谐振器封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种谐振器封装结构，其包括基座、谐振晶体片与顶盖，谐振晶体片包括谐振区与优化区。优化区具有互相平行的第一侧与第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区可具有至少一个圆角，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间，优化区的底面的高度可高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度可低于谐振区的顶面的高度。优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0<A<5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于B，0<B<4。0<B<4。0<B<4。

【技术实现步骤摘要】
谐振器封装结构


[0001]本专利技术涉及一种封装结构，且特别涉及一种谐振器封装结构。

技术介绍

[0002]石英元件具有稳定的压电特性，能够提供精准且宽广的参考频率、时脉控制、定时功能与过滤噪声等功能，此外，石英元件也能做为振动及压力等传感器，以及重要的光学元件；因此，对于电子产品而言，石英元件扮演着举足轻重的地位。
[0003]图1a为现有技术的石英振动器的结构剖视图，图1b为现有技术的石英振动器的结构分解图。请参阅图1a与图1b，石英振动器1包括一陶瓷基座10、一石英晶体片11、一顶盖12、黏胶13、第一导电接垫14、第二导电接垫15、第一电极层16与第二电极层17。石英晶体片11通过黏胶13与第一导电接垫14置于陶瓷基座10的凹槽中，第一电极层16与第二电极层17分别设于石英晶体片11的顶面与底面，陶瓷基座10具有导电通孔100，第一导电接垫14通过导电通孔100电性连接第二导电接垫15，顶盖12遮蔽石英晶体片11、黏胶13、第一导电接垫14、第一电极层16与第二电极层17。由于石英晶体片11为完整的矩形晶体片，故其主振动部的振动容易传递至外部，导致石英振动器1的振动频率不稳定。
[0004]因此，本专利技术在针对上述的困扰，提出一种谐振器封装结构，以解决现有技术所产生的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种谐振器封装结构，其降低谐振阻抗，以优化振动特性。
[0006]在本专利技术的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0<A<5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于B，0<B<4。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间，并与圆角相离。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
[0007]在本专利技术的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
[0008]在本专利技术的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂
直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0<A<5。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
[0009]在本专利技术的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
[0010]在本专利技术的一实施例中，优化区具有彼此相对的两个角落，每一角落连接于第二侧与其对应的第三侧之间，优化区的所有角落包括两个直角，两个连接区分别连接两个直角。
[0011]在本专利技术的一实施例中，提供一种谐振器封装结构，其包括一基座、一谐振晶体片与一顶盖。谐振晶体片包括一谐振区、至少一个优化区、一边框区与两个连接区。谐振区呈一矩形。优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧，优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于B，0<B<4。边框区设于基座上，其中边框区环绕谐振区与优化区。连接区连接于边框区与优化区之间，并与圆角相离。顶盖设于边框区上，以遮蔽优化区、连接区与谐振区。
[0012]在本专利技术的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于连接区、优化区与谐振区的底面，第一电极层电性连接谐振区。第二电极层设于连接区、优化区与谐振区的顶面，第二电极层电性连接谐振区，其中第一电极层与第二电极层分别对应两个连接区。
[0013]在本专利技术的一实施例中，一种谐振器封装结构包括一基座、至少一个黏胶、一谐振晶体片与一顶盖。基座的顶部具有一凹槽，黏胶设于凹槽中。谐振晶体片包括一谐振区与至少一个优化区。谐振区呈一矩形，优化区设于黏胶上，优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区具有至少一个圆角(fillet)，圆角连接于第二侧与其对应的第三侧之间。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0<A<5，圆角的曲率半径除以谐振区的厚度等于B，0<B<4。顶盖设于基座的顶部，以遮蔽两个黏胶与谐振晶体片。
