【技术实现步骤摘要】
本申请涉及发光半导体，具体地，涉及一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片。
技术介绍
1、随着发光二极管应用的发展，紫外光发光二极管的时长需求越来越大。紫外光发光二极管的发光波长范围在210-400nm，具有传统的紫外光光源无法比拟的优势。紫外光二极管不仅可以在照明领域，也可以在生物医疗、生化检测、防伪鉴定等方面替代传统含有毒物质的紫外汞灯。
2、目前，现有技术中通常采用向p型半导体中掺杂元素的方式提高紫外光发光二极管的发光效率。但是，由于掺杂元素的加入会导致晶格间隙之间形成缺陷以及产生记忆效应、扩散效应，均会导致紫外光发光二极管的光效下降。
技术实现思路
1、本申请的目的是提供一种紫外光发光二极管及发光装置、芯片，以解决现有技术中紫外光发光二极管由于掺杂浓度高导致的光效下降的问题。
2、为了实现上述目的，本申请采用以下技术方案：
3、本申请第一方面提供了一种紫外光发光二极管，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，所述电子阻挡层包括至少两层掺杂子电子阻挡层，所述至少两层子掺杂电子阻挡层包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；所述第一掺杂浓度为1e16-1e19 atoms/cm3；所述第二掺杂浓度小于1e18 atoms/cm3；所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度。
4、本申请第二方面提供一种发光装置，其包括本申请第一方面所述的紫外光发光二极管。
6、与现有技术相比，本申请的有益效果：
7、本申请提供了一种紫外光发光二极管及发光装置，包括：半导体外延叠层，包括依次堆叠的第一半导体层、有源层、电子阻挡层和第二半导体层；其中，电子阻挡层至少包括第一掺杂浓度的第一电子阻挡层和第二掺杂浓度的第二电子阻挡层；第一掺杂浓度为1e16-1e19 atoms/cm3；第二掺杂浓度小于1e18atoms/cm3；第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度。本申请通过降低电子阻挡层中的掺杂浓度的同时保证了提供空穴的数量，降低了晶格缺陷的产生，提高了晶体质量。较低的掺杂浓度降低了扩散效应的影响，提高了发光二极管的光效。
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1.一种紫外光发光二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂浓度为1E18-1E19 atoms/cm3。
3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二掺杂浓度小于1E17atoms/cm3。
4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层位于所述有源层与所述第二电子阻挡层之间。
5.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层的厚度为1.0-10.0nm。
6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二电子阻挡层的厚度为10.0-100.0nm。
7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层还包括第三电子阻挡层，所述第三电子阻挡层位于所述有源层与所述第一电子阻挡层之间。
8.如权利要求7所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第三电子阻挡层为非故意掺杂层，其掺杂浓度小于1E17 atoms/cm3。
9.如权利要求8所述的紫外光发光二极管
10.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的总厚度为8.0-150.0nm。
11.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层的材料为含铝的氮化物层。
12.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素相同或不同。
13.如权利要求12所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层和所述第二电子阻挡层中的掺杂元素为Mg。
14.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二半导体层上还设置有电流扩展层，其位于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧。
15.一种发光装置，其特征在于，包括如权利要求1至14任一项所述的紫外光发光二极管。
16.一种紫外光发光二极管芯片，其特征在于，包括如权利要求1至14任一项所述的紫外光发光二极管，所述紫外光发光二极管为倒装结构。
...【技术特征摘要】
1.一种紫外光发光二极管，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一掺杂浓度为1e18-1e19 atoms/cm3。
3.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二掺杂浓度小于1e17atoms/cm3。
4.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层位于所述有源层与所述第二电子阻挡层之间。
5.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第一电子阻挡层的厚度为1.0-10.0nm。
6.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第二电子阻挡层的厚度为10.0-100.0nm。
7.如权利要求1所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述电子阻挡层还包括第三电子阻挡层，所述第三电子阻挡层位于所述有源层与所述第一电子阻挡层之间。
8.如权利要求7所述的紫外光发光二极管，其特征在于，所述第三电子阻挡层为非故意掺杂层，其掺杂浓度小于1e17 atoms/cm3。
9.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：张国华，杨仲杰，黄景蜂，蓝永凌，张中英，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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