【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)具有节能、环保、寿命长、光效高、无辐射、低功耗等优点，广泛应用于照明、指示灯、舞台、车辆灯等领域。
2、现有发光二极管包括基板，自基板的上表面依次叠置键合层、接触层、绝缘层、电连接层，以及设置于电连接层上方的半导体叠层，半导体叠层包括第一半导体层、有源层和第二半导体层，第二半导体层与电连接层电连接；其中，在半导体叠层中设置接触孔，接触孔的侧壁依次设置绝缘层、接触层和键合层。在接触层背离绝缘层的一侧设置键合层时，键合层下压会对接触层挤压，接触层出现位移，导致接触层的膜层厚度不均匀、膜层剥离以及膜层出现空洞的问题，影响发光二极管的性能和可靠性。
3、为了提高发光二极管的可靠性，本申请提供了一种发光二极管及发光装置。
技术实现思路
1、鉴于现有技术中发光二极管的缺陷及不足，本申请提供一种发光二极管及发光装置。本申请提供的发光二极管，沿基板的第一表面至其第二表面的方向，将接触层设置于接触孔内，能够提高接触层的厚度的均匀性，降低接触层的膜层剥落，降低接触层出现空洞的现象，有效提高发光二极管的性能和可靠性。
2、本申请的一实施例，提供一种发光二极管，包括：
3、基板，所述基板具有相对设置的第一表面和第二表面；
4、半导体叠层，所述半导体叠层设置于所述第一表面的上方，所述半导体叠层包括自所述第一表面依
5、绝缘层，所述绝缘层设置于所述基板与所述半导体叠层之间；
6、接触孔，所述接触孔设置于所述半导体叠层中，且贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层，所述接触孔的侧壁设置有所述绝缘层，所述绝缘层的侧壁以及所述接触孔靠近所述第一半导体层的一侧设置接触层；
7、其中，所述绝缘层自所述接触孔延伸至所述半导体叠层的外围区域；沿所述第一表面至所述第二表面的方向，所述接触层设置于所述接触孔内。
8、根据本申请的另一实施例，提供了一种发光装置，包括线路板以及设置于所述线路板上的发光单元，所述发光单元包括本申请提供的发光二极管。
9、如上所述，本申请的发光二极管及发光装置，具有以下有益效果：
10、本申请的发光二极管，沿基板的第一表面至第二表面的方向，接触层设置于接触孔内，能够提高接触层的厚度均匀性，降低接触层的膜层剥落，降低接触层出现空洞的现象，有效提高发光二极管的性能和可靠性。
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1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层远离所述第一半导体层的一侧不超过所述绝缘层侧壁远离所述第一半导体层的一侧。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触孔的侧壁设置所述绝缘层后，所述接触孔具有靠近所述第一半导体层的第一开口以及远离所述第一半导体层的第二开口，所述接触层的宽度介于所述第一开口的宽度和所述第二开口的宽度之间。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的宽度介于1μm～50μm。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的宽度介于5μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触孔内设置所述绝缘层后的剩余空间设置所述接触层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的厚度介于0.2μm～4μm。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的材料选自银、铝、铜或金。
9.根据权利要求1所述的发光二极管
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述基板与所述绝缘层设置有键合层，所述键合层延伸至所述接触孔内，所述接触孔设置所述绝缘层和所述接触层后的剩余空间设置所述键合层。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体叠层与所述绝缘层之间设置有电连接层，所述电连接层靠近所述第二半导体层的一侧具有未被所述半导体叠层覆盖的台面，所述台面上设置有电极。
12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述电连接层包括自所述绝缘层依次叠置的金属阻挡层、金属反射层和透明导电层，所述金属阻挡层靠近所述金属反射层的一侧未被所述半导体叠层覆盖的区域形成所述台面。
13.根据权利要求12所述的发光二极管，其特征在于，所述透明导电层与所述金属反射层之间设置有绝缘反射层，所述绝缘反射层中设置有通孔，所述金属反射层填充所述通孔，以与所述透明导电层电连接；
14.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，所述半导体叠层的侧壁、所述电极的侧壁、以及所述半导体叠层与所述电极之间的表面均设置钝化保护层。
15.一种发光装置，其特征在于，包括线路板以及设置于所述线路板上的发光单元，所述发光单元包括权利要求1～14任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层远离所述第一半导体层的一侧不超过所述绝缘层侧壁远离所述第一半导体层的一侧。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触孔的侧壁设置所述绝缘层后，所述接触孔具有靠近所述第一半导体层的第一开口以及远离所述第一半导体层的第二开口，所述接触层的宽度介于所述第一开口的宽度和所述第二开口的宽度之间。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一开口的宽度介于1μm～50μm。
5.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二开口的宽度介于5μm～100μm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触孔内设置所述绝缘层后的剩余空间设置所述接触层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的厚度介于0.2μm～4μm。
8.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的材料选自银、铝、铜或金。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述接触层的材料的莫氏硬度介于2～3。
10.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林芳芳，谢昆达，韩涛，周弘毅，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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