存储器控制器和存储器系统技术方案

本公开涉及存储器控制器和存储器系统。一种存储器控制器包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及刷新管理命令控制电路，适于根据安全水平来控制每单位时间刷新管理命令要被施加到存储器的次数。器的次数。器的次数。

【技术实现步骤摘要】
存储器控制器和存储器系统
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月10日提交的美国临时申请号63/123,666的权益，并且要求于2021年2月26日提交的韩国专利申请号10
‑
2021
‑
0026556的优先权，这两个申请通过引用整体并入本文。


[0003]本专利技术的各种实施例涉及存储器系统。

技术介绍

[0004]随着存储器的集成度增加，存储器中包括的多个字线之间的间距减小。随着字线之间的间距减小，相邻字线之间的耦合效应增加。
[0005]每当数据被输入到存储器单元或从存储器单元被输出时，字线在活动状态与非活动状态之间切换。随着相邻字线之间的耦合效应增加，耦合到与频繁激活的字线邻近布置的字线的存储器单元中的数据可能被损坏。这种现象被称为行锤击(row hammering)。因为存储器单元的数据由于字线扰动而在存储器单元被刷新之前被损坏，所以存在问题。
[0006]图1是图示存储器设备中包括的单元阵列的一部分的示意图，以描述行锤击。
[0007]在图1中，
‘
WLL
’
可以对应于频繁激活的字线，并且
‘
WLL
‑1’
和
‘
WLL+1
’
可以是与
‘
WLL
’
邻近布置的字线，即与频繁激活的字线邻近布置的字线。
‘
CL
’
可以对应于耦合到
‘
WLL
’
的存储器单元，并且
‘
CL
‑1’
可以是耦合到
‘
WLL
‑1’
的存储器单元，并且
‘
CL+1
’
可以是耦合到
‘
WLL+1
’
的存储器单元。每个存储器单元可以包括单元晶体管TL、TL
‑
1或TL+1以及单元电容器CAPL、CAPL
‑
1或CAPL+1。
[0008]在图1中，当
‘
WLL
’
被激活或被去激活时，
‘
WLL
‑1’
和
‘
WLL+1
’
的电压可能会由于
‘
WLL
’
、
‘
WLL
‑1’
和
‘
WLL+1
’
之间出现的耦合效应而增加或减少，从而影响单元电容器CAPL
‑
1和CAPL+1中的电荷的量。因此，当
‘
WLL
’
被频繁激活并且
‘
WLL
’
在激活状态与去激活状态之间切换时，存储在
‘
CL
‑1’
和
‘
CL+1
’
中包括的单元电容器CAPL
‑
1和CAPL+1中的电荷的量的变化变大，并且存储器单元中的数据可能会恶化。
[0009]当字线在激活状态与去激活状态之间切换时生成的电磁波，可能通过将电子充电到耦合到相邻字线的存储器单元的单元电容器中或从单元电容器释放电子，而损坏耦合到相邻字线的存储器单元的单元电容器中存储的数据。
[0010]作为用于解决行锤击问题的方法，可以使用检测已经被多次激活的行并且刷新已经被多次激活的行的相邻行的方法。

