【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别涉及一种发光二极管及显示装置。
技术介绍
1、发光二极管(led)是一种将电能转换为光的半导体器件，具有诸如低功耗、半永久寿命周期、快速响应时间、安全以及环保的优点。led越来越多地用作诸如各种灯具的照明装置、液晶显示装置的显示单元以及其它室内和室外应用的光源。
2、现有的发光二极管包括水平类型和垂直类型。垂直类型的发光二极管是通过半导体结构转移到其它的基板(如硅、碳化硅或金属基板等)上，并移除原始外延生长衬底的工艺获得，相较于水平类型，可以有效改善支撑衬底带来的吸光、电流拥挤或散热性差的技术问题。衬底的转移一般是键合工艺，键合主要是金属-金属高温高压键合，即在半导体结构的一侧与基板之间形成金属键合层。半导体结构的另一侧作为出光侧，出光侧配置有打线电极以提供电流的注入或流出，半导体结构下方的基板提供电流的流出或流入，由此形成电流垂直经过半导体结构的发光二极管。
3、为了提高出光效率，金属键合层一侧往往会设计金属反射层或金属反射层与电介质层组合形成odr反射结构，将金属键合层一侧的出光反射至半导体结构的出光侧，提高出光效率。然而在使用电介质层的情况下，出光侧打线电极下方的电介质层由于打线外力的作用会容易出现脱落的情况。
技术实现思路
1、本专利技术一实施例提供一种发光二极管，其至少可包括：半导体结构，自下而上包括依序堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；介电层，位于第一半导体层的下方，其上具有间隔设置的第一开口和第二开口，第一
2、在一些实施例中，优选地，第一开口为两个以上，第二开口为一个或者多个。在竖直方向上，第二开口设置为一个或者多个时，这些开口分布在第二电极下方对应的区域内。
3、在一些实施例中，优选地，从竖直投影面看，第二开口的投影与第二电极的投影之间的重叠区域至少位于第二电极的中心区域。
4、在一些实施例中，优选地，从竖直投影面看，第二开口的投影与第二电极的投影之间的重叠区域位于以第二电极的中心点为中心、并向第二电极的边缘区域延伸的区域内。
5、在一些实施例中，优选地，从竖直投影面看，第二开口的投影与第二电极的投影之间的重叠区域至少位于第二电极的中心区域，且第二电极的投影位于第二开口的投影内。
6、在一些实施例中，优选地，从竖直投影面看，第二电极的外周边缘与第二开口的外周边缘之间的间距为5微米至15微米。
7、在一些实施例中，优选地，第二开口为多个，且在第二电极的投影内为规则分布设置；或者第二开口的投影部分位于第二电极的投影外。
8、在一些实施例中，优选地，介电层为至少一层，其材质为氮化物、氧化物或氟化物中的至少一种。介电层的厚度为500埃至6000埃。
9、在一些实施例中，优选地，接触电极的厚度为1000埃至6000埃。接触电极的材质为auzn、aube、透明导电层中的至少一种。
10、在一些实施例中，优选地，粘附层的厚度为5埃至8000埃。粘附层的材质为透明导电材料或者金属合金。
11、在一些实施例中，优选地，半导体结构至少包括铝镓铟磷基化合物或铝镓砷基化合物。发光二极管的发光波长为550纳米至1500纳米。
12、在一些实施例中，优选地，第二电极包括焊盘以及延伸部分，延伸部分为条状，第二开口仅位于焊盘下方。
13、在一些实施例中，优选地，发光二极管还可包括反射层，位于粘附层的下方。反射层的厚度为2000埃以上。
14、在一些实施例中，优选地，发光二极管还可包括键合层，位于反射层的下方，键合层的一侧与反射层相接触。
15、在一些实施例中，优选地，发光二极管还可包括第一基板，位于键合层的下方，键合层的另一侧与第一基板相接触。第一基板为导电性基板，第一电极位于第一基板的下方。
16、本专利技术一实施例提供的一种显示装置，至少包括第二基板，以及设置在第二基板上如前任一所述的发光二极管。第二基板与发光二极管电连接。
17、本专利技术通过产品结构创新，解决和改善产品的性能。
18、本专利技术的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。
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1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域至少位于所述第二电极的中心区域。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域位于以所述第二电极的中心点为中心、并向所述第二电极的边缘区域延伸的区域内。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域至少位于所述第二电极的中心区域，且所述第二电极的投影位于所述第二开口的投影内。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二电极的外周边缘与所述第二开口的外周边缘之间的间距为5微米至15微米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口为多个；所述第二开口为多个，且在所述第二电极的投影内为规则分布设置；或者所述第二开口的投影部分位于所述第二电极的投影外。
7.根据权利要求
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述接触电极的厚度为1000埃至6000埃；所述接触电极的材质为AuZn、AuBe、透明导电层中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述粘附层的厚度为5埃至8000埃；所述粘附层的材质为透明导电材料或者金属合金。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体结构至少包括铝镓铟磷基化合物或铝镓砷基化合物；所述发光二极管的发光波长为550纳米至1500纳米。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二电极包括焊盘以及延伸部分，所述延伸部分为条状，所述第二开口仅位于所述焊盘下方。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括反射层，位于所述粘附层的下方；所述反射层的厚度为2000埃以上。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括键合层，位于所述反射层的下方，所述键合层的一侧与所述反射层相接触。
14.根据权利要求13所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管还包括第一基板，位于所述键合层的下方；所述第一基板为导电性基板，所述第一电极位于所述第一基板的下方。
15.一种显示装置，其特征在于：包括第二基板，以及设置在所述第二基板上如权利要求1至14任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于：至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域至少位于所述第二电极的中心区域。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域位于以所述第二电极的中心点为中心、并向所述第二电极的边缘区域延伸的区域内。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二开口的投影与所述第二电极的投影之间的重叠区域至少位于所述第二电极的中心区域，且所述第二电极的投影位于所述第二开口的投影内。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于：从竖直投影面看，所述第二电极的外周边缘与所述第二开口的外周边缘之间的间距为5微米至15微米。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一开口为多个；所述第二开口为多个，且在所述第二电极的投影内为规则分布设置；或者所述第二开口的投影部分位于所述第二电极的投影外。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述介电层为至少一层，其材质为氮化物、氧化物或氟化物中的至少一种；所述介电层的厚度为500埃至6000埃。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡鹏杰，刘胜男，刘佳玉，徐长江，侯文英，柯韦帆，周理评，郭桓卲，彭钰仁，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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