制造光学器件的方法以及相关改进技术

本发明专利技术公开了一种制造光学器件（４０）的改进的方法，特别地例如激光二极管、光调制器、光放大器、光转换器以及光检测器的半导体光电器件。本发明专利技术提供了一种制造光学器件（４０）的方法，其中用于制作器件（４０）的器件体部分（５）包括量子阱（ＱＷ）结构（３０），该方法包括对器件体部分（５）进行处理以使至少在器件体部分（５）的一部分（５３）中形成延展缺陷的步骤。每一延展缺陷为包括多个相邻“点”缺陷的结构缺陷。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学器件的制造方法，特别是，但并非局限于此地，涉及制造集成光学器件或者光电器件，例如，诸如激光二极管、光调制器、光放大器、光开关、光检测器以及类似器件的半导体光电器件。本专利技术还涉及包括此类器件的光电子集成电路(OEIC)和光子集成电路(PIC)。
技术介绍
量子阱混杂(Quantum Well IntermixingQWI)是一种已被报道为提供了实现单片光电集成的可行路线的工艺。QWI可以在III-V族半导体材料中进行，例如铝镓砷(AlGaAs)和铟镓砷磷(InGaAsP)，该半导体材料可生长于二元衬底上，例如砷化镓(GaAs)或者磷化铟(InP)。QWI通过量子阱(QW)及相关阻挡层(barrier)中元素的相互扩散改变生长的(as-grown)结构的带隙，来制作其组成成分的合金。该合金具有比生长的QW的带隙大的带隙。因此，产生于未发生QWI的QW中的光辐射(发光)可穿过对所述光辐射实际上透明的合金的QWI或“混杂”区。文献中已报道了各种QWI技术。例如，可以通过将诸如锌的元素高温扩散到包括QW的半导体材料中来进行QWI。QWI还可以通过将诸如硅的元素注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光学器件的方法，将用来制作所述器件的一器件体部分包括一量子阱结构，该方法包括对该器件体部分进行处理以使至少在该器件体部分的一部分中形成延展缺陷的步骤。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：约翰H马什，斯图尔特D麦克杜格尔，克雷格J汉密尔顿，奥利克P科沃尔斯基，
申请(专利权)人：格拉斯哥大学理事会，
类型：发明
国别省市：GB[英国]