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本发明公开了一种基于半球型绝缘层改进HCI的LDMOS及制备方法，该LDMOS包括：在N‑drift层上层开设的沟槽；所述沟槽的底部距离多晶硅场板底面的距离为h2；所述沟槽的底部位于多晶硅场板的侧壁面的正下方；所述沟槽沉积有绝缘材料。本发明...
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