蒸发源装置、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种能够利用蒸发源周边的涂层抑制成膜品质的降低的技术。本发明专利技术的蒸发源装置(4)配备有：收容成膜材料(40)的收容部(46)；以及筒状的喷嘴部(47)，所述喷嘴部(47)具有用于排出被收容于收容部(46)的成膜材料(40)之中的因加热而气化了的成膜材料(40)的开口，所述喷嘴部(47)从收容部(46)的外壁突出，其特征在于，在喷嘴部(47)的外侧侧面(472)，施加用于降低成膜材料(40)的附着量的涂层(71)。涂层(71)。涂层(71)。

Evaporation source device, film forming device, film forming method and manufacturing method of electronic devices

【技术实现步骤摘要】
蒸发源装置、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及蒸发源装置、成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]作为在作为成膜对象物的基板上形成薄膜的成膜装置，已有真空镀敷方式的成膜装置，所述真空镀敷方式的成膜装置，在真空腔室内对收容有成膜材料的容器(坩埚)进行加热，使成膜材料气化(升华或者蒸发)并向容器外喷射，使之附着、堆积于基板的表面。气化了的成膜材料之中的对于成膜没有帮助的成膜材料会附着到配置在腔室内的防附着板或闸门等的结构体上。在专利文献1中，公开了一种在腔室内施加用于抑制成膜材料的附着的涂层的技术。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开平10
‑
121223号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]目前为止的技术是对于对与蒸发源相对地配置的防附着板或闸门等结构体的涂层进行研究。但是，在现有技术中，对于对成膜材料的容器或喷嘴等蒸发源装置的防附着涂层没有特别进行研究。对此，本申请的专利技术人等发现了对于蒸发源装置也产生成膜材料的附着这样的课题。由于考虑到成膜材料向蒸发源装置的附着会影响成膜品质，因此，对于蒸发源装置的涂层还有研究的余地。
[0008]本专利技术的目的是提供一种能够利用蒸发源周边的涂层来抑制成膜品质降低的技术。
[0009]用于解决课题的手段
[0010]为了解决上述课题，本专利技术的蒸发源装置，配备有：
[0011]收容部，所述收容部收容成膜材料；
[0012]筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的通过加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出，
[0013]其特征在于，在所述喷嘴部的外侧侧面施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。
[0014]专利技术的效果
[0015]根据本专利技术，可以利用蒸发源周边的涂层抑制成膜品质的降低。
附图说明
[0016]图1是根据实施例的成膜装置的示意剖视图。
[0017]图2是根据实施例1的蒸发源装置的示意剖视图。
[0018]图3是根据实施例2的蒸发源装置的示意图。
[0019]图4是根据实施例3的蒸发源装置的示意图。
[0020]图5是根据实施例4的蒸发源装置的示意图。
[0021]图6是表示成膜装置及蒸镀方式的结构例的示意图。
[0022]图7是表示蒸发源装置的喷嘴部的结构例的示意图。
[0023]图8是表示蒸发源装置的喷嘴部的结构例的示意图。
[0024]图9是有机EL显示装置的说明图。
具体实施方式
[0025](实施例1)
[0026]下面，参照附图，基于实施例示例性地详细说明用于实施本专利技术的方式。但是，对于在该实施例中记载的结构部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等，只要是没有特别声明，则本专利技术的范围并不局限于此。
[0027]参照图1、图2，对于根据本专利技术的实施例的成膜装置1进行说明。根据本实施例的成膜装置1是通过真空蒸镀将薄膜成膜到基板上的成膜装置。
[0028]根据本实施例的成膜装置，在各种半导体器件、磁性器件、电子部件等各种电子器件或光学部件等的制造中，用于在基板(也包括在基板上形成有层积体的部件)上堆积形成薄膜。更具体地说，根据本实施例的成膜装置优选用于发光元件或光电转换元件、触摸屏等电子器件的制造中。其中，根据本实施例的成膜装置能够特别优选地用于有机EL(Erectro Luminiesence：电致发光)元件等有机发光元件、或有机薄膜太阳能电池等有机光电转换元件的制造。另外，本专利技术中的电子器件是也包括具有发光元件的显示装置(例如有机EL显示装置)或照明装置(例如有机EL照明装置)、具有光电转换元件的传感器(例如有机CMOS成像传感器)在内的器件。
[0029]作为成为成膜对象物的基板的材料，除了玻璃之外，还可以选择半导体(例如，硅)、高分子材料的膜、金属等任意材料。另外，作为基板，例如，也可以采用在硅晶片或者玻璃基板上层积了聚酰亚胺等的膜的基板。
[0030]另外，在下面说明的各种装置等的同一附图内具有多个相同或者相应的构件的情况下，在有的情况下在附图中赋予a、b等附加标记，但是，在说明的正文中，在没有必要进行区分的情况下，省略a、b等附加标记。
[0031]<成膜装置的概略结构>
