一种半导体发光二极管结构制造技术

本发明专利技术公开的一种半导体发光二极管结构，提供了一种外延生长的ＬＥＤ结构，包括在传统的ＬＥＤ结构即衬底层上的缓冲层、ｕＧａＮ层、ｎ型ＧａＮ∶Ｓｉ层、多量子阱层以及ｐ型ＧａＮ∶Ｍｇ层的基础上，在多量子阱层与ｐ型ＧａＮ∶Ｍｇ层之间，或多量子阱层与ｎ型ＧａＮ∶Ｓｉ层之间，或者同时在上述两个界面之间生长不掺杂的ｕＧａＮ隔层，从界面上将多量子阱层与ｎ型ＧａＮ∶Ｓｉ层从物理上分隔开。结果表明，本发明专利技术的ＬＥＤ结构与现有技术的ＬＥＤ相比，可以显著地降低ＬＥＤ芯片的反向漏电电流Ｉｒ，并提高ＬＥＤ芯片的良品率。本发明专利技术的二极管结构可应用于发光二极管（ＬＥＤ）或激光二极管（ＬＤ）。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光二极管结构，更具体地说，涉及一种基于氮化镓(GaN)及其化合物的、可用于发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的半导体发光二极管结构。
技术介绍
在本申请人于2003年4月16日提出的中国专利技术专利申请“复合量子阱结构高亮度GaN基蓝光LED外延片生长方法”(申请号03118956.3)中，提出了一种复合量子阱结构的发光二极管(LED)外延片生长方法，其中公开了一种采用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)技术外延生长的GaN基LED半导体结构，包括衬底层上的缓冲层、不掺杂的uGaN层、n型GaN:Si层、多量子阱层、以及p型GaN:Mg层。通过这种LED半导体结构，在一定的激发电流(例如20mA)下，可以激发出波长为455-475nm的蓝光。由于这种LED半导体结构的多量子阱层非常薄，而且对MOCVD生长环境的波动非常敏感，因此在实际的生长过程中，很难出现上述理想的LED半导体结构，例如出现n型GaN:Si层与复合量子阱层的界面不清晰，其中所掺杂的Si进入并甚至贯穿复合量子阱层，众所周知，Si元素的掺入显然会导致出现LED反向漏电等问题；另外，晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光二极管结构，包括衬底层上的缓冲层、ｕＧａＮ层、ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ层、多量子阱层、以及ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ层，其特征在于，在所述多量子阱层与所述ｐ型ＧａＮ：Ｍｇ层之间生长一层ｕＧａＮ隔层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：严志军，
申请(专利权)人：方大集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：94[中国|深圳]