【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件,具有其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层,该半导体器件包括:由该第一材料层和该第二材料层形成的超晶格结构,该第一材料层和第二材料层具有分别填充有相邻材料层的材料的多个孔。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:李元硕,河镜虎,郭准燮,白好善,李成男,司空坦,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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