一种利用AI动态调节老化测试参数的方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种利用AI动态调节老化测试参数的方法及系统，该方法包括：对芯片进行测试；获取芯片经过测试的参数，并将所述参数输入AI机械学习模型；AI机械学习模型根据所述参数动态调节老化测试条件。本发明专利技术能够通过AI机械学习模型根据芯片生产过程中由于工艺参数的偏差而导致的芯片的性能差异来调整芯片老化测试参数，克服了现有技术中由于老化测试的参数无法进行精准调试而导致具有早期故障的芯片无法被检测出来的技术问题，降低了芯片的不良率以及提高了芯片的检测效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种利用ai动态调节老化测试参数的方法及系统。

技术介绍

1、芯片老化测试是一种采用电压和高温来加速器件电学故障的电应力测试方法。老化过程基本上模拟运行了芯片整个寿命，因为老化过程中应用的电激励反映了芯片工作的最坏情况。根据不同的老化时间，所得资料的可靠性可能涉及到的器件的早期寿命或磨损程度。老化测试可以用来作为器件可靠性的检测或作为生产窗口来发现器件的早期故障。一般用于芯片老化测试的装置是通过测试插座与外接电路板共同工作从而得到的芯片数据来判断是否合格。半导体组件（芯片，模块等）在组装到系统之前会进行故障测试。安排试验，使元件在特定电路的监控下被迫经历一定的老化测试条件，并分析元件的负载能力等性能。这种测试有助于确保系统中使用组件（芯片，模块等半导体器件）的可靠性。老化测试通过模拟设备在实际使用中受到的各种应力、老化设备封装和芯片的弱点，加快设备实际使用寿命的验证。同时可以在模拟过程中，引起固有故障的尽早突显。为了保证出厂的芯片没有问题，需要在出厂前进行测试以确保功能完整性等。

2、半导体故障分类具有以下几类：早本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用AI动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种利用AI动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述对芯片进行测试包括：对芯片进行芯片制造测试、CP测试、芯片封装测试、FT测试。

3.根据权利要求2所述的一种利用AI动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述芯片制造测试包括：在芯片制造完成后，获取芯片的栅极氧化层厚度、多晶硅尺寸和外延层厚度。

4.根据权利要求2所述的一种利用AI动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述CP测试包括：对芯片进行晶圆测试，获取芯片的静态电流、漏电和击穿电压。

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【技术特征摘要】

1.一种利用ai动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种利用ai动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述对芯片进行测试包括：对芯片进行芯片制造测试、cp测试、芯片封装测试、ft测试。

3.根据权利要求2所述的一种利用ai动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述芯片制造测试包括：在芯片制造完成后，获取芯片的栅极氧化层厚度、多晶硅尺寸和外延层厚度。

4.根据权利要求2所述的一种利用ai动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述cp测试包括：对芯片进行晶圆测试，获取芯片的静态电流、漏电和击穿电压。

5.根据权利要求2所述的一种利用ai动态调节老化测试参数的方法，其特征在于，所述封装测试包括：在芯片封装时，获取芯片的浸泡时间、回流温度和...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟宗，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：