【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos及制备方法。
技术介绍
1、当载流子从外界获得了很大能量时，可成为热载流子。例如在强电场作用下，载流子沿着电场方向不断漂移，不断加速，可以获得很大的动能，从而成为热载流子。对于mos器件，当mos器件的特征尺寸很小时，即使在不是较高的电压下，也可产生很强的电场，从而导致易于出现热载流子。因此，在小尺寸mos器件以及大规模集成电路中，容易出现热载流子。
2、热载流子是具有高能量的载流子，其动能高于平均热运动能量，即热载流子的运动速度也很高。热载流子会诱生mos器件的退化，这种现象是高能量的电子和空穴注入栅氧化层引起的，注入的过程中会产生界面态和氧化层陷落电荷，造成氧化层的损伤。随着损伤程度的增加，mos器件的电流电压特性就会发生改变。当mos器件参数改变超过一定限度后，mos器件就会失效。
3、hci即热载流子注入效应，是指在半导体器件中，由于高能电子或空穴的注入而引起的电学性能退化现象，是影响ldmos可靠度的一大关键问题，也会影响ldmos...
【技术保护点】
1.一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS，其特征在于，包括：在N-drift层上层开设的沟槽；
2.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS，其特征在于，还包括：多晶硅场板；
3.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS，其特征在于，所述沟槽由多段弧面组成。
4.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为0.5-10um。
5.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS，其特征在于，所述绝缘材料包括
...【技术特征摘要】
1.一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，包括：在n-drift层上层开设的沟槽；
2.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，还包括：多晶硅场板；
3.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，所述沟槽由多段弧面组成。
4.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，所述沟槽的宽度范围为0.5-10um。
5.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，所述绝缘材料包括：sio2。
6.根据权利要求1所述的一种基于半球型绝缘层改进hci的ldmos，其特征在于，所述沟槽的横...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟宗，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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