【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件及装置，特别涉及一种发光二极管元件及发光装置。
技术介绍
1、iii-v族元素组成的化合物半导体，凭借着优异的光电特性而应用于多种领域，例如磷化镓(gap)、砷化镓(gaas)或氮化镓(gan)等材料可以用于集成电路、发光二极管(led)、激光二极管、光侦测等不同领域。micro led是将传统的led结构薄膜化、微小化及矩阵化之后，采用cmos集成电路工艺制成驱动电路，实现led背光源中每个像素点定址控制和单独驱动的显示技术。由于micro led技术的亮度、对比度、反应时间、可视角度、分辨率等各种指标都强于lcd和oled技术，加上自发光、结构简单、体积小及节能的优点，已经受到了广泛的关注。
2、巨量转移(mass transfer)是目前micro led产业化过程中面临的核心技术难题。在实际应用中，由于micro led芯片太小，在巨量转移过程中很容易导致固晶时芯片发生偏移，甚至是正负电极反向，且micro led返工工艺非常困难，导致产品良率低、micro led量产化进展缓慢。因此，micro led对于键合良率的要求相当高(当前>99.9％)。然而由于尺寸效应的影响，micro led发光效率在芯粒尺寸缩小后，其发光效率也急剧地降低，因此如何将micro led各项结构进行拆解，并进行发光效率的提升，将是当前面对的一大课题。因此对于键合层的优化设计，除了使其拥有本身提高键合附着性的功能外，持续开发出其他价值，这也是当前需要解决的关键性问题。
技术
1、鉴于现有技术中发光二极管存在的上述缺陷，本专利技术提供一种发光二极管元件及发光装置，以解决上述一个或多个问题。
2、本申请的一个实施例，提供一种发光二极管元件，其至少包括：
3、半导体叠层，所述半导体叠层至少包括依次叠置的第一半导体层结构、有源层及第二半导体层结构，其中所述半导体叠层具有出光侧以及与所述出光侧相对的电极侧，所述半导体叠层的所述出光侧的表面形成为粗化结构；
4、增透结构，形成在所述出光侧并且覆盖所述粗化结构，所述增透结构为多层结构并且所述增透结构的折射率小于所述半导体叠层的折射率。
5、根据本申请的另一实施例，提供一种发光装置，其包括电路基板以及设置在电路基板上的发光元件，所述发光元件包含本申请提供的发光二极管元件，其中所述发光二极管自电极侧固定至所述电路基板。
6、如上所述，本申请的发光二极管元件及发光装置，具有以下有益效果：
7、本申请的发光二极管元件中，出光面一侧形成粗化结构，并且在粗化表面上形成有增透结构，该增透结构为折射率小于半导体叠层的折射率的材料层，因此在出光面一侧形成折射率梯度变化的界面，减少对光的反射，增加光的出射，提高发光二极管的出光效率。另外，在该增透结构侧粘附基板时，该增透结构可以提高与粘附层的附着力，并且减少粘附层中气泡的产生，有利于基板和半导体叠层之间的粘附稳定性。当移除基板时，增透结构能够与粘附层完整分离，增透结构完整地保留在半导体叠层的出光侧，增加出光效果。
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1.一种发光二极管元件，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构的厚度介于0.1μm～1μm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管元件，其特征在于，在远离所述出光侧的方向上，所述增透结构包括折射率逐渐减小的多层结构。
4.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构包括i层结构，其中i≥2，第i层结构的折射率为ni，第i层结构的光学厚度为(ni)λ/4，λ为半导体叠层辐射的光的波长。
5.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构包括Ti3O5层、SiO2层、SiN层及SiOxNy层中的任意两层或两层以上的组合，并且在远离所述出光侧的方向上，任意两层或两层以上的组合以折射率逐渐减小的方式依次堆叠。
6.根据权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于，在远离所述出光侧的方向上，所述增透结构包括依次叠置的Ti3O5层及SiO2层。
7.根据权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于，在远离所述出光侧的方向上，所述增透结构包括依次
8.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述第一半导体层结构远离所述有源层的一侧为所述出光侧，所述第二半导体层远离所述有源层的一侧为电极侧。
9.根据权利要求8所述的发光二极管元件，其特征在于，还包括电极结构，所述电极结构包括形成在所述电极侧的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第一半导体层结构电连接，所述第二电极与所述第二半导体层结构电连接。
10.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，还包括：
11.一种发光装置，其特征在于，包括电路基板以及设置在电路基板上的发光元件，所述发光元件包含权利要求1～9中任意一项所述的发光二极管元件，其中所述发光二极管自电极侧固定至所述电路基板。
...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构的厚度介于0.1μm～1μm。
3.根据权利要求1或2所述的发光二极管元件，其特征在于，在远离所述出光侧的方向上，所述增透结构包括折射率逐渐减小的多层结构。
4.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构包括i层结构，其中i≥2，第i层结构的折射率为ni，第i层结构的光学厚度为(ni)λ/4，λ为半导体叠层辐射的光的波长。
5.根据权利要求1所述的发光二极管元件，其特征在于，所述增透结构包括ti3o5层、sio2层、sin层及sioxny层中的任意两层或两层以上的组合，并且在远离所述出光侧的方向上，任意两层或两层以上的组合以折射率逐渐减小的方式依次堆叠。
6.根据权利要求5所述的发光二极管元件，其特征在于，在远离所述出光侧的方向上，所述增透结构包括依次...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡富钧，王彦钦，杨松，韦小龙，郭桓卲，彭钰仁，
申请(专利权)人：泉州三安半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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