氮化物半导体发光器件制造技术

一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层（１４），其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的Ｐ型氮化物半导体构成的第一Ｐ型覆盖层（６１）被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的Ｐ型氮化物半导体构成的第二Ｐ型覆盖层（６２）被设置在第一Ｐ型覆盖层上。第二Ｐ型覆盖层具有比第一Ｐ型覆盖的带隙大的带隙。一个ｎ型半导体层（１３）设置与有源层（１４）的另一面接触。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光器件，诸如发光二极管(LED)或激光二极管(LD)，特别涉及一种具有由所有氮化物半导体材料形成半导体结构的发光器件。
技术介绍
作为用于发光器件，诸如希望发射从紫外光到红光范围光的LED或LD器件的材料，众所周知为氮化物半导体材料(InxAlyGa1-x-yN；0≤X，0≤Y，X+Y≤1)，并且兰光和兰绿光LED已实际用于例如显示器或信号器中。诸如由氮化物半导体材料形成的兰光LED或兰绿光LED和目前实际使用的发光器光具有双异质结构，这种发光器件基本构造是这样的，由n型GaN组成的n-型接触层，由n-型AlGaN组成的n-型覆盖层，由n-型InGaN组成的n-型有源层，由p型AlGaN组成的p-型覆盖层，由p-型AlGaN组成的p-型覆盖层以及由p-型GaN组成的p-型接触层，按上述的次序，层叠在由例如兰宝石制作的衬底上而制成。该有源层掺以施主杂质，比如Si或G，和/或掺以受主杂质，比如Mn或Mg。LED器件的光发射波长可以通过改变有源层的InGaN组份中的In含量，或改变掺入有源区杂质的种类而从紫外光区变到红光区。目前实际应用的LED是一种发射波长为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光器件，其特征在于包括：一个量子阱结构的有源层，该有源层由含有铟和镓的氮化物半导体构成，并设置在一个ｎ型氮化物半导体层和一个Ｐ型半导体层之间；所述ｎ型半导体层含有第一ｎ型覆盖层，所述ｎ型覆盖层由含有铟和镓的ｎ型氮化物半导体构成；所述Ｐ型半导体层含有一Ｐ型覆盖层，所述Ｐ型覆盖层由含有铝和镓的Ｐ型氮化物半导体构成，并具有１０＊至１．０μｍ范围内的厚度。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中村修二，长滨慎一，岩佐成人，清久裕之，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]