【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种利用半导体或类似结构把电能转换成光能的固态发光元件，具有低功耗、高效率、长寿命、快速相应、抗震动、抗干扰等特点，在照明、显示、通信、汽车、医疗等领域得到广泛应用。
2、对于垂直结构芯片来说，一般包括外延层和设置于外延层中的导电孔，外延层至少包括依次叠设的第一半导体层、有源层和第二半导体层，导电孔贯穿第二半导体层、有源层以及部分第一半导体层，具有提供电流通路，以便电流能够从第二半导体层垂直流向第一半导体层，从而驱动led发光的作用。采用导电孔的设计，可以提供一条低阻抗的电流路径，有助于减小电流在led内部传输时的电压降和功耗，提高芯片的电性能。但随着使用功率的提高，led单位面积上的电流密度越来越大，由于制作led的半导体材料特性的限制，较大的电流密度会导致led局部区域电流拥堵，产生较大的电压。
3、为了提高发光二极管电流分布的均匀性、降低电压、以及增强对大电流冲击的抵抗能力，本申请提供一种发光二极管及发光装置。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中发光二极管的缺陷及不足，本申请提供一种发光二极管及发光装置。本申请提供的发光二极管通过在导电孔与第一半导体层的接触处设置向第一半导体层凸出的延伸孔，增大导电孔与第一半导体层的接触面积，改变从第二半导体层流向第一半导体层的电流路径，扩大电流从第二半导体层流向第一半导体层的接触面
2、本申请的一实施例，提供一种发光二极管，包括：
3、外延层，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
4、导电孔，所述导电孔设置于所述外延层中，且贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层；
5、其中，所述导电孔与所述第一半导体层的接触处设置有向所述第一半导体层凸出的延伸孔。
6、根据本申请的另一实施例，提供了一种发光装置，包括线路板和设置于所述线路板上的多个发光单元，所述发光单元包括本申请所述的发光二极管。
7、如上所述，本申请的发光二极管及发光装置，具有以下有益效果：
8、本申请的发光二极管通过在导电孔与第一半导体层的接触处设置向第一半导体层凸出的延伸孔，增大了导电孔与第一半导体层的接触面积，改变从第二半导体层流向第一半导体层的电流路径，扩大电流从第二半导体层流向第一半导体层的接触面积，降低接触电阻，提高发光二极管器件的电流分布的均匀性，降低发光二极管的电压，增强发光二极管对大电流冲击的抵抗能力。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔和所述导电孔的总深度介于0.5μm～2.5μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔具有侧壁，所述侧壁垂直设置或者所述侧壁倾斜设置。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔包括通孔和/或环形孔。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔包括所述通孔和所述环形孔，所述通孔的高度与所述环形孔的高度相等或者不相等。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔具有与所述导电孔接触的第一接触面，所述导电孔具有与所述延伸孔接触的第二接触面，所述第一接触面位于所述第二接触面内。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括与所述第二半导体层背离所述有源层一侧电性连接的第一电连接层，所述第一电连接层靠近所述第二半导体层的一侧具有未被所述外延层覆盖的台面，所述台面上设置有第一电极。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，还
9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，所述导电孔的内壁以及所述第一电连接层背离所述第二半导体层的一侧设置有绝缘层，所述第一电连接层和所述第二电连接层通过所述绝缘层彼此电性绝缘。
10.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第一电连接层与所述第二半导体层之间自所述第二半导体层远离所述有源层的一侧依次叠置透明导电层和反射层。
11.一种发光装置，其特征在于，包括线路板和设置于所述线路板上的多个发光单元，所述发光单元包括权利要求1～10任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔和所述导电孔的总深度介于0.5μm～2.5μm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔具有侧壁，所述侧壁垂直设置或者所述侧壁倾斜设置。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔包括通孔和/或环形孔。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔包括所述通孔和所述环形孔，所述通孔的高度与所述环形孔的高度相等或者不相等。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述延伸孔具有与所述导电孔接触的第一接触面，所述导电孔具有与所述延伸孔接触的第二接触面，所述第一接触面位于所述第二接触面内。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括与所述第二半导体层背离所述有源层一侧电性连接的第一电连接层，所述第一电连接层靠近所述第二半导体层的一侧具有未被所...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢昆达，韩涛，周弘毅，吴春香，张金豪，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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