【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，特别涉及一种倒装发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管(light emitting diode，简称led)为半导体发光元件，通常是由如gan、gaas、gap、gaasp等半导体制成，其核心是具有发光特性的pn结。led具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。
2、现有的发光二极管一般采用将一导电类型的接触电极延伸到另一导电类型的焊盘下方的方式来提高电极的扩展能力，进而提升发光二极管亮度。然而，该设计在制程中，会因接触电极的金属应力大容易导致制程产生的作用力传递到内部无法得到很好的缓冲与释放，而引起dbr层出现断裂或接触电极中活泼金属迁移等异常，进而使得该接触电极与另一导电类型的焊盘之间存在漏电的风险，影响发光二极管的可靠性。
技术实现思路
1、为解决上述现有技术中发光二极管存在的至少一个不足，本专利技术提供一种倒装发光二极管，包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极、第一焊盘、第二焊盘。
<...【技术保护点】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为连续的直线型或曲线型或其组合。
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为直线型时，所述倾斜侧壁的倾斜夹角θ1不大于60°或介于40°至50°之间；当所述倾斜侧壁的至少部分为曲线型时，所述倾斜侧壁在外延结构表面上的切线夹角θ2不大于60°或介于40°至50°之间。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁具有由外延结构上方向外延结构方向依次延伸的竖直面和倾斜面...
【技术特征摘要】
1.一种倒装发光二极管，其特征在于，所述倒装发光二极管包括：
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为连续的直线型或曲线型或其组合。
3.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁为直线型时，所述倾斜侧壁的倾斜夹角θ1不大于60°或介于40°至50°之间；当所述倾斜侧壁的至少部分为曲线型时，所述倾斜侧壁在外延结构表面上的切线夹角θ2不大于60°或介于40°至50°之间。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜侧壁具有由外延结构上方向外延结构方向依次延伸的竖直面和倾斜面，所述竖直面的延伸长度d1与所述倾斜面的延伸长度d2比值介于0至2/3之间；所述倾斜面为连续的连续的直线型或曲线型或其组合。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倾斜面为直线型时，所述倾斜面的倾斜夹角θ3不大于60°或介于40°至50°之间；当所述倾斜侧壁的至少部分为曲线型时，所述倾斜面在外延结构表面上的切线夹角θ4不大于60°或介于40°至50°之间。
6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述镍层的厚度介于0.1微米至1微米之间。
7.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极为无金叠层结构。
8.根据权利要求1-7任一项所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电极还含有第一铝层和第二铝层，所述第一铝层位于靠近外延结构的所述镍层一侧，所述第二铝层位于远离外延结构的所述镍层一侧；所述第一铝层的厚度小于第二铝层的厚度。
9.根据权利要求8所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一接触电极和/或第二接触电...
【专利技术属性】
技术研发人员：石保军，徐瑾，王强，
申请(专利权)人：湖北三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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