振动器件制造技术

振动器件。能够在俯视时实现小型化。振动器件(1)包括：半导体基板(4)，其具有设有集成电路(41)的第1面(4h)以及与第1面(4h)处于正反关系的第2面(4r)；振动元件(5)，其配置在第1面(4h)；盖(3)，其具有在第1面(4h)侧开口的凹部(32)和与第1面(4h)抵接的抵接面(31)，在抵接面(31)处与第1面(4h)接合；以及金属层(6)，其配置在第1面(4h)与抵接面(31)之间，在从第1面(4h)的法线方向俯视时，集成电路(41)的至少一部分与金属层(6)重叠。一部分与金属层(6)重叠。一部分与金属层(6)重叠。

【技术实现步骤摘要】
振动器件


[0001]本专利技术涉及振动器件。

技术介绍

[0002]以往，使用了石英振子等压电振子的振动器件在便携电话等电子设备中被广泛使用，随着电子设备的小型化，要求振动器件进一步小型化。而且，为了使振动器件小型化，提出了这样的技术：在包含集成电路的半导体基板上安装压电振子，以覆盖压电振子的方式在半导体基板上配置作为盖体的盖。
[0003]例如，专利文献1公开了如下结构的压电振荡器：在半导体集成部件上直接载置压电振子并连接，以从半导体集成部件上覆盖压电振子的方式配置盖，使用粘接剂将盖固定在半导体集成部件上。
[0004]此外，专利文献2公开了如下结构的压电振荡器：第1基板，其在表面侧形成有电路部，在背面安装有振动元件；和作为盖基板的第2基板，其形成有收纳振动元件的凹部，在将振动元件收纳在凹部内的状态下接合第1基板和第2基板。
[0005]专利文献1：日本特开2004
‑
128591号公报
[0006]专利文献2：日本特开2017
‑
139717号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]但是，在专利文献1记载的结构中，由于使用粘接剂来固定盖，所以需要在高温下一边对盖和半导体集成部件进行加压一边进行固定。在固定盖时，半导体集成电路容易破损。因此，存在这样的课题：在使用粘接剂固定盖的情况下，需要将固定盖和半导体集成部件的区域和半导体集成电路配置成不重叠，压电振荡器大型化。
[0009]另外，在专利文献2记载的结构中，在为了使压电振荡器薄型化而对第1基板进行磨削、研磨的情况下，无法对第1基板的形成有电路部的表面侧进行磨削、研磨。因此，存在这样的问题：需要在安装振动元件之前对第1基板的安装振动元件的背面进行磨削、研磨，压电振荡器难以薄型化。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]半导体基板具有设置有集成电路的第1面以及与所述第1面处于正反关系的第2面；振动元件，其配置在所述第1面；盖，其具有在所述第1面侧开口的凹部、和以在所述凹部内收纳所述振动元件的方式与所述第1面抵接的抵接面，在所述抵接面处与所述第1面接合；以及金属层，其配置在所述第1面与所述抵接面之间，在从所述第1面的法线方向俯视时，所述集成电路的至少一部分与所述金属层重叠。
附图说明
[0012]图1是示出实施方式1的振动器件的立体图。
[0013]图2是图1中的A
‑
A线处的剖视图。
[0014]图3是示出实施方式1的振动器件的概要结构的俯视图。
[0015]图4是示出实施方式1的振动器件的主要制造工序的流程图。
[0016]图5是示出实施方式1的振动器件的制造工序的截面示意图。
[0017]图6是示出实施方式1的振动器件的制造工序的截面示意图。
[0018]图7是示出实施方式1的振动器件的制造工序的截面示意图。
[0019]图8是示出实施方式1的振动器件的制造工序的截面示意图。
[0020]图9是示出实施方式1的振动器件的制造工序的截面示意图。
[0021]标号说明
[0022]1振动器件；2封装；3盖；4半导体基板；4h第1面；4r第2面；5振动元件；6金属层；31抵接面；32凹部；40底座基板；41集成电路；42绝缘层；45布线；61第1金属层；62第2金属层；63第3金属层；64第4金属层；321底面；322侧面；70外部端子；400贯通孔；402贯通电极。
具体实施方式
[0023]1.实施方式1
[0024]参照图1～图3，对实施方式1的振动器件1进行说明。另外，为了便于说明振动器件1的内部结构，图3示出了取下盖3的状态。另外，在图中，各构成要素的尺寸比率与实际不同。
