金属氧化物半导体场效应管电源开关制造技术

功率ＭＯＳＦＥＴ１含有跨接在其栅极Ｇ和源极Ｓ间并与ＭＯＳＦＥＴ热连接的闸流晶体管２。当ＭＯＳＦＥＴ导通，负载３在正常状态则闸流晶体管截止。如负载３短路，当温度超过预定值，闸流晶体管导通，且使ＭＯＳＦＥＴ截止，此时，连接到漏极Ｄ和源极Ｓ的电源内寄生布线电感７，８产生瞬变电压。串联电阻１０和闸流晶体管与串接在漏极Ｄ和栅极ｇ间的齐纳二极管１１和整流二极管１２保持漏一栅和漏一源电压为安全值以抑制瞬变电压。瞬变能量通过流经ＭＯＳＦＥＴ的电流耗散掉。ＭＯＳＦＥＴ的截止时刻取决于寄生电感７，８。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种ＭＯＳＦＥＴ功率开关装置包括ＭＯＳＦＥＴ（１）和与ＭＯＳＦＥＴ的栅极（Ｇ）电连接且与ＭＯＳＦＥＴ热连接的半导体开关（２），该装置是这样的：如果ＭＯＳＦＥＴ导通且所接的负载（３）处于正常状态，则半导体开关（２）截止，如果ＭＯＳＦＥＴ导 通而负载（３）处在短路状态，则当在ＭＯＳＦＥＴ中产生的热使温度高于预定温度时，半导体开关（２）就导通，同时，导通状态的半导体开关（２）使ＭＯＳＦＥＴ截止。上述装置还包括抑制瞬变电压的装置，所述瞬变电压是这样产生的：当ＭＯＳＦＥＴ随半导体 开关（２）导通而截止时，连接到ＭＯＳＦＥＴ的漏极（Ｄ）和源极（Ｓ）的电源里的寄生布线电感（７，８）将产生瞬变电压，其特征在于：瞬变电压抑制装置包括第一抑制装置（１１，１２）和第二抑制装置（１１，１２，２，１０，５）两部分，当半导体开关（ ２）导通时，第一抑制装置（１１，１２）把由漏极（Ｄ）上的初始寄生感应电压振幅产生的漏一栅电压（Ｖｄｇ）限制在预定值内，当半导体开关（２）导通时，第二抑制装置（１１、１２、２、１０、５）响应源极（Ｓ）的初始感应电压振幅而确定一个初始的栅一源电压（Ｖｇｓ），使其足以保持ＭＯＳＦＥＴ（１）导通，但不大于其预定值，这样，瞬变电压抑制装置使瞬变能量以流过ＭＯＳＦＥＴ的电流的方式耗散掉，ＭＯＳＦＥＴ的截止时刻取决于上述寄生布线电感（７，８）的值。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杰里米约翰格林伍德，
申请(专利权)人：萨尔普莱克斯有限公司，
类型：发明
国别省市：GB[英国]