[0014]在本专利技术的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于谐振区与优化区的底面，第二电极层设于谐振区与优化区的顶面，其中第一电极层与第二电极层电性连接黏胶。
[0015]在本专利技术的一实施例中，一种谐振器封装结构包括一基座、至少一个黏胶、一谐振晶体片与一顶盖。基座的顶部具有一凹槽，黏胶设于凹槽中。谐振晶体片包括一谐振区与至少一个优化区。谐振区呈一矩形，优化区设于黏胶上，优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，第一侧垂直第三侧。优化区的第一侧连接谐振区的一侧。优化区的底面的高度高于谐振区的底面的高度，优化区的顶面的高度低于谐振区的顶面的高度，优化区的第一侧与第二侧之间的长度除以谐振区的厚度等于A，0<A<5。顶盖设于基座
的顶部，以遮蔽两个黏胶与谐振晶体片。
[0016]在本专利技术的一实施例中，谐振器封装结构还包括一第一电极层与一第二电极层。第一电极层设于谐振区与优化区的底面，第二电极层设于谐振区与优化区的顶面，其中第一电极层与第二电极层电性连接黏胶。
[0017]在本专利技术的一实施例中，一种谐振器封装结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种谐振器封装结构，其特征在于，包括：一基座；一谐振晶体片，包括：一谐振区，呈一矩形；至少一个优化区，所述至少一个优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，所述第一侧垂直所述第三侧，所述至少一个优化区的所述第一侧连接所述谐振区的一侧，其中所述至少一个优化区具有至少一个圆角，所述至少一个圆角连接于所述第二侧与其对应的所述第三侧之间，所述至少一个优化区的底面的高度高于所述谐振区的底面的高度，所述至少一个优化区的顶面的高度低于所述谐振区的顶面的高度，所述至少一个优化区的所述第一侧与所述第二侧之间的长度除以所述谐振区的厚度等于A，0<A<5，所述至少一个圆角的曲率半径除以所述谐振区的所述厚度等于B，0<B<4；一边框区，设于所述基座上，其中所述边框区环绕所述谐振区与所述至少一个优化区；以及两个连接区，连接于所述边框区与所述至少一个优化区之间，并与所述至少一个圆角相离；以及一顶盖，设于所述边框区上，以遮蔽所述至少一个优化区、所述两个连接区与所述谐振区。2.如权利要求1所述的谐振器封装结构，其特征在于，还包括：一第一电极层，设于所述连接区、所述至少一个优化区与所述谐振区的底面，所述第一电极层电性连接所述谐振区；以及一第二电极层，设于所述连接区、所述至少一个优化区与所述谐振区的顶面，所述第二电极层电性连接所述谐振区，其中所述第一电极层与所述第二电极层分别对应所述两个连接区。3.一种谐振器封装结构，其特征在于，包括：一基座；一谐振晶体片，包括：一谐振区，呈一矩形；至少一个优化区，所述至少一个优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，所述第一侧垂直所述第三侧，所述至少一个优化区的所述第一侧连接所述谐振区的一侧，其中所述至少一个优化区的底面的高度高于所述谐振区的底面的高度，所述至少一个优化区的顶面的高度低于所述谐振区的顶面的高度，所述至少一个优化区的所述第一侧与所述第二侧之间的长度除以所述谐振区的厚度等于A，0<A<5；一边框区，设于所述基座上，其中所述边框区环绕所述谐振区与所述至少一个优化区；以及两个连接区，连接于所述边框区与所述至少一个优化区之间；以及一顶盖，设于所述边框区上，以遮蔽所述至少一个优化区、所述两个连接区与所述谐振区。4.如权利要求3所述的谐振器封装结构，其特征在于，还包括：一第一电极层，设于所述连接区、所述至少一个优化区与所述谐振区的底面，所述第一
电极层电性连接所述谐振区；以及一第二电极层，设于所述连接区、所述至少一个优化区与所述谐振区的顶面，所述第二电极层电性连接所述谐振区，其中所述第一电极层与所述第二电极层分别对应所述两个连接区。5.如权利要求3所述的谐振器封装结构，其特征在于，所述至少一个优化区具有彼此相对的两个角落，每一所述角落连接于所述第二侧与其对应的所述第三侧之间，所述至少一个优化区的所述多个角落包括两个直角，所述两个连接区分别连接所述两个直角。6.一种谐振器封装结构，其特征在于，包括：一基座；一谐振晶体片，包括：一谐振区，呈一矩形；至少一个优化区，所述至少一个优化区具有互相平行的一第一侧与一第二侧及两个互相平行的第三侧，所述第一侧垂直所述第三侧，所述至少一个优化区的所述第一侧连接所述谐振区的一侧，其中所述至少一个优化区具有至少一个圆角，所述至少一个圆角连接于所述第二侧与其对应的所述第三侧之间，所述至少一个圆角的曲率半径除以所述谐振区的厚度等于B，0<B<4；一边框区，设于所述基座上，其中所述边框区环绕所述谐振区与所述至少一个优化区；以及两个连接区，连接于所述边框区与所述至少一个优化区之间，并与所述至少一个圆角相离；以及一顶盖，设于所述边框区上，以遮蔽所述至...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭子修，罗韦晨，林宗德，
申请(专利权)人：台湾晶技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：