[0025]在附记于附图的坐标中，将相互正交的3个轴作为X轴、Y轴以及Z轴进行说明。将沿着X轴的方向设为“X方向”，将沿着Y轴的方向设为“Y方向”，将沿着Z轴的方向设为“Z方向”，箭头的方向为正方向。另外，将Z方向作为“法线方向”，将Z方向的正方向作为“上”或“上方”，将Z方向的负方向作为“下”或“下方”进行说明。另外，在从Z方向观察时的俯视中，将Z方向正侧的面作为上表面，将与其相反侧的Z方向负侧的面作为下表面进行说明。
[0026]如图1以及图2所示，振动器件1具有振动元件5和收纳振动元件5的封装2。封装2具有半导体基板4、盖3和金属层6。
[0027]半导体基板4具有设置有集成电路41的第1面4h以及与第1面4h处于正反关系的第2面4r。
[0028]盖3是具有在半导体基板4的第1面4h侧开口的凹部32和与半导体基板4的第1面4h抵接的抵接面31的箱状的盖。另外，盖3的抵接面31与半导体基板4的第1面4h抵接并不一定意味着盖3的抵接面31与半导体基板4的第1面4h直接接触，包括半导体基板4的第1面4h与盖3的抵接面31隔着金属层6等而接触的情况。
[0029]金属层6是将半导体基板4和盖3接合的接合部，配置在半导体基板4的第1面4h与盖3的抵接面31之间。盖3在抵接面31上经由金属层6与半导体基板4的第1面4h接合。
[0030]集成电路41的至少一部分在从作为半导体基板4的第1面4h的法线方向的Z方向俯视时，与金属层6重叠。换言之，集成电路41的至少一部分与金属层6即接合半导体基板4和盖3的接合部在俯视时重叠。
[0031]振动元件5配置在半导体基板4的第1面4h。通过接合半导体基板4的第1面4h和盖3的抵接面31，在盖3的凹部32内收纳振动元件5。换言之，盖3的凹部32的开口被半导体基板4封闭，在半导体基板4的第1面4h形成收纳振动元件5的收纳空间S。
[0032]如图2及图3所示，半导体基板4为平板状，半导体基板4具有作为上表面的第1面4h和作为下表面的第2面4r。第2面4r与第1面4h处于正反关系。在半导体基板4的第1面4h设有沿着第1面4h的外缘配置的框状的第1金属层61。
[0033]在本实施方式中，第1金属层61由厚度100nm的金(Au)形成。第1金属层61也可以使用金(Au)以外的金属，例如铜(Cu)等。
[0034]另外，在本实施方式中，在第1金属层61与半导体基板4的第1面4h之间设置有未图示的密接层。密接层具有提高第1金属层61与半导体基板4的第1面4h的密接性的功能。密接层由厚度5nm的钛(Ti)形成。另外，密接层也可以使用钛(Ti)以外的金属，例如钨(W)等。另外，也可以不设置密接层。
[0035]盖3具有在半导体基板4的第1面4h侧即下方开口的有底的凹部32，和沿着凹部32的外缘设置成框状并与半导体基板4的第1面4h抵接的抵接面31。另外，在本实施方式中，盖3由硅基板形成。但是，盖3也可以由硅以外的材料，例如玻璃或陶瓷等形成。
[0036]在抵接面31设有第2金属层62。
[0037]在本实施方式中，第2金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种振动器件，其具有：半导体基板，其具有设置有集成电路的第1面以及与所述第1面处于正反关系的第2面；振动元件，其配置在所述第1面；盖，其具有在所述第1面侧开口的凹部、和以在所述凹部内收纳所述振动元件的方式与所述第1面抵接的抵接面，在所述抵接面处与所述第1面接合；以及金属层，其配置在所述第1面与所述抵接面之间，在从所述第1面的法线方向俯视时，所述集成电路的至少一部分与所述金属层重叠。2.根据权利要求1所述的振动器件，其中，所述金属层是设置于所述第1面的第1金属层和设置于所述抵接面的第2金属层被活化接合而成的金属层。3.根据权利要求1或2所述的振动器件，其中，所述金属层包含Au。4.根据权利要求1或2所述的振动器件，在所述盖的所述凹部的底面设有与所述金属层电导通的第3金属层。5.根据权利要求4...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤井正宽，黑泽龙一，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：