆接触。厚金属层用作打线垫便于后续的封装打线，具有保护作用，厚金属层通常采用金制成。但是在实践生产中发现，生产出的产品芯粒在打线验证时，频繁出现打线异常或者掉电极等情况。
[0004]综上，本专利技术的目的在于提供一种具有抗打线异常性能强，且无其他劣势影响的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：外延层，所述外延层从下至上依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；电极结构，所述电极结构包含欧姆接触层和打线层，所述欧姆接触层设于所述外延层上；所述打线层设于所述欧姆接触层之上，所述打线层包括至少一强化结构和厚金属层，所述厚金属层设于所述强化结构之上，所述强化结构具有从下至上依次相叠的第一强化薄层、第一金属层和第二强化薄层；其中所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述厚金属层的硬度。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和所述第二强化薄层的硬度大于所述第一金属层的硬度。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一金属层和所述厚金属层包含相同的材料。4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和第二强化薄层包含相同的材料组成或者相同的厚度。5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：所述第一强化薄层和第二强化薄层包含不同的材料组成或者不同的厚度。6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述强化结构还包括设于第二强化薄层之上的第四金属层以及设于第四金属层之上第三强化薄层。7.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于：所述打线层包括至少两所述强化结构，相邻两所述强化结构之间设有过渡层，所述过渡层包含与所述厚金属层相同的材料。8.根据权利要求1
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7任一项所述的发光二极管，其特征在于：一所述强化结构的总厚度为所述打线层的总厚度的0.05
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0.2或0.2
‑<...

【专利技术属性】
技术研发人员：张昀，詹宁宁，吴巧添，林仕尉，范慧丽，邱树添，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：