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本发明公开了一种整合电容器的MOSFET及制备方法，该MOSFET包括外延层和集成电容器，所述外延层开设有第一沟槽，所述集成电容器嵌入所述第一沟槽中。本发明通过将电容器集成到传统的沟槽MOSFET的外延层上，不需要进行PCB铜箔连接，减少了...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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