氮化物半导体元件制造技术

本发明专利技术提供一种氮化物半导体元件，具有以ｐ型氮化物半导体层和ｎ型氮化物半导体层夹着具有由包含Ｉｎ的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述ｐ型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含ｎ型杂质，所述第二阻挡层包含ｎ型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及使用发光二极管元件(LED)、激光二极管元件(LD)等发光元件、太阳能电池、光传感器等感光元件或晶体管、功率器件等电子元件所使用的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN、0≤X、0≤Y、X+Y≤1)的氮化物半导体元件，特别是涉及具有含铟的氮化物半导体层的氮化物半导体元件。
技术介绍
现今使用氮化物半导体的半导体激光器对于DVD等利用于可以大容量、高密度信息记录、可以重放的光盘系统的要求正在日益提高。因此，对使用氮化物半导体的半导体激光元件正在积极进行研究。另外，使用氮化物半导体的半导体激光元件被认为从紫外区到红色可以广泛在可以见光区振荡，其应用范围并不限于所述光盘系统的光源，还希望涉及激光打印机、光网路等的光源等多方面。另外，本申请人发表过一种激光器它在405nm、室温、5mW的连续振荡条件下使用超过一万小时。另外，使用氮化物半导体的发光元件、感光元件等具有使用包含In的氮化物半导体作为活性层的结构，形成活性层的更优异的活性区域在提高元件特性方面很重要。以往作为氮化物半导体元件的活性层，一般使用掺入n型杂质等的n型氮化物半导体，特别是量子井结构的情况，将掺入n型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件，具有以ｐ型氮化物半导体层和ｎ型氮化物半导体层夹着具有由包含Ｉｎ的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：　　　　所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述ｐ型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，　　　　所述第一阻挡层实质上不包含ｎ型杂质，所述第二阻挡层包含ｎ型杂质，所述第一阻挡层的膜厚比所述第二阻挡层的膜厚大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：小崎德也，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]