氮化物半导体元件制造技术

为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的ｎ侧区域与具有多层氮化物半导体层的ｐ侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在ｎ侧区域和ｐ侧区域的至少任意一方，形成有由两种氮化物半导体膜层叠而成的多层膜层。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在发光二极管(LED)、激光二极管、太阳能电池、光传感器等发光元件、感光元件，或晶体管、电源器件等电子器件中所使用的氮化物半导体(例如，InxAlyGa1-x-yN、0≤x、0≤y、x+y≤1)元件。
技术介绍
氮化物半导体作为高亮度蓝色LED、纯绿色LED的材料，已被实际应用于全色LED显示器、交通信号灯、影像扫描仪光源等各种光源中。这些LED元件基本具有将下列各层依次层叠在蓝宝石基板上的结构由GaN构成的缓冲层，由掺杂了Si的GaN构成的n侧接触层，具有InGaN的单量子阱结构(SQWSingle-Quantum-Well)的、或者具有InGaN的多量子阱结构(MQWMulti-Quantum-Well)的有源层，由掺杂Mg的AlGaN构成的p侧包覆层，由掺杂Mg的GaN构成的p侧接触层；这些元件还显示出非常优异的性能，即，当电流为20mA时，在发光波长为450nm的蓝色LED中功率为5mW、外部量子效率为9.1％，在发光波长为520nm的绿色LED中功率为3mW、外部量子效率为6.3％。这样，在氮化物半导体发光器件中采用的是具有有源层的双重异质结构，所述的有源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体元件，它是在ｎ侧氮化物半导体层与ｐ侧氮化物半导体层之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述有源层是具有Ｉｎ↓［ａ］Ｇａ↓［１－ａ］Ｎ（０≤ａ＜１）层的多量子阱结构；上述ｎ侧氮化物半导体层包含：　 　ｎ侧第一多层膜层，其由含Ｉｎ的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为１００＊或以下，含ｎ型杂质的ｎ侧接触层，在 上述ｎ侧接触层上形成的ｎ侧第二多层膜层，其由包含掺杂了ｎ型杂质的氮化物半导体层、和具...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷沢公二，三谷友次，中河義典，高木宏典，丸居宏充，福田芳克，池上武止，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]