一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置制造方法及图纸

本申请提供一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置，该高压倒装LED芯片包括N个半导体发光单元、接触电极和桥接电极，N个半导体发光单元按照预设方向排列并通过隔离槽绝缘间隔；其中，设置在第一发光单元中的第二接触电极呈环状结构，并包围第一发光单元中的第一接触电极，有效的增加了电流的扩展范围，提高了芯片的防静电击穿能力；并且该高压倒装LED芯片还包括设置在其中心区域的凸台，该凸台所在区域为顶针的作用区域，凸台与相邻的半导体发光单元通过隔离槽绝缘间隔，能够有效防止顶针作用产生的芯片漏电失效的问题；本申请还提供一种发光装置，包括上述高压倒装发光二极管芯片。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，尤其是涉及一种倒装高压发光二极管及发光装置。

技术介绍

1、发光二极管(light emitting diode，led)是一种半导体固体发光器件，对于高压发光二极管芯片，其具有工作电压高、驱动电流小等优点，对于倒装发光二极管芯片，其具有热阻低、免打线等优点。随着半导体技术的发展和市场的积极竞争，具有倒装结构的高压芯片逐渐成为很多机构的研究热点，高压倒装led芯片将高压led芯片和倒装led芯片的优点结合起来，逐渐为市场所青睐。

2、对于led芯片来说，防静电击穿(esd)能力是衡量led芯片性能的一个重要参数，研究人员通常采用各种各样的防护措施，以避免芯片受到静电的冲击。现有的高压倒装led芯片由多个子芯片串联而成，使得单个子芯片的尺寸较小，从而减弱了高压倒装led芯片的esd能力。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种高压倒装发光二极管芯片及发光装置，能够有效的增加电流的扩展范围，提高电流的扩展效果，从而提高了高压倒装发光二极管芯片的esd能力。

2、为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述高压倒装发光二极管芯片还包括凸台，所述凸台位于所述隔离槽中，所述凸台与所述半导体发光单元由所述隔离槽绝缘间隔。

3.根据权利要求2所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台位于所述高压倒装发光二极管芯片的中心区域。

4.根据权利要求2所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台为圆形凸台结构，且所述凸台的顶面直径介于80μm～100μm。

5.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单...

【技术特征摘要】

1.一种高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述高压倒装发光二极管芯片还包括凸台，所述凸台位于所述隔离槽中，所述凸台与所述半导体发光单元由所述隔离槽绝缘间隔。

3.根据权利要求2所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台位于所述高压倒装发光二极管芯片的中心区域。

4.根据权利要求2所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述凸台为圆形凸台结构，且所述凸台的顶面直径介于80μm～100μm。

5.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元中的第二接触电极的宽度小于所述桥接电极的宽度，其中，所述第二接触电极的宽度为呈环状结构的所述第二接触电极的外侧直径与内侧直径之间的差值。

6.根据权利要求5所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元中的第二接触电极的宽度介于5μm～19μm。

7.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在所述第一发光单元中，呈环状结构的所述第二接触电极的外侧直径与所述第一发光单元的窄边宽度之间的比值介于0.5～0.9。

8.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在所述高压倒装发光二极管芯片的俯视图中，所述第一发光单元中的第一接触电极位于第二接触电极的中心区域。

9.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元中的第一接触电极为圆台型结构。

10.根据权利要求9所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，在所述第一发光单元中，呈圆台型结构的所述第一接触电极与第二接触电极之间的间距介于65μm～84μm。

11.根据权利要求1所述的高压倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述第一发光单元中的接触电极包括至少一个第二接触电极，并且所述第一发光单元中的第一接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：石保军，王强，晏尧，王水杰，刘可，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：