包括多个光学有源区的半导体激光器制造技术

本发明专利技术公开了一种改进的半导体激光器件（１０），并且特别是一种具有单叶远场图案的大面积半导体激光器。已知的大面积激光器使用于高功率应用，但存在诸如丝化现象、横模不稳、以及较差的远场特性等许多问题。本发明专利技术通过提供半导体激光器件（１０）解决上述问题，该器件包括：多个光学有源区（２４０）；每个光学有源区包括量子阱（ＱＷ）结构（７７）；相邻的光学有源区由光学无源区（２４５）隔开；该／每个光学无源区（２４５）为量子阱混合（ＱＷＩ）部。相邻光学有源区（２４０）之间的间隔通常可称作“分段”。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体激光器件，并且特别涉及具有单叶(single-lobed)远场图案的大面积半导体激光器，但不限于此。本专利技术涉及由同一申请人提交的名为“半导体激光器中及相关的改进”，2001年1月23日，号码为GB 01 01 641.9的待申请。
技术介绍
大面积激光器用于高功率应用，但却存在诸如丝化现象(filamentation)、横模不稳(instability in the transverse mode)、以及较差的远场特性等许多问题。丝化形成的原因涉及到了宽带(broad stripe)半导体激光器增益部分中发生的自聚焦非线性行为。本专利技术的目的在于消除或减轻前面提到的现有技术中的问题。本专利技术的进一步的目的在于提供一种大面积半导体激光器，其表现出高功率输出功率而不会牺牲横向光束的品质。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供一种半导体激光器件，包括多个光学有源区；每个光学有源区包括量子阱(QW)结构；相邻的光学有源区由光学无源区隔开；该/每个光学无源区为量子阱混合(QWI)部。相邻的光学有源区之间的间隔通常可称作“分段”。优选每个光学有源区在工作中与各本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光器件，包括：多个光学有源区；每个光学有源区包括量子阱（ＱＷ）结构；相邻的光学有源区由光学无源区隔开；该／每个光学无源区为量子阱混合（ＱＷＩ）部。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：约翰H马什，金新成，
申请(专利权)人：格拉斯哥大学理事会，
类型：发明
国别省市：GB[英国]