【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子元件，且特别是涉及一种谐振器(resonator)。
技术介绍
1、谐振器是一种利用材料的压电特性及材料的自然共振频率的一种电子元件。石英晶体是用于谐振器的常见材料，在制作谐振器时，通常会将一个石英晶圆切割成多个石英芯片，例如是利用激光(laser)来切割。
2、然而，当激光对石英晶圆加热切割时，容易使呈单晶的石英材料转变为双晶或多晶的石英材料，进而影响了石英谐振器的自然共振频率。
3、另一方面，当石英芯片的振动结构点胶固定于底座时，点胶处传递至振动区的应力亦会对芯片的振动特性造成影响。
4、因此，如何降低激光切割晶圆所造成的双晶或多晶现象及点胶处传递至振动区的应力对芯片振动特性所造成的影响，是本领域的重要研发课题之一。
技术实现思路
1、本专利技术是针对一种谐振器，其具有良好的振动特性。
2、本专利技术的一实施例提出一种谐振器，包括振动结构、第一电极及第二电极。振动结构包括振动区、凸出部、开口及框部。振动区具有相对的第一表面与第二表面，凸出部环绕振动区。开口设于振动区的一侧，且位于振动区与凸出部之间。开口具有靠近振动区的第一边与远离振动区的第二边，第二边相对于第一边，且第一边的长度大于第二边的长度。框部环绕凸出部，第一电极配置于第一表面上，且第二电极配置于第二表面上。
3、在本专利技术的实施例的谐振器中，由于振动结构的振动区与凸出部之间具有开口，且开口靠近振动区的第一边的长度大于远离振动区的第二边的
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1.一种谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述框部的厚度小于所述凸出部的厚度，且所述振动区的厚度小于所述凸出部的厚度。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述框部的宽度与所述振动区的厚度的比值大于0.1且小于10。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的阶梯状短边，连接所述第一边与所述第二边。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的短斜边，连接所述第一边与所述第二边。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的弧形短边，连接所述第一边与所述第二边。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，还包括：
8.根据权利要求7所述的谐振器，其特征在于，所述至少一个黏着胶为二个黏着胶，分别设于所述开口的两端旁。
9.根据权利要求7所述的谐振器，其特征在于，所述底座具有凹陷，且所述振动结构配置于所述凹陷中。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其特征在于
11.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述振动结构的材质为压电材料。
12.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述振动结构还包括：
13.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述凸出部具有靠近所述振动区的内斜面、远离所述振动区的外斜面及连接所述内斜面与所述外斜面的顶面。
14.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述框部的厚度小于所述凸出部的厚度，且所述振动区的厚度小于所述凸出部的厚度。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其特征在于，所述框部的宽度与所述振动区的厚度的比值大于0.1且小于10。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的阶梯状短边，连接所述第一边与所述第二边。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的短斜边，连接所述第一边与所述第二边。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，所述开口还包括二个相对的弧形短边，连接所述第一边与所述第二边。
7.根据权利要求1所述的谐振器，其特征在于，还包括：
...【专利技术属性】
技术研发人员：彭子修，罗韦晨，林宗德，
申请(专利权)人：台湾晶技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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