一种微发光二极管及其显示装置制造方法及图纸

技术编号:41530596 阅读:16 留言:0更新日期:2024-06-03 23:06
一种微发光二极管,具有半导体层序列,半导体层序列的背侧设置有第一金属电极和第二金属电极,半导体层序列的背侧包括凹槽内的第一台面、第二台面和位于两者之间的凹槽侧壁,第一金属电极设置在第一台面上,其中第一类型半导体层为支撑层,凹槽底面至半导体层序列正侧的距离不大于4微米,在支撑层长边的水平投影面上,半导体层序列至少有局部被凹槽贯穿,第一金属电极沿着支撑层的长边方向延伸,且所述延伸从凹槽侧壁覆盖到第二台面上,提升微发光二极管结构强度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】


技术介绍


技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请,权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请,权...

【专利技术属性】
技术研发人员:叶雪萍夏德玲李佳恩吴政
申请(专利权)人:泉州三安半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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