一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS及制备方法技术

本发明专利技术提供一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS及制备方法，该SiC UMOS包括：至少一个源极沟槽；所述源极沟槽由开设于N+层和P‑well层的通孔和开设于N‑drift层的沟槽组成，所述通孔与所述沟槽相连；所述源极沟槽的内壁贴附有源极氧化层；源极多晶硅沉积于所述源极沟槽中并被所述源极氧化层包覆；所述源极多晶硅与源极相连。本发明专利技术在源极下方开设源极沟槽，并在源极沟槽中沉积源极多晶硅，当SiC UMOS工作在反向状态时，利用源极多晶硅在源极沟槽周围的P‑well层中感应出环形的反型层，实现电流从源极流向漏极，本发明专利技术设置的反向续流通道能够减少器件面积，降低生产成本，提高SiC UMOS的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sicumos及制备方法。

技术介绍

1、第三代半导体材料碳化硅具有带隙宽、击穿场强高、热导率高、饱和电子迁移速率高、物理化学性能稳定等特性，可适用于高温，高频，大功率和极端环境。碳化硅具有更大的禁带宽度和更高的临界击穿场强。相比同等条件下的硅功率器件，碳化硅器件的耐压程度约为硅材料的10倍。另外，碳化硅器件的电子饱和速率较高、正向导通电阻小、功率损耗较低，适合大电流大功率运用，降低对散热设备的要求。相对于其它第三代半导体(如gan)而言，碳化硅能够较方便的通过热氧化形成二氧化硅。sic具有独特的物理、化学及电学特性，是在高温、高频、大功率及抗辐射等极端应用领域极具发展潜力的半导体材料。而sic功率器件具有输入阻抗高、开关速度快、工作频率高耐高压等一系列优点，在开关稳压电源、高频以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。

2、使用碳化硅材料制作的mos场效应晶体管功率器件比si器件能够承受更高的电压和更快的开关速度。对于常规si mos而言，其体二极管开启电压仅为0.7v左右，因此常用作本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS，其特征在于，包括：至少一个源极沟槽；

2.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS，其特征在于，多个所述源极沟槽沿第一方向依次排列。

3.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS，其特征在于，还包括：P+屏蔽层；

4.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS，其特征在于，所述源极氧化层的厚度为50-100nm。

5.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道SiC UMOS，其特征在于，所述P-...

【技术特征摘要】

1.一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic umos，其特征在于，包括：至少一个源极沟槽；

2.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic umos，其特征在于，多个所述源极沟槽沿第一方向依次排列。

3.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic umos，其特征在于，还包括：p+屏蔽层；

4.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic umos，其特征在于，所述源极氧化层的厚度为50-100nm。

5.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic umos，其特征在于，所述p-well层的掺杂浓度为1017cm-3。

6.根据权利要求1所述的一种集成柱形沟槽源极控制续流通道sic ...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔凯，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：