【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及使制造光学器件例如蓝绿发光器件、紫色激光二极管、UV发光器件、激光二极管或者晶体管中所用化合物半导体器件所需的化合物半导体层激活成为P-型化合物半导体层的方法。
技术介绍
图1是示出一般的GaN基光学器件结构的剖面图。如图1所示，GaN基光学器件的构成如下，在蓝宝石衬底1上形成缓冲层2，在其上依次层叠GaN层3、n-GaN层4、InGaN层5、和p-型GaN层6，然后形成p-接触层7和n-接触层8，并且发出具有短波长的蓝光、紫光或绿光等，提供全色显示。并且，GaN基光学器件可以应用于存储信息的大容量记录介质的领域。并且，由于GaN基光学器件呈现优异的热特性，所以可应用于能够工作在高温的电子器件。从短波长光学器件商品化的角度来看，氮化物系化合物半导体是易于开发的，但是在p-型半导体的制造方面存在问题，这与包括GaAs的其它系列的材料是不同的。已知有几种生长化合物半导体层的方法，包括有机金属化学汽相淀积法(MOCVD)、分子束外延法和氢化物汽相法。在GaN系化合物半导体具有例如采用有机金属化学汽相淀积法(MOCVD)生长的一层，并且用p-型杂质掺杂...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
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