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本发明涉及发光二极管芯片技术领域，特别涉及一种发光二极管，包括外延层和电极结构，电极结构包含欧姆接触层和打线层，欧姆接触层设于发光二极管的外延层上；打线层设于欧姆接触层之上，包括至少一强化结构和设于强化结构之上的厚金属层，强化结构具有从下至...
该专利属于泉州三安半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泉州三安半导体科技有限公司授权不得商用。

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