具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法技术

技术编号:3314491 阅读:188 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供了一种具有超晶格半导体层的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层。在形成超晶格结构的第一材料层和第二材料层中形成有多个孔,该些孔填充有相邻材料层的材料。所提供的超晶格结构通过在保持预定光限制特性的同时经第一材料层和第二材料层中的孔输运电荷来降低驱动电压。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体器件,具有其中交替堆叠由不同材料形成的第一材料层和第二材料层的超晶格半导体层,该半导体器件包括:由该第一材料层和该第二材料层形成的超晶格结构,该第一材料层和第二材料层具有分别填充有相邻材料层的材料的多个孔。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:李元硕河镜虎郭准燮白好善李成男司空坦
申请(专利权)人:三星电子株式会社
类型:发明
国别省市:KR[韩国]

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