辅助晶体管栅极偏置控制系统和方法技术方案

技术编号:3401458 阅读:150 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
公开了一种用于调制RF放大器中FET晶体管(108)的栅极偏置电压的电路和方法。该电路用于动态地控制多赫蒂放大器中辅助晶体管(12)的栅极偏置。调制该栅极偏置电压,以使它跟踪输入信号幅度。动态地调制多赫蒂放大器中辅助晶体管的栅极偏置改善了峰值功率和线性,同时保持了良好的效率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种RF放大器电路,包括:输入端,用于接收调幅RF信号;场效应晶体管,其具有耦合到所述输入端的栅极;DC电压电源,其被耦合到所述场效应晶体管;偏置电路,其被耦合到所述场效应晶体管的栅极,该偏置电路包括仅利用无 源电路部件直接与所述栅极和参考电压串联耦合的无源包络检测器,并且将随RF信号包络而变化的DC偏置提供给所述栅极;以及输出端,其被耦合到所述场效应晶体管以提供放大的RF输出信号。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:WK维特谢格尔
申请(专利权)人:电力波技术公司
类型:发明
国别省市:US[美国]

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