功率器件的立体封装结构和封装方法技术

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种功率器件的立体封装结构和封装方法，其中，功率器件的立体封装结构包括：引线框架，设置有用于连接功率器件的焊盘；第一功率器件，通过倒装方式设置于所述引线框架上；第二功率器件，堆叠设置在所述第一功率器件之上；其中，所述第一功率器件的底部端子与所述引线框架的焊盘固定连接，所述第一功率器件的顶部端子与所述第二功率器件相靠近的底部端子以铜条带键合的方式电性连接，所述第一功率器件的底部端子还与所述第二功率器件的顶部端子以铜条带键合的方式电性连接。通过将功率器件堆叠设置，减少封装需要的打线数量，降低寄生效应的影响，提高功率器件的性能，大大提升产品良率。大大提升产品良率。大大提升产品良率。

【技术实现步骤摘要】
功率器件的立体封装结构和封装方法


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及功率器件的立体封装结构和封装方法。

技术介绍

[0002]传统的功率器通过打线(wire bonding)实现功率器件芯片外部管脚的连接，越大越复杂的功率器件也就需要更多外部管脚的打线，并且需要采用更粗的金线或铝线来维持大电流通过，由于打线带来的寄生效应，导致功率器件的性能下降。为了获得更大的耐压或者更大的过电流能力，需要将多颗单个功率器件做并联或串联，在一些特殊的器件应用上比如绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，由于IGBT关断时有拖尾电流，需要搭配快速恢复二极管(Fast recovery diode，RFD)共同使用，这样就增加更多的打线数量。打线数量越多的功率器件，其良率也会受到影响。
[0003]因此，现有技术中至少存在集成功率器件在打线数增加时导致器件的性能和良率下降的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提供了一种功率器件的立体封装结构和封装方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的立体封装结构，其特征在于，包括：引线框架，设置有用于连接功率器件的焊盘；第一功率器件，通过倒装方式设置于所述引线框架上；第二功率器件，堆叠设置在所述第一功率器件之上；其中，所述第一功率器件的底部端子与所述引线框架的焊盘固定连接，所述第一功率器件的顶部端子与所述第二功率器件相靠近的所述第二功率器件的底部端子以铜条带键合的方式电性连接，所述第一功率器件的底部端子还与所述第二功率器件的顶部端子以铜条带键合的方式电性连接。2.如权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，还包括用于铜条带键合的第一铜条带和第二铜条带，所述第一功率器件为IGBT单管，所述第二功率器件为快速恢复二极管；所述IGBT单管的底部端子包括发射极端子和基极端子，所述IGBT单管的顶部端子为集电极端子，所述快速恢复二极管的顶部端子为阳极端子，所述快速恢复二极管的底部端子为阴极端子，所述IGBT单管的集电极端子通过所述第一铜条带与所述快速恢复二极管的阴极端子电性连接，所述快速恢复二极管的阳极端子通过所述第二铜条带与所述IGBT单管的发射极端子电性连接。3.如权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，还包括用于铜条带键合的第一铜条带和第二铜条带，所述第一功率器件为IGBT单管，所述第二功率器件为碳化硅二极管；所述IGBT单管的底部端子包括发射极端子和基极端子，所述IGBT单管的顶部端子为集电极端子，所述碳化硅二极管的顶部端子为阳极端子，所述碳化硅二极管的底部端子为阴极端子，所述IGBT单管的集电极端子通过所述第一铜条带与所述碳化硅二极管的阴极端子电性连接，所述碳化硅二极管的阳极端子通过所述第二铜条带与所述IGBT单管的发射极端子电性连接。4.如权利要求1所述的立体封装结构，其特征在于，还包括用于铜条带键合的第一铜条带和第二铜条带，所述第一功率器件和所述第二功率器件均为MOS管；所述第一功率器件的底部端子包括栅极端子和源极端子，所述第一功率器件的顶部端子为漏极端子，所述第二功率器件的顶部端子包括栅极端子和源极端子，所述第二功率器件的底部端子为漏极端子，两个所述MOS管的漏极端子通过所述第一铜条带电性连接，两个所述MOS管的栅极端子和源极端...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾健忠，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：