【技术实现步骤摘要】
：本专利技术涉及led，特别是一种具有改进功能层的led芯片及其制备方法。
技术介绍
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技术介绍
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1、发光二极管，也称为led，是现代科技与照明领域的佼佼者。因其在能源效率、环保性、使用安全性、长寿命以及低功耗等方面的卓越特性，led技术已在全球范围内得到广泛应用。无论是作为电子设备上的指示灯、大型显示屏幕的光源、室内外的装饰照明、液晶显示设备的背光源，还是作为日常生活中的普通照明工具，led都展示出了无可比拟的优势和适用性。
2、然而，尽管led的应用如此广泛，但在其制造过程中，尤其是led芯片的制备方法上，仍存在诸多技术挑战和问题亟待解决。例如，当前制作技术中普遍存在的光损失大问题，这意味着在led发光过程中，有相当一部分的光线无法有效地射出，导致光能的浪费和照明效率的降低。此外，材料粘附性差也是一个不可忽视的问题。由于不同材料之间的粘附性不足，led芯片在使用过程中可能会出现分层或脱落的情况，这不仅影响了led产品的使用寿命，还可能造成安全隐患。再者，金属易析出的问题也一直困扰着led制造业。金属析出不仅会导致led芯片性能的不稳定，还会对其长期使用的可靠性产生不良影响。
3、因此，针对以上问题，对现有的led芯片制备方法进行改进和创新，进一步提高led的发光效率和使用寿命，是当前照明科技领域的重要研究方向。
技术实现思路
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技术实现思路
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1、本专利技术的目的在于提供一种具有改进功能层的led芯片制备方法，该方法通过在i
2、本专利技术的技术方案如下：
3、一种具有改进功能层的led芯片，包括ito透明导电层和sio2/sin绝缘钝化层，所述ito透明导电层和sio2/sin绝缘钝化层之间设置一层功能层，所述功能层折射率在1.45-1.95之间。
4、优选地，所述led芯片的电极与所述sio2/sin绝缘钝化层之间也设有所述功能层。
5、优选地，所述功能层材质为al2o3，厚度在
6、优选地，所述功能层折射率优选在1.6-1.67，透过率在98％以上。上述具有改进功能层的led芯片制备方法，包括以下步骤：
7、(1)在衬底上进行gan沉积，依次沉积n-gan、mqws和p-gan；
8、(2)刻蚀n-gan使n-gan暴露出留作金属负电极制作的区域；
9、(3)在表面沉积50-500nm的sio2或sin，腐蚀出所需图形；
10、(4)在表面沉积一层ito透明导电层，厚度在10nm-300nm，去除多余部分；
11、(5)开出pad所需图形并制作金属电极，金属电极材质为cr、ti、al、ag、ni、pt、au中的一种，总厚度控制在1-5um；
12、(6)在表面沉积al2o3，厚度在折射率在1.6-1.67，透过率在98％以上；
13、(7)进行sio2或sin沉积，厚度在之间；开出所需图形，去除多余的sio2/sin，使电极露出。
14、本专利技术的led芯片通过增加特定功能层，解决了现有技术中存在的问题。该功能层具有特定的折射率，与金属的粘附性良好，且具有良好的致密性，可以提高临界角，增加出光几率；对金属实现良好的包覆性；抗逆向老化，抑制金属析出迁移。因此，本专利技术的led芯片具有更高的发光效率和更长的使用寿命。
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1.一种具有改进功能层的LED芯片，包括ITO透明导电层和SiO2/SiN绝缘钝化层，其特征在于，所述ITO透明导电层和SiO2/SiN绝缘钝化层之间设置一层功能层，所述功能层折射率在1.45-1.95之间。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片的电极与所述SiO2/SiN绝缘钝化层之间也设有所述功能层。
3.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述功能层材质为Al2O3，厚度在
4.根据权利要求1或2所述的LED芯片，其特征在于，所述功能层折射率优选在1.6-1.67，透过率在98％以上。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的LED芯片制备方法，包括以下步骤：
【技术特征摘要】
1.一种具有改进功能层的led芯片，包括ito透明导电层和sio2/sin绝缘钝化层，其特征在于，所述ito透明导电层和sio2/sin绝缘钝化层之间设置一层功能层，所述功能层折射率在1.45-1.95之间。
2.根据权利要求1所述的led芯片，其特征在于，所述led芯片的电极与所述sio2/sin绝缘钝化层之间也...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄文光，马璐，赵方方，曹玉飞，樊明军，刘宇，郇洁，冯小楠，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：
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