【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其是涉及一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种半导体固体发光器件，随着led工艺的不断发展，led的发光效率不断提高，使得led已经成为近年来最受重视的光源之一。mini led芯片是指芯片尺寸在百微米级别的背光源新技术，在mini led芯片中，采用倒装芯片的mini led产品具有高亮度、低功耗以及更好的对比度和散热性能等优点，并且可以实现更小的像素物理空间布局，因此，采用倒装芯片的mini led产品在市场中得到广泛的应用。
2、现有的mini led背光产品的高压倒装led芯片中设置有多个半导体发光单元，在半导体发光单元上通常设置有绝缘反射层，以对半导体发光单元进行保护并反射其发射的光，而在高温高湿环境下，高压倒装led芯片的绝缘反射层容易出现鼓泡起皮现象，极大的缩短了芯片的使用寿命，尤其是对于12v及以上的mini led背光产品。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置，能够有效的提高芯片的抗湿性能力，以解决其在高温高湿环境下外观老化异常的技术问题。
2、为达到上述目的及其他相关目的，本申请提供一种高压倒装发光二极管芯片，包括：
3、外延层，包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
4、接触电极，位于所述外延层的上方，所述接触电极包括与所述第一半导体层电连接的第一接触电极
5、绝缘反射层，包括依次堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层、第一反射层，所述第一绝缘层覆盖所述外延层以及所述接触电极；
6、第一保护层，位于所述绝缘反射层远离所述接触电极的一侧，所述第一保护层覆盖至少部分所述第一反射层；
7、焊盘层，位于所述第一保护层的上方，所述焊盘层包括相互间隔且绝缘设置的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘与所述第一接触电极电连接，所述第二焊盘与所述第二接触电极电连接。
8、本申请还提供一种发光装置，包括电路基板及设置在所述电路基板上的多个发光元件，所述发光元件包括前述实施方式中任一项所述的高压倒装高压发光二极管芯片。
9、本申请提供的高压倒装发光二极管芯片及发光装置，至少具有以下有益效果：
10、本申请的高压倒装发光二极管芯片中，在外延层上设置有绝缘反射层，绝缘反射层包括依次堆叠的第一绝缘层、第二绝缘层、第一反射层，在第一反射层上设置有第一保护层，第一保护层至少覆盖第一反射层的位于接触电极正上方的部分，通过第一保护层，能够有效的防止水气在芯片结构中扩散，提高了芯片的抗湿性能力，避免了芯片在高温高湿环境下，发生外观老化异常的问题。
11、本申请提供的发光装置包括前述实施方式的任一种高压倒装发光二极管芯片，因此同样具有上述有益效果。
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1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度介于50nm～150nm。
3.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度介于400nm～700nm。
4.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一反射层的厚度介于2μm～5μm。
5.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一反射层包括依次交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第二材料层与所述第一保护层接触，且所述第二材料层的材料与所述第一保护层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，与所述第一保护层接触的第二材料层的厚度和所述绝缘反射层的厚度之间的比值介于0.01～0.2。
7.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层完全覆盖所述第一反射层的上表面，所述焊盘层覆盖所述第一保护层。
8.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管
9.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的厚度与所述绝缘反射层的厚度比值介于10％～50％。
10.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的厚度与所述绝缘反射层的厚度比值介于5％～20％。
11.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的材料与所述第二绝缘层的材料相同。
12.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，还包括第一隔离槽，所述第一隔离槽贯穿所述外延层并暴露所述衬底，以将所述高压倒装发光二极管芯片分割为N个彼此绝缘间隔的半导体发光单元，N个所述半导体发光单元按照预设方向排列；
13.根据权利要求12所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述高压倒装发光二极管芯片包括至少4个所述半导体发光单元。
14.根据权利要求12所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述外延层中设置有呈环形结构的第二隔离槽，所述第二隔离槽贯穿所述外延层，并与所述第一隔离槽贯通，以于所述第二隔离槽的中心区域形成凸台。
15.根据权利要求14所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在靠近所述凸台的半导体发光单元中，第一接触电极和第二接触电极均呈条状结构且相互平行，并且所述第一接触电极的条状结构靠近所述第二接触电极的一侧设置有扇形凸出部。
16.根据权利要求12所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在第N发光单元中，第一接触电极呈条状结构，第二接触电极的数量为两个且彼此沿所述第一接触电极的纵向间隔设置，两个所述第二接触电极分别呈条状结构和圆形凸台结构，其中，条状结构的第二接触电极平行于所述第一接触电极。
17.根据权利要求12所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述高压倒装发光二极管芯片还包括桥接电极，所述桥接电极位于所述第一隔离槽的上方，并分别与相邻两个所述半导体发光单元中的第一接触电极和第二接触电极连接，以使相邻两个所述半导体发光单元串接。
18.根据权利要求17所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在所述高压倒装发光二极管芯片的俯视图中，所述接触电极和所述桥接电极的投影与所述第一保护层的投影重合。
19.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述高压倒装发光二极管芯片还包括：
20.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述绝缘反射层中设置有贯穿所述第一保护层及所述绝缘反射层的通孔，所述第一焊盘通过所述通孔的第一通孔与所述第一接触电极电连接，所述第二焊盘通过所述通孔的第二通孔与所述第二接触电极电连接。
21.一种发光装置，其特征在于，包括电路基板及设置在所述电路基板上的多个发光元件，所述发光元件包括如权利要求1～20中任一项所述的高压倒装发光二极管芯片。
...【技术特征摘要】
1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度介于50nm～150nm。
3.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度介于400nm～700nm。
4.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一反射层的厚度介于2μm～5μm。
5.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一反射层包括依次交替层叠的第一材料层和第二材料层，所述第二材料层与所述第一保护层接触，且所述第二材料层的材料与所述第一保护层的材料相同。
6.根据权利要求5所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，与所述第一保护层接触的第二材料层的厚度和所述绝缘反射层的厚度之间的比值介于0.01～0.2。
7.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层完全覆盖所述第一反射层的上表面，所述焊盘层覆盖所述第一保护层。
8.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在所述高压倒装发光二极管芯片的俯视图中，所述第一保护层的投影与所述接触电极的投影重合。
9.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的厚度与所述绝缘反射层的厚度比值介于10％～50％。
10.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的厚度与所述绝缘反射层的厚度比值介于5％～20％。
11.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一保护层的材料与所述第二绝缘层的材料相同。
12.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，还包括第一隔离槽，所述第一隔离槽贯穿所述外延层并暴露所述衬底，以将所述高压倒装发光二极管芯片分割为n个彼此绝缘间隔的半导体发光单元，n个所述半导体发光单元按照预设方向排列；
13.根据权利要求12所述的高压倒装...
【专利技术属性】
技术研发人员：王庆，洪灵愿，龚明川，王子超，陈大钟，何敏游，张中英，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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