技术实现思路

[0011]本专利技术的实施例涉及用于增加存储器系统的行锤击攻击防御能力的技术。
[0012]依照本专利技术的一个实施例，存储器控制器包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及刷新管理命令控制电路，适于根据安全水平来控
制每单位时间刷新管理命令要被施加到存储器的次数。
[0013]依照本专利技术的另一实施例，存储器控制器包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及正常刷新命令控制电路，适于根据安全水平来控制每单位时间刷新命令要被施加到存储器的次数。
[0014]依照本专利技术的又一实施例，存储器系统包括：存储器；以及适于控制存储器的存储器控制器，其中存储器控制器包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及刷新管理命令控制电路，适于根据安全水平来控制每单位时间刷新管理命令要被施加到存储器的次数。
[0015]依照本专利技术的再一实施例，存储器系统包括：存储器；以及适于控制存储器的存储器控制器，其中存储器控制器包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及正常刷新命令控制电路，适于根据安全水平来控制每单位时间刷新命令要被施加到存储器的次数。
[0016]依照本专利技术的再一实施例，存储器系统包括：存储器；以及存储器控制器，存储器控制器耦合到存储器，并且包括行锤击对应块，行锤击对应块被配置成：接收与存储器上的操作相关联的活动信息、高速缓存未命中信息和不可纠正错误信息；基于所接收的信息中的至少一项信息来监控存储器上的行锤击的概率；基于行锤击的概率，确定安全水平；以及向存储器施加命令，该命令包括刷新命令和刷新管理命令中的至少一项，其中命令的施加速率基于安全水平而被确定。
附图说明
[0017]图1是图示存储器设备中包括的单元阵列的一部分的示意图，以描述行锤击。
[0018]图2是图示依照本专利技术的一个实施例的存储器系统的框图。
[0019]图3是图示依照本专利技术的一个实施例的在图2中示出的行锤击对应块的框图。
[0020]图4是图示依照本专利技术的一个实施例的在图2中示出的存储器的框图。
具体实施方式
[0021]下面将参考附图更详细地描述本专利技术的各种实施例。然而，本专利技术可以以不同的形式来体现，并且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将透彻和完整，并且将会将本专利技术的范围充分传达给本领域技术人员。贯穿本公开，贯穿本专利技术的各个图和实施例，同样的附图标记指代同样的部分。
[0022]图2是图示依照本专利技术的一个实施例的存储器系统200的框图。
[0023]参考图2，存储器系统200可以包括存储器控制器210和存储器250。
[0024]存储器控制器210可以根据来自主机HOST的请求来控制存储器250的操作。主机HOST可以包括中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、应用处理器(AP)等。存储器控制器210可以包括主机接口211、调度器213、命令生成器215、行锤击对应块217、错误纠正块219和存储器接口221。存储器控制器210可以被包括在CPU、GPU、AP等中。在这种情况下，主机HOST可以意指这些结构中的不同于存储器控制器210的结构。例如，当存储器控制器210被包括在CPU中时，主机H本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器控制器，包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及刷新管理命令控制电路，适于根据所述安全水平来控制每单位时间刷新管理命令要被施加到存储器的次数。2.根据权利要求1所述的存储器控制器，还包括：正常刷新命令控制电路，适于根据所述安全水平来控制每单位时间刷新命令要被施加到所述存储器的次数。3.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述安全水平设置电路通过监控以下至少一项来设置所述安全水平：活动信息、高速缓存未命中信息和不可纠正错误信息。4.根据权利要求1所述的存储器控制器，其中所述刷新管理命令控制电路控制每单位时间所述刷新管理命令要被施加到所述存储器的所述次数，使得每当激活的数目达到阈值时，所述刷新管理命令被施加到所述存储器，并且其中所述阈值根据所述安全水平而被调整。5.根据权利要求4所述的存储器控制器，其中所述阈值从所述存储器被接收，并且其中从所述存储器传送到所述刷新管理命令控制电路的所述阈值根据所述安全水平而被调整。6.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中随着所述安全水平变得更高，所述正常刷新命令控制电路增加每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数。7.根据权利要求2所述的存储器控制器，其中：在所述安全水平低时，所述正常刷新命令控制电路根据所述存储器的温度，来控制每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数，并且在所述安全水平高时，所述正常刷新命令控制电路将每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数控制为最大水平，而不管所述存储器的所述温度如何。8.根据权利要求7所述的存储器控制器，其中所述正常刷新命令控制电路接收关于根据所述存储器的所述温度、每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数的信息。9.根据权利要求2所述的存储器控制器，还包括：主机接口，适于与主机通信；调度器，适于调度所述存储器的操作；命令生成器，适于生成要被施加到所述存储器的命令；错误纠正电路，适于纠正错误；以及存储器接口，适于与所述存储器通信。10.一种存储器控制器，包括：安全水平设置电路，适于通过监控行锤击攻击的风险来设置安全水平；以及正常刷新命令控制电路，适于根据所述安全水平来控制每单位时间刷新命令要被施加到存储器的次数。11.根据权利要求10所述的存储器控制器，其中随着所述安全水平变得更高，所述正常刷新命令控制电路增加每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数。12.根据权利要求11所述的存储器控制器，其中：
在所述安全水平低时，所述正常刷新命令控制电路根据所述存储器的温度，来控制每单位时间所述刷新命令要被施加到所述存储器的所述次数，并且在所述安全水平高时，所述正常刷新命令...

【专利技术属性】
技术研发人员：金雄来，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：