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为了通过发挥使用多量子阱结构的有源层的特性，从而提高发光输出功率、扩大氮化物半导体发光元件的各种应用产品的适用范围，在具有多层氮化物半导体层的ｎ侧区域与具有多层氮化物半导体层的ｐ侧区域之间设有有源层的氮化物半导体发光元件中，在ｎ侧区域和ｐ侧...
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