【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种发光二极管芯片、发光装置、显示装置。
技术介绍
1、发光二极管(英文light emitting diode，简称led)包含有不同的发光材料及发光部件，是一种固态半导体发光元件。它因成本低、功耗低、光效高、体积小、节能环保、具有良好的光电特性等优点而被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等各种场景。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种具有高可靠性的发光二极管芯片。
2、本专利技术所采用的技术方案具体如下：
3、具体来说，本专利技术一实施例提供一种发光二极管芯片，包括：
4、衬底，具有相对的上表面和下表面；
5、外延结构，位于所述衬底的上表面之上，包括依次层叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘具有一定距离；
6、绝缘反射层，覆盖部分所述外延结构，并沿所述外延结构外缘露出的区域延伸覆盖至部分所述衬底的上表面；
7、所述衬底的上表面包括从外延结构外缘露出并且未被所述绝缘反射层所覆盖的区域p1，所述区域p1具有不平坦结构。
8、在一实施例中，所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角大于等于60°且小于90°。
9、在一实施例中，所述倾斜角大于70°。
10、在一实施例中，所述衬底的上表面还包括从外延结构外缘露出并被所述反射绝缘层覆盖的区
11、在一实施例中，所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于所述区域p3内的凸起结构的高度h3大于位于p2区域内的凸起结构的高度h2。
12、在一实施例中，所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于区域p2内的凸起结构的高度h2大于位于区域p1内的凸起结构的高度h1。
13、在一实施例中，所述不平坦结构的形状包括平台、圆锥、三角锥、六角锥、类圆锥、类三角锥或类六角锥。
14、在一实施例中，所述不平坦结构包括一层或者多层结构，其中至少一层的折射率低于所述衬底的折射率。
15、在一实施例中，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述绝缘反射层的上表面在所述衬底上投影的边缘的距离d1介于2μm至10μm之间。
16、在一实施例中，所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘的距离介于5μm至30μm之间。
17、在一实施例中，还包括透明导电层，所述透明导电层布置于所述外延结构与所述绝缘反射层之间，所述透明导电层在所述第二半导体层的上表面上投影的边缘与所述第二半导体层的上表面的边缘之间具有一间距d5，间距d5大于1μm且小于10μm。
18、在一实施例中，间距d5介于1.5～4μm或4～7μm之间。
19、在一实施例中，所述发光二极管芯片还包括：
20、第一接触电极，位于所述第一半导体层之上；以及
21、第二接触电极，位于所述透明导电层之上，电连接于所述透明导电层，且包括第二接触电极起始部以及从所述第二接触电极起始部延伸的第二接触电极延伸部。
22、在一实施例中，所述发光二极管芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层在所述第二接触电极起始部、所述第二接触电极延伸部的下方被配置于所述透明导电层与所述外延结构之间，所述电流阻挡层的上表面的宽度超出第二接触电极的下表面的宽度至少1μm。
23、在一实施例中，所述发光二极管芯片还包括：
24、第一焊盘电极，布置于所述绝缘反射层的上部，并通过所述绝缘反射层的第一开口部电连接至所述第一接触电极；
25、第二焊盘电极，布置于所述绝缘反射层的上部，并通过所述绝缘反射层的第二开口部电连接至所述第二接触电极。
26、在一实施例中，所述第二开口部的下开口在所述第二接触电极起始部的上表面的投影位于所述第二接触电极起始部的上表面的范围内，且所述第二接触电极起始部的上表面的宽度超出第二开口部的下开口的宽度至少5μm；
27、和/或所述第一开口部的下开口在所述第一接触电极的上表面的投影位于所述第一接触电极的上表面的范围内，且所述第一接触电极的上表面的宽度超出第一开口部的下开口的宽度至少5μm。
28、在一实施例中，所述第一开口部和/或所述第二开口部的上开口的宽度在10μm以上；所述第一开口部和/或所述第二开口部的下开口的宽度介于5μm至40μm之间。
29、在一实施例中，所述第一焊盘电极的上表面在水平面上的投影的边缘到所述第一接触电极的上表面在水平面上的投影的边缘的距离在2μm以上；
30、和/或所述第二焊盘电极的上表面在水平面上的投影的边缘到所述第二接触电极起始部的上表面在水平面上的投影的边缘的距离在2μm以上。
31、在一实施例中，所述第一开口部和/或所述第二开口部具有倾斜的侧面，所述倾斜的侧面的倾斜角度相对于底面在70°以内。
32、本专利技术实施例还提供一种发光装置，具有如上所述的发光二极管芯片。
33、本专利技术实施例还提供一种显示装置，具有如上所述的发光装置。
34、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角大于等于60°且小于90°。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述倾斜角大于70°。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底的上表面还包括从外延结构外缘露出并被所述反射绝缘层覆盖的区域P2以及被所述外延结构覆盖的区域P3；所述区域P2、区域P3具有不平坦结构。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于所述区域P3内的凸起结构的高度h3大于位于P2区域内的凸起结构的高度h2。
