温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种氮化物半导体发光器件，具有一个单量子阱结构或多量子阱结构的有源层（１４），其由含铟和镓的氮化物半导体构成。一个由含铝和镓的Ｐ型氮化物半导体构成的第一Ｐ型覆盖层（６１）被设置与有源层的一个面接触。一个由含铝和镓的Ｐ型氮化物半导体构成的第二...
该专利属于日亚化学工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过日亚化学工业株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。