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本申请提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括外延层以及设置于外延层中的导电孔,通过在导电孔与第一半导体层的接触位置处设置向第一半导体层凸出的延伸孔,增大了导电孔与第一半导体层的接触面积,改变电流从第二半导体层流向第一半导体层的路径,扩...该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。
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本申请提供一种发光二极管及发光装置。发光二极管包括外延层以及设置于外延层中的导电孔,通过在导电孔与第一半导体层的接触位置处设置向第一半导体层凸出的延伸孔,增大了导电孔与第一半导体层的接触面积,改变电流从第二半导体层流向第一半导体层的路径,扩...