6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于区域P2内的凸起结构的高度h2大于位于区域P1内的凸起结构的高度h1。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构的形状包括平
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构包括一层或者多层结构，其中至少一层的折射率低于所述衬底的折射率。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述绝缘反射层的上表面在所述衬底上投影的边缘的距离D1介于2μm至10μm之间。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘的距离介于5μm至30μm之间。
11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括透明导电层，所述透明导电层布置于所述外延结构与所述绝缘反射层之间，所述透明导电层在所述第二半导体层的上表面上投影的边缘与所述第二半导体层的上表面的边缘之间具有一间距D5，间距D5大于1μm且小于10μm。
12.根据权利要求11所述的发光二极管芯片，其特征在于：间距D5介于1.5～4μm或4～7μm之间。
13.根据权利要求11所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：
14.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括电流阻挡层，所述电流阻挡层在所述第二接触电极起始部、所述第二接触电极延伸部的下方被配置于所述透明导电层与所述外延结构之间，所述电流阻挡层的上表面的宽度超出第二接触电极的下表面的宽度至少1μm。
15.根据权利要求13所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括：
16.根据权利要求15所述的发光二极管芯片，其特征在于：
17.根据权利要求15所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一开口部和/或所述第二开口部的上开口的宽度在10μm以上；所述第一开口部和/或所述第二开口部的下开口的宽度介于5μm至40μm之间。
18.根据权利要求15所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一焊盘电极的上表面在水平面上的投影的边缘到所述第一接触电极的上表面在水平面上的投影的边缘的距离在2μm以上；
19.根据权利要求15所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一开口部和/或所述第二开口部具有倾斜的侧面，所述倾斜的侧面的倾斜角度相对于底面在70°以内。
20.一种发光装置，其特征在于：具有权利要求1至权利要求19中任一项所述的发光二极管芯片。
21.一种显示装置，其特征在于：具有权利要求20所述的发光装置。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述绝缘反射层覆盖于所述衬底的上表面的边缘具有一倾斜侧壁，所述倾斜侧壁相对于衬底的上表面的倾斜角大于等于60°且小于90°。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述倾斜角大于70°。
4.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述衬底的上表面还包括从外延结构外缘露出并被所述反射绝缘层覆盖的区域p2以及被所述外延结构覆盖的区域p3；所述区域p2、区域p3具有不平坦结构。
5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于所述区域p3内的凸起结构的高度h3大于位于p2区域内的凸起结构的高度h2。
6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构为分布于衬底上表面的凸起结构，位于区域p2内的凸起结构的高度h2大于位于区域p1内的凸起结构的高度h1。
7.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构的形状包括平台、圆锥、三角锥、六角锥、类圆锥、类三角锥或类六角锥。
8.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述不平坦结构包括一层或者多层结构，其中至少一层的折射率低于所述衬底的折射率。
9.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述绝缘反射层的上表面在所述衬底上投影的边缘的距离d1介于2μm至10μm之间。
10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述外延结构在所述衬底上投影的边缘到所述衬底的边缘的距离介于5μm至30μm之间。
11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：还包括透明导...
【专利技术属性】
技术研发人员：张中英，黄苡叡，林宗民，谢昆达，吴霁圃，邓有财，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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