[0032]图1是表示根据本专利技术的实施例的成膜装置1的结构的示意图。成膜装置1具有内部保持在真空气氛或者氮气等不活泼气体气氛的真空腔室(成膜室、蒸镀室)2。另外，本说明书中的“真空”是指被比大气压低的压力的气体充满的空间内的状态，典型地，是指被比1atm(1013hPa)低的压力的气体充满的空间内的状态。真空腔室2(下面，称作腔室2)能够利用配备有真空泵或室压计的室压控制部3调整室压(腔室内部的压力)。
[0033]当作为成膜对象物的基板5经由闸阀(图中未示出)被搬运机器人(图中未示出)搬运(搬入)腔室2内部时，由设置在腔室2内的掩模支承部(图中未示出)保持。基板5水平地并且以基板5的被成膜面(被处理面)朝向下方的方式被保持。基板5的被成膜面被掩模(图中未示出)覆盖，所述掩模具有与形成于被成膜面的薄膜图样相对应的开口图样。在腔室2内部的基板5的下方，设置有蒸发源装置4。
[0034]另外，在本实施例中，以蒸发源被设置于腔室内的底面上且作为成膜对象的基板被配置在腔室内的上方的所谓上沉积型的成膜装置的结构作为前提来进行说明。即，关于在下面的说明中的上下方向或水平方向等的方向的规定，不言而喻，如果装置结构改变，例如，在下沉积型或侧沉积型的装置结构中，则在说明中的方向的指定方法也会改变。
[0035]<蒸发源>
[0036]图2是根据本实施例的蒸发源装置4的示意剖视图。蒸发源装置4具有收容成膜材料(蒸镀材料)40的蒸发源容器(坩埚)41(下面，称作容器41)、收容容器41的壳体42、对容器41加热的加热体43、以及用于提高容器41的加热效率的反射器(隔热构件)44、45。
[0037]容器41具有：收容体46，所述收容体46收容成膜材料40；以及喷嘴部47，所述喷嘴部47形成用于将通过加热体43的加热而气化(蒸发或者升华)了的成膜材料40排出到容器41的外部的开口部(也称作喷射口或者排出口)。收容部46具有大致呈长方体的箱形形状。由于本实施例为上沉积型的，因此，在收容部46的外壁之中的容器上壁部461，设置有喷嘴部47。喷嘴部47具有从收容部46的容器上壁部461向上方突出的筒状的形态，将收容部46的成膜材料40的收容空间与容器41的外部连通起来的连通孔形成上面所述的喷射口。在本实施例中，设置有多个喷嘴部47，多个喷嘴部47隔开规定的间隔配置成一列。在本实施例中，收容部46及喷嘴部47由热传本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸发源装置，配备有：收容部，所述收容部收容成膜材料；以及筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的因加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出，其特征在于，在所述喷嘴部的外侧侧面，施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。2.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部，在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域，施加所述涂层。3.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有反射器，所述反射器与所述喷嘴部的外侧侧面相对地设置，在所述反射器上施加所述涂层。4.如权利要求1所述的蒸发源装置，其特征在于，还配备有：壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部；以及反射器，所述反射器与所述喷嘴部的外侧侧面相对地设置于所述喷嘴部与所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域之间，在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域、以及所述反射器上，施加所述涂层。5.一种蒸发源装置，配备有：收容部，所述收容部收容成膜材料；筒状的喷嘴部，所述喷嘴部具有用于排出被收容于所述收容部的成膜材料之中的因加热而气化了的成膜材料的开口，所述喷嘴部从所述收容部的外壁突出；以及壳体，所述壳体以使所述喷嘴部的至少前端露出于外部的方式包围所述喷嘴部的外侧侧面以及所述收容部，其特征在于，至少在所述壳体中的所述喷嘴部的外侧侧面的周围的区域，施加用于降低成膜材料的附着量的涂层。6.如权利要求5所述的蒸发源装置，其特征在于，所述喷嘴部被配置成从所述收容部的上壁突出，在所述壳体之中的与所述收容部的所述上壁相对的部分的上表面，施加所述涂层。7.如权利要求5或6所述的蒸发源装置，其特征在于，所述壳体具有壳体开口部，所述喷嘴部插入贯通于所述壳体开口部，在所述壳体开口部处包围所述喷嘴部的外侧侧面的内周面，施加所述涂层。8.如权利要求5或6所述的蒸发源装置，其特征在于，所述壳体具有以包围所述喷嘴部的外侧侧面的方式设置的壳体筒状部，在所述壳体筒状部，施加所述涂层。9.如权利要求8所述的蒸发源装置，其特征在于，
所述壳体具有与所述收容部的上表面相对的上壁部、以及设置于所述上壁部的壳体开口部，所述喷嘴部插入贯通于所述壳体开口部，所述壳体筒状部以使在所述壳体开口部处包围所述喷嘴部的外侧侧面的内周面在所述喷嘴部的突出方向上延伸的方式从所述上壁部突出，在所述内周面中的因所述壳体筒状部而延伸出的区域、所述壳体筒状部的前端面、所述壳体筒状部的外...

【专利技术属性】
技术研发人员：寺田匡宏，市原正浩，菅原洋纪，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：