【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种整合电容器的mosfet及制备方法。
技术介绍
1、电容器是由两个相互靠近的导体和中间夹着的一层不导电的绝缘介质组成。当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器会存储电荷。随着电子信息技术的逐渐发展，数码电子产品的更新换代越来越快，电子产品产销量的持续增长带动了电容器的产业发展。
2、功率mosfet是当今社会最常见的功率半导体器件，由于其低栅极驱动功率、快速开关速度、易于高级并联能力、宽带宽和简单偏置等优点，通常被用作低压开关，例如多种低压电源，dc-dc转换器和低压电极控制器的开关。
3、电容器和功率mosfet都是集成电路中的重要电子元器件，被广泛应用在升压或降压转换器中。现有普遍的集成封装形式为先对电容器和功率mosfet进行单独制作封装，在电容器和功率mosfet封装完毕之后，通过pcb铜箔导线将电容器和功率mosfet进行连接。这种封装方式需要考虑pcb走线，pcb走线过程中产生的esl和esr会对器件的功率造成损耗，降低器件的功率转换效率。同时，电容器和功率mosfet的单独制作，在封装时通过pcb和铜箔导线连接也会增加制作和封装电容器和功率mosfet的成本。
技术实现思路
1、为了解决上述提出的至少一个技术问题，本专利技术的目的在于提供一种整合电容器的mosfet及制备方法，通过将电容器集成到传统的沟槽mosfet的外延层上，不需要进行pcb铜箔导线连接，减少了pcb走线过程中esl，esr造成的功率损耗，提
2、本专利技术的目的采用如下技术方式实现：
3、第一方面，本专利技术提供了一种整合电容器的mosfet，包括外延层和集成电容器，所述外延层开设有第一沟槽，所述集成电容器嵌入所述第一沟槽中。
4、优选地，所述集成电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板包括u型部，所述u型部位于所述第一沟槽中，所述第二极板包括主板，所述主板嵌入所述u型部中。
5、优选地，所述第一极板还包括第一延伸部，所述第一延伸部与所述u型部的第一端连接，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二极板还包括第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一延伸部对应设置，所述第二延伸部与所述主板远离所述u型部的一端连接。
6、优选地，所述第一极板还包括第三延伸部，所述第三延伸部与所述u型部的第二端连接，所述第三延伸部沿第二方向延伸，所述第二极板还包括第四延伸部，所述第四延伸部与所述第三延伸部对应设置，所述第四延伸部与所述主板远离所述u型部的一端连接。
7、优选地，所述集成电容器还包括介电层，所述介电层位于所述第一极板与所述第二极板之间，所述介电层的材料包括：二氧化硅。
8、优选地，还包括氧化层，所述氧化层贴附于所述第一沟槽的壁面和所述外延层的上方。
9、优选地，所述氧化层与介电层连接。
10、第二方面，本专利技术提供了一种整合电容器的mosfet的制备方法，包括：
11、在衬底的上方形成外延层；
12、在所述外延层上制备沟槽mosfet；
13、在所述外延层上制备集成电容器。
14、优选地，所述在所述外延层上制备集成电容器，包括：
15、在所述外延层开设第一沟槽；
16、在所述第一沟槽的壁面和所述外延层的上方沉积第一多晶材料；
17、刻蚀所述第一多晶材料形成第一极板；
18、在所述第一极板的上方沉积介电层；
19、在所述介电层的上方沉积第二多晶材料；
20、刻蚀所述第二多晶材料形成第二极板。
21、优选地，所述在所述外延层上制备沟槽mosfet，包括：
22、在所述外延层开设第二沟槽；
23、在所述第二沟槽的壁面形成栅氧化层；
24、在所述外延层的上表面注入离子形成p-body层、n+层和p+层。
25、相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
26、本专利技术通过将电容器集成到传统的沟槽mosfet的外延层上，不需要进行pcb铜箔连接，减少了pcb走线过程中esl和esr造成的功率损耗，提高了功率转换效率，也降低了制作封装的成本。
27、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，而非限制本公开。
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1.一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，包括外延层和集成电容器，所述外延层开设有第一沟槽，所述集成电容器嵌入所述第一沟槽中。
2.根据权利要求1所述的一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，所述集成电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板包括U型部，所述U型部位于所述第一沟槽中，所述第二极板包括主板，所述主板嵌入所述U型部中。
3.根据权利要求2所述的一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，所述第一极板还包括第一延伸部，所述第一延伸部与所述U型部的第一端连接，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二极板还包括第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一延伸部对应设置，所述第二延伸部与所述主板远离所述U型部的一端连接。
4.根据权利要求2所述的一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，所述第一极板还包括第三延伸部，所述第三延伸部与所述U型部的第二端连接，所述第三延伸部沿第二方向延伸，所述第二极板还包括第四延伸部，所述第四延伸部与所述第三延伸部对应设置，所述第四延伸部与所述主板远离所述U型部的一端连接。
5.根据权利要求2所述的一种整
6.根据权利要求1所述的一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，还包括氧化层，所述氧化层贴附于所述第一沟槽的壁面和所述外延层的上方。
7.根据权利要求6所述的一种整合电容器的MOSFET，其特征在于，所述氧化层与介电层连接。
8.一种整合电容器的MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：
9.根据权利要求8所述的一种整合电容器的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上制备集成电容器，包括：
10.根据权利要求8所述的一种整合电容器的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上制备沟槽MOSFET，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种整合电容器的mosfet，其特征在于，包括外延层和集成电容器，所述外延层开设有第一沟槽，所述集成电容器嵌入所述第一沟槽中。
2.根据权利要求1所述的一种整合电容器的mosfet，其特征在于，所述集成电容器包括第一极板和第二极板，所述第一极板包括u型部，所述u型部位于所述第一沟槽中，所述第二极板包括主板，所述主板嵌入所述u型部中。
3.根据权利要求2所述的一种整合电容器的mosfet，其特征在于，所述第一极板还包括第一延伸部，所述第一延伸部与所述u型部的第一端连接，所述第一延伸部沿第一方向延伸，所述第二极板还包括第二延伸部，所述第二延伸部与所述第一延伸部对应设置，所述第二延伸部与所述主板远离所述u型部的一端连接。
4.根据权利要求2所述的一种整合电容器的mosfet，其特征在于，所述第一极板还包括第三延伸部，所述第三延伸部与所述u型部的第二端连接，所述第三延伸部沿第二方向延伸，所述第二极板还包括第四延伸部，所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟宗，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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