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本发明公开了一种改进的半导体激光器件（１０），并且特别是一种具有单叶远场图案的大面积半导体激光器。已知的大面积激光器使用于高功率应用，但存在诸如丝化现象、横模不稳、以及较差的远场特性等许多问题。本发明通过提供半导体激光器件（１０）解决上述问...
该专利属于格拉斯哥大学理事会所有，仅供学习研究参考，未经过格拉斯哥大学理事会授权不得商用。

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